(電子發(fā)燒友網(wǎng)報道 文/章鷹）“半導(dǎo)體解決方案是實現(xiàn)氣候目標的關(guān)鍵，英飛凌可以通過半導(dǎo)體解決方案，達到低碳化的效果。寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN，體積比較小，密度高，效能高，在解決氣候問題的時候可以發(fā)揮最優(yōu)效果。作為行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，英飛凌憑借持續(xù)的技術(shù)革新與市場布局，在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域發(fā)揮著引領(lǐng)作用，致力于滿足經(jīng)濟社會發(fā)展對于更高能效、更環(huán)保的半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求?！?月9日，英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技消費、計算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)負責(zé)人潘大偉在2024英飛凌寬禁帶論壇上表示。

英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技消費、計算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)負責(zé)人潘大偉

7月8日到10日，在慕尼黑上海電子展E4館內(nèi)，英飛凌展示了第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)品解決方案。記者探訪展臺的時候，看到如下方案：一是新一代碳化硅技術(shù)CoolSiCTM MOSFET的相關(guān)產(chǎn)品；二是用于2000V CoolSiCTM MOSFET的相關(guān)產(chǎn)品。展臺工作人員介紹，英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiCTM MOSFET Gen2技術(shù)，新產(chǎn)品與上一代產(chǎn)品相比，將MOSFET的主要性能指標（如能量和電荷儲量）提高了20%，顯著提升整體能效。

新一代碳化硅技術(shù)CoolSiCTM MOSFET

圖：用于2000V CoolSiCTM MOSFET 62mm模塊的半橋柵極驅(qū)動器評估板

Yole Group化合物半導(dǎo)體資深分析師邱柏順從行業(yè)分析的角度向與會者分享了全球碳化硅與氮化鎵市場最新發(fā)展趨勢及展望。

Yole Group化合物半導(dǎo)體資深分析師邱柏順

邱柏順指出，在全球追求綠色能源，減碳大目標下，全球能源領(lǐng)域有三大趨勢日益明顯：1、電氣化，任何東西都要變成電來驅(qū)動，什么樣的半導(dǎo)體可以帶來比較好的性能，2、使用綠色能源，包括光伏、風(fēng)電；3、使用器件達到更加節(jié)能的效果，新器件需要更高功率，系統(tǒng)功耗更小，碳排放量更小。

邱柏順分享最新Yole數(shù)據(jù)，到 2029 年，預(yù)計 WBG 將占全球電力電子市場的近 33%，其中 SiC 和 GaN 分別占 26.8% 和 6.3%。從消費電子、數(shù)據(jù)中心到新能源汽車帶動GaN市場需求的增長，2029年GaN的市場容量會達到22億美元，受到工業(yè)和汽車應(yīng)用的推動，SiC的市場容量2029年將達到100億美元。

英飛凌科技副總裁、英飛凌科技工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)市場營銷負責(zé)人沈璐

在接下來的《寬禁帶創(chuàng)新技術(shù)加速低碳化和數(shù)字化》主題演講中，英飛凌科技副總裁、英飛凌科技工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)市場營銷負責(zé)人沈璐表示，低碳化的背后是電氣化，不僅包括發(fā)電端，還包括用電端。根據(jù)國際能源署的預(yù)測，到2030年，全球?qū)τ诠夥b機量的總需求達到了5400吉瓦，這個數(shù)字相當(dāng)于2023年全球光伏裝機量的4倍。到2030年，全球新能源汽車將會達到5400萬輛，是2023年全球新能源汽車銷量的三倍左右?？稍偕茉匆约靶履茉窗l(fā)展剛剛開始啟航。她表示，英飛凌是全球功率系統(tǒng)的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者，在硅、碳化硅、氮化鎵領(lǐng)域有20多年的經(jīng)驗。技術(shù)、工藝、解決方案英飛凌都有豐富的經(jīng)驗。

英飛凌科技副總裁、英飛凌科技消費、計算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)市場營銷負責(zé)人劉偉

英飛凌科技副總裁、英飛凌科技消費、計算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)市場營銷負責(zé)人劉偉表示，基于在SiC領(lǐng)域的豐厚積累，英飛凌擁有40多年對SiC工藝制程、封裝和失效機理的理解，全球最大的8英寸碳化硅功率晶圓廠以及業(yè)界最廣泛的SiC產(chǎn)品組合、應(yīng)用市場、客戶群覆蓋。尤其是推出的新一代CoolSiCTM MOSFET Gen2技術(shù)，與上一代產(chǎn)品相比，將MOSFET的主要性能指標（如能量和電荷儲量）提高了20%，顯著提升整體能效。

他還強調(diào)英飛凌GaN為下一代電子產(chǎn)品注入動力。英飛凌的GaN產(chǎn)品包括高壓和中壓的BDS、感測、驅(qū)動和控制系列，可廣泛應(yīng)用于AI服務(wù)器、車載充電器（OBC）、光伏、電機控制、充電器和適配器等。比如在AI服務(wù)器領(lǐng)域，基于AI系統(tǒng)對更高功率的需求，進一步增加了半導(dǎo)體的使用量。

研發(fā)工程師在使用碳化硅設(shè)計和優(yōu)化自身方案時候，面對五大挑戰(zhàn)。在英飛凌看來，有哪些解決方案能幫助客戶？一、成本端，競爭會帶來更高效的產(chǎn)出。英飛凌擁有全球最大的8英寸碳化硅功率晶圓廠。二、英飛凌的碳化硅技術(shù)擁有長期清晰明確的技術(shù)迭代以及升級路線圖。三、規(guī)模，規(guī)模背后意味著更廣泛的產(chǎn)品組合，更明確的市場定位和市場覆蓋以及最終終端客戶的覆蓋。英飛凌具備業(yè)界最廣泛的SiC產(chǎn)品組合、應(yīng)用市場以及客戶群覆蓋。

在技術(shù)市場方面，英飛凌科技副總裁、英飛凌科技消費、計算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)技術(shù)市場負責(zé)人陳志豪和英飛凌科技高級技術(shù)總監(jiān)、英飛凌科技工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)技術(shù)市場負責(zé)人陳立烽則從技術(shù)應(yīng)用的角度介紹了英飛凌寬禁帶產(chǎn)品如何助力能源效率提升。如Si 、SiC 和GaN三種半導(dǎo)體材料器件的技術(shù)特性對比，指出雖然硅超級結(jié)在低開關(guān)頻率中占優(yōu)，但SiC和GaN終將主導(dǎo)新型拓撲結(jié)構(gòu)和高頻應(yīng)用；結(jié)合CoolSiC?和CoolGaN?的技術(shù)特性及優(yōu)勢，分別在不同領(lǐng)域的典型應(yīng)用案例，如在公共電源轉(zhuǎn)換（PCS）系統(tǒng)中采用SiC模塊，可實現(xiàn)>99%的效率，CoolGaN?雙向開關(guān)在微型逆變器中的應(yīng)用等。

7月9日下午，在碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）分論壇上，來自英飛凌及行業(yè)內(nèi)的近20位嘉賓，從市場趨勢、應(yīng)用方案、技術(shù)創(chuàng)新等多個維度為與會者呈現(xiàn)了兩場精彩的寬禁帶半導(dǎo)體知識盛宴。市場趨勢上，深入剖析了新能源汽車、光伏、儲能、服務(wù)器電源等關(guān)鍵領(lǐng)域?qū)捊麕О雽?dǎo)體需求的快速增長，同時，隨著技術(shù)的不斷成熟和成本的逐步下降，寬禁帶半導(dǎo)體將迎來更加廣闊的發(fā)展空間。

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