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新能源汽車(chē)48V車(chē)身電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)級(jí)解決方案詳解

江師大電信小希 ? 來(lái)源:江師大電信小希 ? 作者:江師大電信小希 ? 2024-07-18 15:51 ? 次閱讀
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智能化和電動(dòng)化是新能源汽車(chē)發(fā)展的重要方向,其對(duì)電能的需求也越來(lái)越高。除此之外,因?yàn)殡姵氐闹亓?,整個(gè)車(chē)比純?nèi)加推?chē)更重,這使設(shè)計(jì)者不得不增加車(chē)身執(zhí)行器的功率來(lái)提供更大的扭矩。但傳統(tǒng)的12V電池受限于電流和電池電量等原因,不能為整車(chē)提供無(wú)限大的電流。所以如同整車(chē)低壓供電電壓升到12V一樣,它還在繼續(xù)往上升,邁向48V,從而為整車(chē)提供更大的功率輸出和更高的能效。故越來(lái)越多的汽車(chē)廠家開(kāi)始關(guān)注48V系統(tǒng)執(zhí)行器的驅(qū)動(dòng)。

系統(tǒng)拓?fù)鋱D

為此,英飛凌在多年前開(kāi)始布局研發(fā)48V的相關(guān)芯片。考慮到目前成熟的針對(duì)12V BLDC高性?xún)r(jià)比控制平臺(tái)MOTIXTMMCU,英飛凌開(kāi)發(fā)了level shift 芯片TLE9140。它也是gate driver器件,相當(dāng)于直接替換了12V BLDC電機(jī)控制高集成芯片TLE987x和TLE989x的gate driver 部分,從而使他可以上升到48V BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)。該方案的另一個(gè)好處是客戶(hù)可以復(fù)用他們成熟的12V BLDC電機(jī)控制平臺(tái),降低開(kāi)發(fā)難度,縮短開(kāi)發(fā)周期,一個(gè)平臺(tái)兼容12V,24V和48V電機(jī)驅(qū)動(dòng)。


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MOTIXTMMCU

MOTIXTMMCU系列屬于SoC (System on Chip) 級(jí)產(chǎn)品,集成了MCU,LDO,gate driver,電流采樣和LIN收發(fā)器等模塊。針對(duì)BLDC電機(jī)控制,推薦TLE987x和TLE989x系列,(找元器件現(xiàn)貨上唯樣商城)其內(nèi)部框圖如下所示,前者是針對(duì)LIN通信方案,后者是針對(duì)CAN通信方案。詳細(xì)的信息和文檔,可以在英飛凌官網(wǎng)搜索TLE987x/TLE989x,或者直接訪(fǎng)問(wèn):www.infineon.com/tle987x或者www.infineon.com/tle989x。


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TLE987x內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖

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TLE989x內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖

48V系統(tǒng)Gate Driver

TLE9140是專(zhuān)門(mén)針對(duì)48V BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的gate driver芯片,同時(shí)兼容24V系統(tǒng),可以支持功能安全ASIL B級(jí)別應(yīng)用。除此之外,設(shè)計(jì)上考慮了匹配英飛凌MOTIXTMMCU。其耐壓高達(dá)100V,驅(qū)動(dòng)能力高達(dá)230nC,最大驅(qū)動(dòng)頻率25kHz。先進(jìn)的電流型gate driver可以幫助用戶(hù)通過(guò)修改寄存器配置,從而非常方便地修正驅(qū)動(dòng)波形,以匹配不同的MOSFET,無(wú)需修改硬件。除此之外,支持過(guò)壓,欠壓,過(guò)溫,短路,開(kāi)路,輸入錯(cuò)誤等故障檢測(cè)。還配備了窗式看門(mén)狗,進(jìn)一步提高系統(tǒng)安全性,確保軟件死機(jī)的情況下,及時(shí)關(guān)斷輸出。16位SPI通信配置控制寄存器和通過(guò)狀態(tài)寄存器獲取芯片當(dāng)前狀態(tài)和故障。詳細(xì)信息可以訪(fǎng)問(wèn)英飛凌官網(wǎng): www.infineon.com 并搜索“TLE9140”。

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TLE9140內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖

48V系統(tǒng)MOSFET

功率器件部分,英飛凌有非常全面的MOSFET的選擇。在OptiMOSTM5的基礎(chǔ)上研發(fā)了新一代OptiMOSTM7 溝槽MOSFET。針對(duì)48V應(yīng)用,可提供80V和100V 兩個(gè)電壓等級(jí)。新一代OptiMOSTM7的MOSFET采用尖端的雙多晶硅溝槽技術(shù)以及業(yè)界領(lǐng)先的300mm薄晶圓技術(shù)與生產(chǎn),如下圖所示,80V和100V的MOSFET導(dǎo)通電阻相比于前一代有40%的降低,遵循了英飛凌低RDSON,低導(dǎo)通損耗的發(fā)展宗旨。除此之外,新一代技術(shù)的MOSFET 具有更小的門(mén)極充電電荷,開(kāi)關(guān)速度更快,降低了開(kāi)關(guān)損耗。這兩大特點(diǎn)在電機(jī)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中優(yōu)勢(shì)較為明顯。


