一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

一個(gè)可以制造柔性光子晶圓及芯片的300毫米晶圓級(jí)平臺(tái)

MEMS ? 來源:MEMS ? 2024-05-27 09:32 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

憑借晶圓級(jí)制造工藝,集成光子學(xué)領(lǐng)域近年發(fā)展迅速,在紅外(激光雷達(dá)和通信等應(yīng)用)和可見光(深入新興應(yīng)用領(lǐng)域,如顯示、光遺傳學(xué)和量子系統(tǒng)等)波段都已有報(bào)道集成光子學(xué)平臺(tái)和制造工藝。然而,這些進(jìn)展主要集中于硅襯底上的制造工藝,獲得的是剛性光子晶圓和芯片,限制了其潛在的應(yīng)用空間。

柔性集成光子晶圓有望使更多應(yīng)用領(lǐng)域受益,例如貼合人體或衣物的可穿戴醫(yī)療監(jiān)護(hù)設(shè)備和柔性顯示器等。受益于光子功能的可穿戴醫(yī)療保健監(jiān)護(hù)設(shè)備可以佩戴于手腕(智能手表)、手指(智能戒指)或上臂(作為貼片),考慮到典型成人的手腕周長、戒指尺寸和上臂尺寸,這些監(jiān)測(cè)設(shè)備需要的彎曲直徑分別約為4厘米、1.5厘米和7.6厘米。

迄今,已有一些關(guān)于柔性光子學(xué)制造的報(bào)道。實(shí)現(xiàn)柔性光子學(xué)的一種流行技術(shù)是異質(zhì)集成,即首先在剛性襯底上制造器件,然后通過direct-flip或stamp-assisted工藝將器件轉(zhuǎn)移到柔性襯底上。另一種流行的技術(shù)是單片集成,即直接在柔性襯底上對(duì)器件進(jìn)行圖案化,而柔性襯底則由剛性襯底臨時(shí)支撐。不過,這些現(xiàn)有柔性光子學(xué)僅限于單個(gè)器件或芯片規(guī)模的制造工藝,這限制了其可擴(kuò)展性。

據(jù)麥姆斯咨詢介紹,美國麻省理工學(xué)院(MIT)的研究人員開發(fā)并實(shí)驗(yàn)表征了第一個(gè)可以制造柔性光子晶圓及芯片的300毫米晶圓級(jí)平臺(tái)。首先,研究人員開發(fā)了300毫米晶圓級(jí)CMOS兼容的柔性平臺(tái)和制造工藝。接著,通過實(shí)驗(yàn)演示了可見光波長下的關(guān)鍵光學(xué)功能,包括芯片耦合、波導(dǎo)路由和無源器件。實(shí)驗(yàn)證明了光纖到芯片的邊緣耦合,耦合損耗為8 dB/facet,300 nm寬和400 nm寬波導(dǎo)的傳播損耗分別為12.1 dB/cm和9.4 dB/cm,1 x 2多模干涉儀(MMI)分路器的分路比為2.9 dB,所有這些都在632.8 nm工作波長下實(shí)現(xiàn)。

然后,研究人員進(jìn)行了彎曲耐久性研究,以表征光子芯片的機(jī)械柔性。研究人員演示了將單個(gè)柔性光子芯片繞直徑從5厘米到1.25厘米圓柱體彎曲2000次,其光學(xué)性能沒有明顯下降。最后,研究人員通過實(shí)驗(yàn)表征了彎曲柔性光子芯片所引起的偏振效應(yīng),比較了柔性芯片平放與圍繞兩個(gè)直徑不同圓柱體彎曲時(shí)的器件性能,發(fā)現(xiàn)輸出光的偏振會(huì)隨著芯片的彎曲而發(fā)生變化。

00812d52-1b7a-11ef-b74b-92fbcf53809c.jpg

柔性光子芯片的制造工藝

00999e50-1b7a-11ef-b74b-92fbcf53809c.jpg

柔性光子芯片的實(shí)驗(yàn)表征

展望未來,研究人員將繼續(xù)開發(fā)這種晶圓級(jí)制造工藝,深入研究柔性光子芯片的特性。首先,研究人員將在平臺(tái)上引入晶圓級(jí)蝕刻切割溝槽,以實(shí)現(xiàn)更平滑的切面和更低損耗的邊緣耦合器;其次,探索退火步驟,以及改用LPCVD氮化硅的可行性,以進(jìn)一步降低波導(dǎo)傳播損耗;第三,對(duì)柔性光子芯片的機(jī)械性能進(jìn)行進(jìn)一步數(shù)值分析和實(shí)驗(yàn)表征,包括量化楊氏模量、彈性常數(shù)和斷裂強(qiáng)度;第四,研究應(yīng)變對(duì)波導(dǎo)光學(xué)特性的影響,進(jìn)行數(shù)值模擬,并將模擬結(jié)果與彎曲引起的偏振旋轉(zhuǎn)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行比較;第五,探索芯片向另一方向彎曲的影響,由于波導(dǎo)受到的應(yīng)力和應(yīng)變不同,預(yù)計(jì)這將對(duì)偏振旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生影響;第六,開發(fā)一套自動(dòng)彎曲測(cè)試裝置,以便對(duì)芯片的耐久性進(jìn)行嚴(yán)格的高通量表征;第七,設(shè)計(jì)更多量身定制的光子器件,進(jìn)一步研究芯片彎曲對(duì)偏振和損耗的影響。

