知名存儲品牌美光近日正式宣布，搭載其研發(fā)的第九代（G9）3D TLC NAND閃存技術的固態(tài)硬盤產品已然問世，并已批量上市，成為全球業(yè)內首家成功跨越此歷史性階段的制造商。該產品所采用的堆疊層數(shù)高達276層，數(shù)據傳輸速率達到驚人的3.6 GB/s，展現(xiàn)出卓越的NAND輸入/輸出（I/O）性能，完美滿足了人工智能（AI）以及其他各類數(shù)據密集型應用場景對高速吞吐能力的嚴苛要求，為用戶帶來無與倫比的使用體驗，無論是個人設備、邊緣服務器、企業(yè)級應用還是云數(shù)據中心都能游刃有余。

美光科技和產品執(zhí)行副總裁斯科特·德博爾（Scott DeBoer）對此表示：“美光G9 NAND技術的大規(guī)模量產充分展示了我們在制程工藝技術和設計創(chuàng)新領域的強大實力，為市場呈現(xiàn)出領先的密度水平，實現(xiàn)了更為緊湊且高效的存儲解決方案，為廣大消費者和企業(yè)帶來顯著的價值回報?！?/p>

相較于市場上現(xiàn)有同類型NAND解決方案，G9 NAND的每顆芯片寫入帶寬和讀取帶寬分別超出99%和88%，共同推動了固態(tài)硬盤和嵌入式NAND解決方案的性能與能效的大幅提升。與前一代NAND產品保持一致，G9 NAND同樣采用了11.5mm x 13.5mm的緊湊封裝設計，相較同類產品節(jié)省了28%的占用空間，堪稱優(yōu)秀的小尺寸、高密度NAND閃存設計典范。美光通過在更小的體積中實現(xiàn)更高的密度，極大拓展了各類應用場景的設計可能性。

此外，美光還推出了全新的2650系列固態(tài)硬盤產品，融合了最新的3D TLC NAND閃存技術。該系列產品采用單面芯片設計，支持PCIe 4.0×4接口，提供包括M.2 2230 / 2242 / 2280在內的多種外形規(guī)格供用戶選擇，最高順序讀取和順序寫入速度分別達到7000 MB/s和6000 MB/s，最高4K隨機讀取/寫入均達到1M IOPS，同時提供256GB、512GB和1TB三種容量版本，對應的總寫入字節(jié)數(shù)（TBW）分別為200TB、300TB和600TB。據悉，與同類競品相比，美光2650系列固態(tài)硬盤的連續(xù)讀取性能提高了70%，連續(xù)寫入性能飆升103%，隨機讀取性能更是躍升156%，隨機寫入性能也提升了85%。除面向客戶端OEM市場外，G9 NAND還將廣泛應用于客戶端組件和英睿達（Crucial）的固態(tài)硬盤消費類產品之中。