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半導(dǎo)體知識(shí)百科:不可不知的50大專(zhuān)業(yè)名詞

北京中科同志科技股份有限公司 ? 2024-08-15 11:02 ? 次閱讀
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半導(dǎo)體行業(yè)中,掌握專(zhuān)業(yè)名詞對(duì)于從業(yè)者來(lái)說(shuō)至關(guān)重要。這些名詞不僅是行業(yè)交流的基礎(chǔ),更是理解和掌握相關(guān)技術(shù)、工藝及產(chǎn)品的關(guān)鍵。以下是半導(dǎo)體人必須知道的50個(gè)專(zhuān)業(yè)名詞解釋。

半導(dǎo)體(Semiconductor):導(dǎo)電性介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料,常用于制造電子器件和集成電路。

晶圓(Wafer):用于制造半導(dǎo)體器件的圓形硅片,是半導(dǎo)體生產(chǎn)的基礎(chǔ)材料。

制程(Process):半導(dǎo)體制造的工藝流程,包括光刻、刻蝕、離子注入、薄膜沉積等步驟。

光刻(Lithography):利用光敏材料和光源將電路圖案轉(zhuǎn)移到晶圓上的重要技術(shù)。

刻蝕(Etching):通過(guò)化學(xué)或物理方法去除晶圓表面特定部分,以形成電路圖案。

離子注入(Ion Implantation):將特定離子加速并注入晶圓中,改變材料的導(dǎo)電性能。

薄膜沉積(Thin Film Deposition):在晶圓表面形成薄膜的過(guò)程,用于構(gòu)建電路元件。

摻雜(Doping):在半導(dǎo)體材料中引入雜質(zhì)以改變其導(dǎo)電性。

氧化層(Oxide Layer):硅表面形成的二氧化硅層,提供電路元件間的隔離。

PN結(jié)(PN Junction):P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體之間的界面,具有單向?qū)щ娦浴?/p>

CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor):互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù),是現(xiàn)代集成電路的基石。

晶體管(Transistor):控制電流的電子器件,集成電路的基本單元。

集成電路(Integrated Circuit, IC):將多個(gè)電子元件集成在襯底上形成的微型電路。

封裝(Packaging):將集成電路封裝在保護(hù)殼內(nèi),以便與外部電路連接。

BGA(Ball Grid Array):一種表面貼裝技術(shù),使用球形引腳陣列進(jìn)行連接。

引腳(Pin):封裝后的集成電路與外部電路連接的金屬引腳。

芯片(Chip):封裝完成的集成電路,也稱(chēng)為微芯片或硅片。

ASIC(Application Specific Integrated Circuit):為特定應(yīng)用設(shè)計(jì)的集成電路。

FPGA(Field Programmable Gate Array):可在現(xiàn)場(chǎng)編程的邏輯門(mén)陣列。

SoC(System on a Chip):將多個(gè)系統(tǒng)組件集成在單一芯片上的技術(shù)。

DRAM(Dynamic Random Access Memory):需要定期刷新的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。

SRAM(Static Random Access Memory):不需要刷新的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。

Flash Memory:非易失性存儲(chǔ)器,可在無(wú)電源供電的情況下保存數(shù)據(jù)。

MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems):結(jié)合機(jī)械和電子元件的微型系統(tǒng)。

納米技術(shù)(Nanotechnology):在納米尺度上操作和制造材料的技術(shù)。

量子點(diǎn)(Quantum Dot):納米尺度的半導(dǎo)體材料,具有量子效應(yīng)。

摩爾定律(Moore's Law):預(yù)測(cè)半導(dǎo)體性能每18-24個(gè)月翻一番的規(guī)律。

電流(Leakage Current):在關(guān)斷狀態(tài)下,晶體管中仍然存在的微小電流。

閾值電壓(Threshold Voltage):使晶體管開(kāi)始導(dǎo)通的臨界電壓。

遷移率(Mobility):載流子在半導(dǎo)體中移動(dòng)的能力。

介電常數(shù)(Dielectric Constant):材料在電場(chǎng)中的介電性能。

電容(Capacitance):存儲(chǔ)電荷的能力。

電感(Inductance):產(chǎn)生電磁感應(yīng)的能力。

阻抗(Impedance):對(duì)交流電的阻礙作用,包括電阻、電感和電容的綜合效應(yīng)。

噪聲(Noise):電子系統(tǒng)中不希望的電信號(hào)干擾。

失真(Distortion):信號(hào)在傳輸或處理過(guò)程中發(fā)生的變形。

帶寬(Bandwidth):系統(tǒng)能夠傳輸或處理的頻率范圍。

放大器(Amplifier):增強(qiáng)信號(hào)幅度的電子器件或電路。

濾波器(Filter):允許某些頻率的信號(hào)通過(guò)而阻止其他頻率的信號(hào)。

振蕩器(Oscillator):產(chǎn)生周期性電信號(hào)的電路或器件。

模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC, Analog to Digital Converter):將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)的電路。

數(shù)模轉(zhuǎn)換器DAC, Digital to Analog Converter):將數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào)的電路。

時(shí)鐘頻率(Clock Frequency):數(shù)字電路中時(shí)鐘信號(hào)的頻率,決定電路的工作速度。

功耗(Power Consumption):電子設(shè)備在工作時(shí)消耗的電能。

散熱(Thermal Dissipation):將電子設(shè)備產(chǎn)生的熱量散發(fā)到周?chē)h(huán)境中。

ESD保護(hù)(ESD Protection):防止靜電放電對(duì)電子設(shè)備造成損害的措施。

可靠性(Reliability):電子設(shè)備在規(guī)定條件下長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定工作的能力。

測(cè)試覆蓋率(Test Coverage):測(cè)試用例覆蓋被測(cè)試軟件的程度。

失效模式與影響分析(FMEA, Failure Modes and Effects Analysis):分析系統(tǒng)中可能發(fā)生的故障及其影響的方法。

良率(Yield):在半導(dǎo)體生產(chǎn)過(guò)程中,合格產(chǎn)品的比例,是衡量生產(chǎn)效率和質(zhì)量的重要指標(biāo)。

掌握這些專(zhuān)業(yè)名詞,將有助于半導(dǎo)體行業(yè)從業(yè)者更深入地理解相關(guān)技術(shù)、工藝和產(chǎn)品,提高溝通效率和專(zhuān)業(yè)素養(yǎng)。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展,這些名詞和概念也將不斷更新和擴(kuò)展,因此持續(xù)學(xué)習(xí)和更新知識(shí)是至關(guān)重要的。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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