英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司近日正式向香港證券交易所遞交了首次公開募股（IPO）的上市申請，標志著這家全球氮化鎵功率半導體領域的領軍企業(yè)正式邁出了登陸資本市場的重要步伐。

英諾賽科以其強大的研發(fā)實力和全球領先的8英寸硅基氮化鎵晶圓生產(chǎn)能力而聞名，其主要產(chǎn)品覆蓋低高壓氮化鎵功率器件，廣泛應用于電子、通信等領域。據(jù)市場研究數(shù)據(jù)顯示，英諾賽科在全球氮化鎵功率半導體公司中收入排名第一，市場份額高達33.7%，充分證明了其在行業(yè)內(nèi)的領先地位。

然而，值得注意的是，盡管英諾賽科在市場份額和技術實力上表現(xiàn)出色，但近三年的財務數(shù)據(jù)顯示，公司虧損額達到67億元。這一數(shù)字引發(fā)了市場的廣泛關注和猜測。對此，英諾賽科在招股書中進行了詳細披露，表示虧損主要是由于公司持續(xù)加大在產(chǎn)能提升和研發(fā)方面的投入，以及償還貸款等因素所致。

對于此次IPO募資的用途，英諾賽科在招股書中明確表示，將主要用于產(chǎn)能的進一步提升、研發(fā)投入以及償還貸款等方面。這一策略旨在確保公司在未來能夠持續(xù)保持技術領先和市場優(yōu)勢，同時加強財務穩(wěn)健性，為公司的長期發(fā)展奠定堅實基礎。

英諾賽科的上市之路備受市場關注，其未來的發(fā)展動態(tài)也將對全球氮化鎵功率半導體行業(yè)產(chǎn)生深遠影響。