總體來說,這項(xiàng)研究成果為可擴(kuò)展的柔性集成光子學(xué)制造鋪平了道路,推動(dòng)集成光子學(xué)進(jìn)入需要柔性光子芯片的新應(yīng)用領(lǐng)域,例如與人體或織物相適應(yīng)的可穿戴醫(yī)療監(jiān)護(hù)儀以及柔性顯示器等。

論文鏈接:
https://doi.org/10.1038/s41598-024-61055-w



審核編輯:劉清

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • CMOS
    +關(guān)注

    關(guān)注

    58

    文章

    6011

    瀏覽量

    238717
  • 晶圓
    +關(guān)注

    關(guān)注

    53

    文章

    5151

    瀏覽量

    129685
  • 激光雷達(dá)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    971

    文章

    4230

    瀏覽量

    192701
  • 分路器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    19

    瀏覽量

    2222

原文標(biāo)題:柔性晶圓級(jí)集成光子學(xué)制造平臺(tái)

文章出處:【微信號(hào):MEMSensor,微信公眾號(hào):MEMS】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    半導(dǎo)體制造流程介紹

    本文介紹了半導(dǎo)體集成電路制造中的制備、制造
    的頭像 發(fā)表于 04-15 17:14 ?649次閱讀
    半導(dǎo)體<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>制造</b>流程介紹

    EV集團(tuán)推出面向300毫米的下代GEMINI?全自動(dòng)生產(chǎn)鍵合系統(tǒng),推動(dòng)MEMS制造升級(jí)

    方案提供服務(wù)的領(lǐng)導(dǎo)者EV集團(tuán)(EV Group,簡稱EVG)今日發(fā)布下代GEMINI?自動(dòng)化鍵合系統(tǒng),專為300毫米(12英寸)
    的頭像 發(fā)表于 03-20 09:07 ?403次閱讀
    EV集團(tuán)推出面向<b class='flag-5'>300</b><b class='flag-5'>毫米</b><b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>的下<b class='flag-5'>一</b>代GEMINI?全自動(dòng)生產(chǎn)<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>鍵合系統(tǒng),推動(dòng)MEMS<b class='flag-5'>制造</b>升級(jí)

    芯片制造的畫布:的奧秘與使命

    芯片制造的畫布 芯片制造的畫布:的奧秘與使命 在芯片
    的頭像 發(fā)表于 03-10 17:04 ?484次閱讀

    日本Sumco宮崎工廠硅計(jì)劃停產(chǎn)

    日本硅制造商Sumco宣布,將在2026年底前停止宮崎工廠的硅生產(chǎn)。 Sumco報(bào)告稱,主要用于消費(fèi)、工業(yè)和汽車應(yīng)用的小直徑
    的頭像 發(fā)表于 02-20 16:36 ?440次閱讀

    英飛凌首批采用200毫米工藝制造的SiC器件成功交付

    眾所周知,幾乎所有 SiC 器件都是在 150 毫米制造的,使用更大的存在重大挑戰(zhàn)。從
    的頭像 發(fā)表于 02-19 11:16 ?468次閱讀

    制造及直拉法知識(shí)介紹

    一個(gè)工藝過程:及其制造過程。 ? 為什么制造
    的頭像 發(fā)表于 01-09 09:59 ?1137次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>制造</b>及直拉法知識(shí)介紹

    半導(dǎo)體制造工藝流程

    步,它通常采用的方法是化學(xué)氣相沉積(CVD)或物理氣相沉積(PVD)。該過程的目的是在單晶硅上制造層高純度的薄層,這就是半導(dǎo)體芯片的原料。第二步:
    的頭像 發(fā)表于 12-24 14:30 ?3233次閱讀
    半導(dǎo)體<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>制造</b>工藝流程

    背面涂敷工藝對(duì)的影響

    、概述 背面涂敷工藝是在背面涂覆層特定的材料,以滿足封裝過程中的各種需求。這種工藝不
    的頭像 發(fā)表于 12-19 09:54 ?620次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>背面涂敷工藝對(duì)<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>的影響

    /晶粒/芯片之間的區(qū)別和聯(lián)系

    (Si)或其他半導(dǎo)體材料制成。的形狀般是圓形的薄片,厚度般在幾百微米到幾毫米之間,表面經(jīng)過精密的處理,使其足夠光滑,并具備優(yōu)良的晶體
    的頭像 發(fā)表于 11-26 11:37 ?1790次閱讀

    利用全息技術(shù)在硅內(nèi)部制造納米結(jié)構(gòu)的新方法

    表面外,內(nèi)部還有足夠的空間可用于微結(jié)構(gòu)制造。該研究團(tuán)隊(duì)的工作,為直接在硅內(nèi)部進(jìn)行納米
    的頭像 發(fā)表于 11-18 11:45 ?731次閱讀

    去除表面顆粒的原因及方法

    本文簡單介去除表面顆粒的原因及方法。   在12寸(300毫米)晶圓廠中,清洗是個(gè)
    的頭像 發(fā)表于 11-11 09:40 ?1109次閱讀

    詳解不同級(jí)封裝的工藝流程

    在本系列第七篇文章中,介紹了級(jí)封裝的基本流程。本篇文章將側(cè)重介紹不同級(jí)封裝方法所涉及的各
    的頭像 發(fā)表于 08-21 15:10 ?2952次閱讀
    詳解不同<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>級(jí)</b>封裝的工藝流程

    碳化硅和硅的區(qū)別是什么

    。而硅是傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料,具有成熟的制造工藝和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。 制造工藝: 碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 08-08 10:13 ?3029次閱讀