動態(tài)
-
發(fā)布了文章 2024-12-06 16:25
-
發(fā)布了文章 2024-12-05 10:39
-
發(fā)布了文章 2024-12-04 12:48
-
發(fā)布了文章 2024-12-02 15:49
-
發(fā)布了文章 2024-11-29 15:34
-
發(fā)布了文章 2024-11-28 13:11
-
發(fā)布了文章 2024-11-27 09:54
碳化硅外延技術(shù):解鎖第三代半導(dǎo)體潛力
碳化硅(Silicon Carbide, SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的代表,以其優(yōu)異的物理和化學(xué)特性,在電力電子、光電子、射頻器件等領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大的應(yīng)用潛力。在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中,外延技術(shù)作為連接襯底與器件制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié),其質(zhì)量和性能直接決定著碳化硅器件的整體表現(xiàn)。本文將深入探討碳化硅外延技術(shù)的核心地位、技術(shù)特點(diǎn)、應(yīng)用挑戰(zhàn)以及未來發(fā)展趨勢。1.5k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2024-11-26 14:39
-
發(fā)布了文章 2024-11-25 10:42
-
發(fā)布了文章 2024-11-22 11:43