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英飛凌OptiMOSTM7也遵循明確的封裝策略,將無(wú)引腳封裝結(jié)合銅夾技術(shù)推向市場(chǎng),為滿(mǎn)足48V電機(jī)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用,80V和100V MOSFET包括了市場(chǎng)電機(jī)驅(qū)動(dòng)需要的熱門(mén)封裝:除了S3O8, SSO8單MOSFET, STOLL,TOLL封裝,另外還有100V SSO8雙MOSFET, 不同的封裝,不同的導(dǎo)通電阻,不同的電壓等級(jí)可以適用于幾十瓦到幾千瓦不同的功率等級(jí),完美地滿(mǎn)足了客戶(hù)的各類(lèi)需求。具體選型表可以訪(fǎng)問(wèn)英飛凌官網(wǎng),并搜索“Automotive MOSFET”。

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角度傳感器

雖然無(wú)傳感器控制,可以幫助客戶(hù)在有些應(yīng)用降低成本,例如水泵和冷卻風(fēng)扇。但在一些應(yīng)用中,為了更精準(zhǔn)的控制,客戶(hù)會(huì)用到電機(jī)轉(zhuǎn)子位置傳感器,例如油泵。英飛凌位置傳感器主要包括霍爾開(kāi)關(guān)和磁阻角度傳感器。

霍爾開(kāi)關(guān)的產(chǎn)品系列中,我們既為電池供電的設(shè)計(jì)提供了過(guò)壓能力高達(dá)42V(不加外部電阻的情況下),支持32V供電的TLE4961/TLE4964/TLE4968系列;也為EMC工況較好的設(shè)計(jì)提供了高性?xún)r(jià)比5V供電的TLE4963/TLE4965系列。用戶(hù)可以根據(jù)實(shí)際系統(tǒng)設(shè)計(jì)和磁場(chǎng)需求選擇合適的型號(hào)。詳細(xì)信息可以訪(fǎng)問(wèn)英飛凌官網(wǎng),并搜索“magnetic switch”。


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英飛凌霍爾開(kāi)關(guān)和鎖存器的產(chǎn)品序列

英飛凌還提供了各種基于磁阻效應(yīng)(GMR,AMR,TMR)的角度傳感器。我們既提供了計(jì)算完角度直接輸出數(shù)字量信號(hào)的傳感器TLE5012B/TLE5014,也提供了輸出sin/cos信號(hào)的模擬量輸出的傳感器TLE5x09/TLE5501。對(duì)于精度的改善,TLE5012B內(nèi)部帶自校準(zhǔn)算法;TLE5014內(nèi)部帶32點(diǎn)查找表補(bǔ)償;TLE5x09和TLE5501的補(bǔ)償算法可以集成在客戶(hù)的MCU內(nèi),從而降低系統(tǒng)成本和實(shí)現(xiàn)更高的精度??蛻?hù)可以根據(jù)實(shí)際需求選擇合適的產(chǎn)品,詳細(xì)信息可以訪(fǎng)問(wèn)英飛凌官網(wǎng),并搜索“angle sensor”。


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英飛凌基于磁阻效應(yīng)的角度傳感器搭配磁鐵的位置關(guān)系

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英飛凌基于磁阻效應(yīng)的汽車(chē)級(jí)角度傳感器的產(chǎn)品序列

評(píng)估板及系統(tǒng)方案驗(yàn)證

針對(duì)本文介紹的48V車(chē)身電機(jī)系統(tǒng)級(jí)驅(qū)動(dòng)方案,英飛凌開(kāi)發(fā)了對(duì)應(yīng)的評(píng)估板,實(shí)物圖如下所示。詳細(xì)信息可以訪(fǎng)問(wèn)英飛凌官網(wǎng),搜索:TLE9140EQW EVAL。


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電流波形


審核編輯 黃宇

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    的頭像 發(fā)表于 11-21 11:07 ?799次閱讀
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    的頭像 發(fā)表于 08-30 11:51 ?1579次閱讀
    Cyberchuck<b class='flag-5'>汽車(chē)</b>電子<b class='flag-5'>48V</b><b class='flag-5'>系統(tǒng)</b>浪涌保護(hù)<b class='flag-5'>方案</b>