在智能電源和感知技術領域，美國納斯達克上市的安森美公司（onsemi，股票代碼：ON）再次展現(xiàn)其技術實力。近日，該公司正式發(fā)布了第7代1200VQDual3絕緣柵雙極晶體管（IGBT）功率模塊，標志著電力電子領域又一大步的飛躍。

這款最新的QDual3模塊，在功率密度方面實現(xiàn)了顯著的提升，相較于同類產(chǎn)品，它能夠提供高達10%的輸出功率增長。其背后的核心技術是全新的場截止第7代（FS7）IGBT技術，不僅確保了高效的能量轉換，更為用戶帶來了更低的系統(tǒng)成本和更為簡潔的設計。

值得一提的是，當QDual3模塊應用于150千瓦的逆變器中時，其損耗相較于最接近的競品減少了200瓦（W），這意味著散熱器的尺寸可以大幅縮減，從而進一步降低了系統(tǒng)的整體成本和維護難度。

QDual3模塊不僅性能卓越，還具備出色的耐用性。專為惡劣環(huán)境下工作而設計，它特別適用于大功率變流器，如太陽能發(fā)電站的中央逆變器、儲能系統(tǒng)（ESS）、商用農(nóng)業(yè)車輛（CAV）以及工業(yè)電機驅動器。這些應用環(huán)境通常對設備的穩(wěn)定性和可靠性有著極高的要求，而QDual3模塊無疑能夠勝任這些挑戰(zhàn)。

為了滿足不同用戶的需求，安森美提供了兩種型號的QDual3模塊：NXH800H120L7QDSG和SNXH800H120L7QDSG。無論是哪種型號，都充分體現(xiàn)了安森美在智能電源和感知技術領域的深厚積累和創(chuàng)新能力。未來，我們有理由相信，安森美將繼續(xù)引領電力電子領域的發(fā)展潮流。