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• 發(fā)布了文章 2025-01-03 12:56

  倒裝封裝（Flip Chip）工藝：半導(dǎo)體封裝的璀璨明星！

  

  在半導(dǎo)體技術(shù)的快速發(fā)展中，封裝技術(shù)作為連接芯片與外部世界的橋梁，其重要性不言而喻。其中，倒裝封裝（Flip Chip）工藝以其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和廣泛的應(yīng)用前景，成為當(dāng)前半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的一顆璀璨明星。本文將深入解析倒裝封裝工藝的原理、優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用以及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。

  倒裝芯片 半導(dǎo)體封裝 焊盤(pán) 集成電路

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• 發(fā)布了文章 2025-01-02 12:46

  探秘GaN功率半導(dǎo)體封裝：未來(lái)趨勢(shì)一網(wǎng)打盡！

  

  隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件在電力電子、射頻通信等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。其中，氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體器件以其高電子遷移率、高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻等優(yōu)異特性，成為了當(dāng)前研究的熱點(diǎn)。然而，GaN功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)異性能要想得到充分發(fā)揮，離不開(kāi)先進(jìn)的封裝技術(shù)。本文將深入探討GaN功率半導(dǎo)體器件的封裝技術(shù)，分析其面臨的挑戰(zhàn)、現(xiàn)有的解決方案以及未來(lái)的發(fā)展趨

  GaN 功率半導(dǎo)體 芯片封裝

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• 發(fā)布了文章 2024-12-31 10:57

  一文讀懂系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)技術(shù)：定義、應(yīng)用與前景

  

  隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)技術(shù)作為一種創(chuàng)新的集成電路封裝方式，正逐漸成為半導(dǎo)體行業(yè)中的關(guān)鍵一環(huán)。SiP技術(shù)通過(guò)將多個(gè)集成電路(IC)和無(wú)源元件高度集成于單一封裝體內(nèi)，實(shí)現(xiàn)了功能完整、協(xié)同工作的系統(tǒng)單元。本文將詳細(xì)介紹SiP技術(shù)的定義、關(guān)鍵工藝、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。

  SiP 晶圓 系統(tǒng)級(jí)封裝

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• 發(fā)布了文章 2024-12-30 11:22

  全方位解析碳化硅：應(yīng)用廣泛的高性能材料！

  

  碳化硅（SiC），又稱碳硅石，是當(dāng)代C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟(jì)的一種。它以其優(yōu)異的物理和化學(xué)性質(zhì)，在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)了不可替代的優(yōu)勢(shì)。本文將深入探討碳化硅的性質(zhì)、制備工藝、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)。

  SiC 材料 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2024-12-27 14:11

  長(zhǎng)周期認(rèn)證下的IGBT封裝：先發(fā)企業(yè)的優(yōu)勢(shì)與后來(lái)者的困境

  

  絕緣柵雙極晶體管（IGBT）功率模塊是現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的核心組件，廣泛應(yīng)用于新能源發(fā)電、電動(dòng)汽車、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。然而，IGBT功率模塊的封裝技術(shù)卻面臨著諸多挑戰(zhàn)。本文將從材料選擇、熱管理、可靠性、工藝控制等方面詳細(xì)探討IGBT功率模塊封裝面臨的主要問(wèn)題。

  IGBT 半導(dǎo)體封裝 封裝 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2024-12-26 13:58

  Chiplet技術(shù)革命：解鎖半導(dǎo)體行業(yè)的未來(lái)之門(mén)

  

  隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，芯片設(shè)計(jì)和制造面臨著越來(lái)越大的挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)的單芯片系統(tǒng)（SoC）設(shè)計(jì)模式在追求高度集成化的同時(shí)，也面臨著設(shè)計(jì)復(fù)雜性、制造成本、良率等方面的瓶頸。而Chiplet技術(shù)的出現(xiàn)，為這些問(wèn)題提供了新的解決方案。本文將詳細(xì)解析Chiplet技術(shù)的原理、優(yōu)勢(shì)以及其在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用前景。

  chiplet 半導(dǎo)體 芯片封裝

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• 發(fā)布了文章 2024-12-25 13:08

  納米銀燒結(jié)技術(shù)：SiC半橋模塊的性能飛躍

  

  隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展，碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料，以其優(yōu)異的物理和化學(xué)性能在高壓、高頻、高溫等惡劣環(huán)境下展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。尤其在雷達(dá)陣面高功率密度的需求下，SiC寬禁帶半導(dǎo)體器件逐步取代傳統(tǒng)硅功率器件。然而，SiC功率器件的高結(jié)溫和高功率特性對(duì)封裝技術(shù)提出了更高的要求。納米銀燒結(jié)技術(shù)作為一種先進(jìn)的界面互連技術(shù)，以其低溫?zé)Y(jié)、高溫使用的優(yōu)點(diǎn)

  SiC 半導(dǎo)體材料 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2024-12-24 12:58

  揭秘功率半導(dǎo)體背后的封裝材料關(guān)鍵技術(shù)

  

  功率半導(dǎo)體器件在現(xiàn)代電子設(shè)備和系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。它們具有高效能、快速開(kāi)關(guān)、耐高溫等優(yōu)勢(shì)，被廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域，如電力電子、電動(dòng)汽車、可再生能源等。功率半導(dǎo)體器件的封裝材料作為連接芯片與外部世界的橋梁，其選擇與應(yīng)用直接關(guān)系到半導(dǎo)體器件的性能表現(xiàn)、可靠性以及整體系統(tǒng)的穩(wěn)定性。隨著功率半導(dǎo)體器件向大規(guī)模集成化、大功率小型化、高效率低損耗、超高頻等方向發(fā)展

  功率半導(dǎo)體 封裝材料 電子設(shè)備

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• 發(fā)布了文章 2024-12-23 11:30

  氣密性封裝挑戰(zhàn)與未來(lái)：科技守護(hù)者的進(jìn)化之路

  

  在當(dāng)今高度集成化的電子世界中，芯片封裝作為連接芯片與外部世界的橋梁，其重要性不言而喻。而在眾多封裝技術(shù)中，氣密性封裝因其獨(dú)特的保護(hù)性能，在軍事、航空航天等高可靠性領(lǐng)域扮演著至關(guān)重要的角色。本文將深入探討氣密性芯片封裝技術(shù)，從其定義、重要性、材料選擇、工藝流程，到面臨的挑戰(zhàn)與未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)，全面剖析這一技術(shù)的核心魅力。

  密封 芯片 芯片封裝

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• 發(fā)布了文章 2024-12-21 10:14

  原子鐘芯片封裝挑戰(zhàn)重重，真空共晶爐如何應(yīng)對(duì)？

  

  在現(xiàn)代科技高速發(fā)展的今天，時(shí)間精度成為了許多領(lǐng)域不可或缺的關(guān)鍵因素。原子鐘，作為時(shí)間頻率標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備的巔峰之作，以其極高的頻率精度，在航空航天、數(shù)字通信、網(wǎng)絡(luò)授時(shí)、廣播電視、鐵路交通、電力傳遞等系統(tǒng)中扮演著基礎(chǔ)性支撐角色。然而，傳統(tǒng)原子鐘體積龐大、重量重、功耗高，難以滿足日益增長(zhǎng)的便攜化和微型化需求。近年來(lái)，隨著半導(dǎo)體技術(shù)和微電子學(xué)的飛速發(fā)展，國(guó)產(chǎn)芯片級(jí)微型原子

  原子鐘 真空 芯片封裝

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