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• 發(fā)布了文章 2025-03-08 10:53

  連接器電鍍金屬大揭秘：銅、鎳、錫、金誰最強(qiáng)？

  

  在電子設(shè)備的制造過程中，連接器作為連接不同電路或組件的橋梁，其性能和可靠性至關(guān)重要。而電鍍作為提升連接器性能的關(guān)鍵工藝之一，通過在不同金屬表面鍍上一層或多層金屬，可以顯著改善連接器的導(dǎo)電性、耐腐蝕性和機(jī)械性能。在眾多電鍍金屬中，銅、鎳、錫、金是連接器電鍍中最常用的幾種金屬。本文將詳細(xì)介紹這四種金屬的特性及其在連接器電鍍中的應(yīng)用，并探討為何在某些情況下焊接區(qū)域

  電子設(shè)備 電鍍 連接器

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• 發(fā)布了文章 2025-03-07 11:43

  我國首發(fā)8英寸氧化鎵單晶，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎新突破！

  

  2025年3月5日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導(dǎo)體”）宣布，成功發(fā)布全球首顆第四代半導(dǎo)體氧化鎵8英寸單晶。這一重大突破不僅標(biāo)志著我國在超寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域取得了國際領(lǐng)先地位，也為我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的全面發(fā)展帶來了新的機(jī)遇和動力。一、氧化鎵8英寸單晶的技術(shù)突破與意義氧化鎵（Ga?O?）作為第四代半導(dǎo)體材料的代表，具有超寬的禁帶寬度（約4.8eV），遠(yuǎn)

  半導(dǎo)體 氧化鎵 芯片封裝

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• 發(fā)布了文章 2025-03-06 11:11

  真空共晶爐加熱板怎么選？全面解析助您決策

  

  在高科技制造領(lǐng)域，真空共晶爐作為一種關(guān)鍵的焊接設(shè)備，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體封裝、微電子組件連接等高精度、高可靠性的焊接場景中。而加熱板作為真空共晶爐的核心部件之一，其性能直接影響著焊接質(zhì)量、生產(chǎn)效率和設(shè)備穩(wěn)定性。因此，在選擇真空共晶爐加熱板時，必須綜合考慮多個因素，以確保選擇到最適合自身需求的加熱板。

  焊接設(shè)備 電加熱板 芯片封裝

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• 發(fā)布了文章 2025-03-05 10:53

  碳化硅SiC芯片封裝：銀燒結(jié)與銅燒結(jié)設(shè)備的技術(shù)探秘

  

  隨著碳化硅（SiC）功率器件在電力電子領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，其高效、耐高壓、高溫等特性得到了業(yè)界的廣泛認(rèn)可。然而，要充分發(fā)揮SiC芯片的性能優(yōu)勢，封裝技術(shù)起著至關(guān)重要的作用。在SiC芯片封裝過程中，銀燒結(jié)和銅燒結(jié)技術(shù)因其獨特的優(yōu)勢，成為業(yè)界關(guān)注的焦點。本文將深入探討碳化硅SiC芯片封裝中的銀燒結(jié)與銅燒結(jié)設(shè)備技術(shù)，分析其技術(shù)原理、應(yīng)用優(yōu)勢、市場現(xiàn)狀以及未來發(fā)展趨勢。

  SiC 碳化硅 芯片

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• 發(fā)布了文章 2025-03-04 10:52

  深入探索：晶圓級封裝Bump工藝的關(guān)鍵點

  

  隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，晶圓級封裝（WLP）作為先進(jìn)封裝技術(shù)的重要組成部分，正逐漸成為集成電路封裝的主流趨勢。在晶圓級封裝過程中，Bump工藝扮演著至關(guān)重要的角色。Bump，即凸塊，是晶圓級封裝中實現(xiàn)芯片與外部電路電氣連接的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)。本文將深入解析晶圓級封裝Bump工藝的關(guān)鍵點，探討其技術(shù)原理、工藝流程、關(guān)鍵參數(shù)以及面臨的挑戰(zhàn)和解決方案。

  wlp 封裝 晶圓

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• 發(fā)布了文章 2025-03-03 11:34

  50%新型HPC擁抱多芯片設(shè)計：性能飛躍的新篇章

  

