SK海力士即將亮相FMS 2024，展示AI存儲器技術(shù)新突破
SK海力士即將在8月6日至8日于美國圣克拉拉舉辦的全球半導(dǎo)體存儲器峰會FMS 2024上大放異彩，向全球業(yè)界展示其在存儲器技術(shù)領(lǐng)域的最新進(jìn)展與對人工智能（AI）未來的深邃洞察。此次參展，SK海力士不僅將全面呈現(xiàn)其存儲器產(chǎn)品的技術(shù)革新，更將焦點對準(zhǔn)了下一代AI存儲器技術(shù)的璀璨前景。
會上，SK海力士將自豪地揭開其下一代AI存儲器產(chǎn)品的神秘面紗，包括備受矚目的12層HBM3E樣品，該產(chǎn)品預(yù)計將于今年第三季度正式投入量產(chǎn)，其高性能與高效能特性將為AI計算領(lǐng)域帶來革命性變化。此外，SK海力士還將展示其前瞻性的研發(fā)成果——計劃于明年上半年推出的321層NAND閃存，這一技術(shù)突破預(yù)示著存儲密度的巨大飛躍，將為AI數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用提供更加堅實的支撐。
通過此次展示，SK海力士不僅彰顯了其在存儲器技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，更向全球傳遞了其在AI時代持續(xù)創(chuàng)新、引領(lǐng)未來的堅定信念。
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