動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-04-18 13:39

  聚焦塑封集成電路：焊錫污染如何成為可靠性“絆腳石”？

  

  本文聚焦塑封集成電路焊錫污染問(wèn)題，闡述了焊錫污染發(fā)生的條件，分析了其對(duì)IC可靠性產(chǎn)生的多方面影響，包括可能導(dǎo)致IC失效、影響電化學(xué)遷移等。通過(guò)實(shí)際案例和理論解釋，深入探討了焊錫污染對(duì)封裝塑封體的不可恢復(fù)性及在特定條件下的再次失效情況。同時(shí)，針對(duì)SMT工程師提出了避免焊錫污染導(dǎo)致可靠性失效的建議，旨在為集成電路產(chǎn)業(yè)在生產(chǎn)制造過(guò)程中有效控制焊錫污染、提高產(chǎn)品質(zhì)量

  焊錫 芯片 集成電路封裝

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• 發(fā)布了文章 2025-04-14 13:49

  高密度系統(tǒng)級(jí)封裝：技術(shù)躍遷與可靠性破局之路

  

  本文聚焦高密度系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)，闡述其定義、優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用場(chǎng)景及技術(shù)發(fā)展，分析該技術(shù)在熱應(yīng)力、機(jī)械應(yīng)力、電磁干擾下的可靠性問(wèn)題及失效機(jī)理，探討可靠性提升策略，并展望其未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)，旨在為該領(lǐng)域的研究與應(yīng)用提供參考。

  半導(dǎo)體 芯片封裝

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• 發(fā)布了文章 2025-04-11 14:02

  芯片封裝中的四種鍵合方式：技術(shù)演進(jìn)與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用

  

  芯片封裝作為半導(dǎo)體制造的核心環(huán)節(jié)，承擔(dān)著物理保護(hù)、電氣互連和散熱等關(guān)鍵功能。其中，鍵合技術(shù)作為連接裸芯片與外部材料的橋梁，直接影響芯片的性能與可靠性。當(dāng)前，芯片封裝領(lǐng)域存在引線鍵合、倒裝芯片、載帶自動(dòng)鍵合和混合鍵合四種主流技術(shù)，它們?cè)诠に嚵鞒?、技術(shù)特點(diǎn)和應(yīng)用場(chǎng)景上各具優(yōu)勢(shì)。本文將深入剖析這四種鍵合方式的技術(shù)原理、發(fā)展現(xiàn)狀及未來(lái)趨勢(shì)，為產(chǎn)業(yè)界提供技術(shù)參考。

  半導(dǎo)體設(shè)備 芯片封裝

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• 發(fā)布了文章 2025-04-10 14:36

  從焊錫膏到3D堆疊：材料創(chuàng)新如何重塑芯片性能規(guī)則？

  

  在摩爾定律逼近物理極限的當(dāng)下，先進(jìn)封裝技術(shù)正成為半導(dǎo)體行業(yè)突破性能瓶頸的關(guān)鍵路徑。以系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）、晶圓級(jí)封裝（WLP）、3D堆疊、Chiplet異構(gòu)集成為代表的顛覆性方案，正重新定義芯片性能躍遷的軌跡。隨著AI芯片需求的爆發(fā)式增長(zhǎng)及臺(tái)積電CoWoS產(chǎn)能限制，先進(jìn)封裝材料作為產(chǎn)業(yè)鏈核心上游，其性能直接決定封裝密度、可靠性及功能性，成為推動(dòng)技術(shù)持續(xù)進(jìn)步的

  半導(dǎo)體封裝 焊錫膏 芯片

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• 發(fā)布了文章 2025-04-09 13:35

  功率半導(dǎo)體與集成技術(shù)：開(kāi)啟能源與智能新紀(jì)元

  

  本文深入探討了功率半導(dǎo)體器件與功率集成技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀，分析了其面臨的挑戰(zhàn)與機(jī)遇，并對(duì)未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了展望。功率半導(dǎo)體器件作為電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，在新能源、工業(yè)控制、消費(fèi)電子等領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，功率半導(dǎo)體器件正朝著高性能、高集成度、智能化方向發(fā)展，功率集成技術(shù)也日益成熟，為各行業(yè)帶來(lái)了更高的效率和可靠性。