  在當(dāng)今這個數(shù)據(jù)爆炸的時代，高性能計算（HPC）已經(jīng)成為推動科技進(jìn)步、產(chǎn)業(yè)升級和經(jīng)濟(jì)社會發(fā)展的重要力量。從天氣預(yù)報、基因測序到新能源開發(fā)、航空航天，HPC的應(yīng)用領(lǐng)域日益廣泛，對計算性能的需求也日益增長。為了滿足這種需求，HPC系統(tǒng)不斷在架構(gòu)、處理器、存儲和網(wǎng)絡(luò)等方面進(jìn)行創(chuàng)新和優(yōu)化。其中，多芯片設(shè)計作為一種新興的技術(shù)趨勢，正在逐漸被越來越多的HPC系統(tǒng)所采用。近

  HPC 芯片封裝 芯片設(shè)計

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• 發(fā)布了文章 2025-02-28 10:48

  真空回流焊接中高鉛錫膏、板級錫膏等區(qū)別探析

  

  在電子制造領(lǐng)域，回流焊接技術(shù)是一種至關(guān)重要的工藝，它確保電子元器件與印刷電路板（PCB）之間的可靠連接。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，各種類型的錫膏應(yīng)運而生，以滿足不同應(yīng)用場景的需求。其中，高鉛錫膏和板級錫膏作為回流焊接中的關(guān)鍵材料，各自具有獨特的特點和應(yīng)用場景。本文將深入探討真空回流焊接中高鉛錫膏、板級錫膏等區(qū)別，以期為電子制造行業(yè)提供有價值的參考。

  回流焊 電子制造 芯片封裝

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• 發(fā)布了文章 2025-02-27 11:05

  新型功率器件真空回流焊焊接空洞的探析及解決方案

  

  隨著5G時代的到來，電子技術(shù)向著高功率、高密度和集成化的方向發(fā)展，對于大功率器件的封裝，如IGBT、MOS、大功率LED等，也相應(yīng)地對焊接材料提出了更高的、更全面的可靠性需求。其中，焊接空洞問題成為影響功率器件性能和可靠性的關(guān)鍵因素之一。真空回流焊技術(shù)作為一種先進(jìn)的焊接方法，在解決新型功率器件焊接空洞問題上展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。本文將深入探討新型功率器件真空回流焊

  功率器件 半導(dǎo)體封裝 回流焊

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• 發(fā)布了文章 2025-02-25 11:26

  真空共晶爐加熱板熱膨脹系數(shù)探究

  

  在微電子封裝、半導(dǎo)體制造以及精密儀器制造等領(lǐng)域，真空共晶爐作為一種關(guān)鍵設(shè)備，扮演著至關(guān)重要的角色。真空共晶爐加熱板作為其核心部件之一，其性能直接影響到共晶焊接的質(zhì)量與效率。而加熱板的熱膨脹系數(shù)，作為評估其性能的關(guān)鍵指標(biāo)之一，對于確保焊接過程中的尺寸穩(wěn)定性和可靠性具有重要意義。本文將深入探討真空共晶爐加熱板的熱膨脹系數(shù)，包括其定義、影響因素、對焊接質(zhì)量的影響以

  半導(dǎo)體制造 精密儀器 芯片封裝

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• 發(fā)布了文章 2025-02-24 11:17

  納米銅燒結(jié)為何完勝納米銀燒結(jié)？

  

  在半導(dǎo)體功率模塊封裝領(lǐng)域，互連技術(shù)一直是影響模塊性能、可靠性和成本的關(guān)鍵因素。近年來，隨著納米技術(shù)的快速發(fā)展，納米銀燒結(jié)和納米銅燒結(jié)技術(shù)作為兩種新興的互連技術(shù)，備受業(yè)界關(guān)注。然而，在眾多應(yīng)用場景中，納米銅燒結(jié)技術(shù)逐漸展現(xiàn)出其獨特的優(yōu)勢，甚至在某些方面被認(rèn)為完勝納米銀燒結(jié)。本文將深入探討納米銅燒結(jié)技術(shù)為何能夠在這一領(lǐng)域脫穎而出。

  功率模塊 半導(dǎo)體 封裝技術(shù)

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