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基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET通過(guò)車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證,為汽車(chē)電子注入新動(dòng)力

CHANBAEK ? 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-06-26 17:58 ? 次閱讀
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近日,中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的佼佼者——基本半導(dǎo)體公司,再次在科技領(lǐng)域邁出堅(jiān)實(shí)步伐。該公司自主研發(fā)的1200V 80mΩ碳化硅MOSFET AB2M080120H成功通過(guò)了AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證,這一重要認(rèn)證不僅標(biāo)志著該產(chǎn)品在性能與可靠性上達(dá)到了汽車(chē)電子元器件在極端環(huán)境下的嚴(yán)苛要求,也進(jìn)一步擴(kuò)大了基本半導(dǎo)體在車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅功率器件領(lǐng)域的市場(chǎng)影響力。

AEC-Q101認(rèn)證是汽車(chē)電子行業(yè)公認(rèn)的權(quán)威認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn),要求被認(rèn)證產(chǎn)品必須能在高溫、高濕、振動(dòng)等極端條件下保持穩(wěn)定可靠的性能。AB2M080120H碳化硅MOSFET能夠成功通過(guò)這一認(rèn)證,充分展現(xiàn)了其在復(fù)雜環(huán)境下的出色表現(xiàn)。

據(jù)悉,AB2M080120H是基于基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET技術(shù)平臺(tái)研發(fā)的。該產(chǎn)品擁有低導(dǎo)通電阻、低導(dǎo)通損耗、低開(kāi)關(guān)損耗等顯著特點(diǎn),使得它能夠在車(chē)載OBC(車(chē)載充電器)、車(chē)載DCDC(直流轉(zhuǎn)換器)及汽車(chē)空調(diào)壓縮機(jī)等關(guān)鍵領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。

在汽車(chē)電子領(lǐng)域,高功率密度、高能效、高可靠性是產(chǎn)品設(shè)計(jì)的核心追求。AB2M080120H碳化硅MOSFET正是基于這些需求而研發(fā)的。它憑借卓越的性能和可靠性,為汽車(chē)行業(yè)帶來(lái)了更加高效、可靠的電力控制解決方案。

隨著新能源汽車(chē)市場(chǎng)的迅猛發(fā)展,對(duì)汽車(chē)電子元器件的要求也日益提高。碳化硅MOSFET作為一種高性能的電力控制器件,正逐漸成為新能源汽車(chē)中的關(guān)鍵組成部分?;景雽?dǎo)體此次推出的AB2M080120H碳化硅MOSFET,不僅滿(mǎn)足了行業(yè)對(duì)高功率密度、高能效、高可靠性的需求,也進(jìn)一步提升了公司在碳化硅功率器件領(lǐng)域的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

基本半導(dǎo)體作為一家專(zhuān)注于半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)的公司,一直致力于推動(dòng)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。此次AB2M080120H碳化硅MOSFET通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證,不僅是對(duì)公司技術(shù)實(shí)力的認(rèn)可,也是對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的一次重要推動(dòng)。

展望未來(lái),基本半導(dǎo)體將繼續(xù)加大研發(fā)投入,不斷推出更加先進(jìn)、可靠的半導(dǎo)體產(chǎn)品,為新能源汽車(chē)、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的發(fā)展提供更加堅(jiān)實(shí)的支持。同時(shí),公司也將積極與國(guó)際同行合作,共同推動(dòng)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的繁榮發(fā)展。

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