  功率半導(dǎo)體 功率集成模塊 半導(dǎo)體設(shè)備

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• 發(fā)布了文章 2025-04-08 11:40

  先進(jìn)碳化硅功率半導(dǎo)體封裝：技術(shù)突破與行業(yè)變革

  

  本文聚焦于先進(jìn)碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)，闡述其基本概念、關(guān)鍵技術(shù)、面臨挑戰(zhàn)及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。碳化硅功率半導(dǎo)體憑借低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性，在移動(dòng)應(yīng)用功率密度提升的背景下，對(duì)封裝技術(shù)提出全新要求。先進(jìn)的封裝技術(shù)能夠充分發(fā)揮碳化硅器件的優(yōu)勢(shì)，提升功率模塊的性能與可靠性，推動(dòng)電力電子系統(tǒng)向更高效率、更高功率密度方向發(fā)展。

  功率半導(dǎo)體 半導(dǎo)體設(shè)備

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• 發(fā)布了文章 2025-04-07 11:32

  多芯片封裝：技術(shù)革新背后的利弊權(quán)衡

  

  多芯片封裝（MCP）技術(shù)通過(guò)將邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片、射頻芯片等異構(gòu)模塊集成于單一封裝體，已成為高性能計(jì)算、人工智能、5G通信等領(lǐng)域的核心技術(shù)。其核心優(yōu)勢(shì)包括性能提升、空間優(yōu)化、模塊化設(shè)計(jì)靈活性，但面臨基板制造、熱管理、電源傳輸?shù)汝P(guān)鍵挑戰(zhàn)。本文從技術(shù)原理、應(yīng)用場(chǎng)景、行業(yè)趨勢(shì)三個(gè)維度剖析MCP的利弊，揭示其在算力密度與可靠性之間的技術(shù)平衡難題。

  MCP 芯片封裝

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• 發(fā)布了文章 2025-04-02 10:59

  碳化硅VS硅基IGBT：誰(shuí)才是功率半導(dǎo)體之王？

  

  在半導(dǎo)體技術(shù)的不斷演進(jìn)中，功率半導(dǎo)體器件作為電力電子系統(tǒng)的核心組件，其性能與成本直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率與可靠性。碳化硅（SiC）功率模塊與硅基絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）功率模塊作為當(dāng)前市場(chǎng)上的兩大主流產(chǎn)品，各自擁有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)與應(yīng)用場(chǎng)景。那么，碳化硅功率模塊與硅基IGBT功率模塊相比，究竟誰(shuí)更勝一籌？碳化硅是否會(huì)取代硅基IGBT成為未來(lái)的主流？本文將從多

  IGBT 功率半導(dǎo)體 半導(dǎo)體設(shè)備 碳化硅 芯片封裝

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• 發(fā)布了文章 2025-03-31 13:56

  靜電卡盤(pán)：半導(dǎo)體制造中的隱形冠軍

  

  在半導(dǎo)體制造的精密工藝流程中，每一個(gè)零部件都扮演著至關(guān)重要的角色，而靜電卡盤(pán)（Electrostatic Chuck，簡(jiǎn)稱E-Chuck）無(wú)疑是其中的佼佼者。作為固定晶圓的關(guān)鍵設(shè)備，靜電卡盤(pán)以其獨(dú)特的靜電吸附原理、高精度的溫度控制能力以及廣泛的適用性，在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域發(fā)揮著不可替代的作用。

  半導(dǎo)體制造 晶圓

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• 發(fā)布了文章 2025-03-28 11:43

  深入了解氣密性芯片封裝，揭秘其背后的高科技

  

  在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天，芯片封裝作為連接設(shè)計(jì)與制造的橋梁，其重要性日益凸顯。而氣密性芯片封裝，作為封裝技術(shù)中的一種高端形式，更是因其能夠有效隔絕外界環(huán)境對(duì)芯片的干擾和損害，保障芯片性能與可靠性，而備受業(yè)界關(guān)注。本文將深入探討氣密性芯片封裝的技術(shù)原理、應(yīng)用場(chǎng)景、挑戰(zhàn)與未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。

  芯片封裝 集成電路

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