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• 發(fā)布了文章 2025-04-08 11:40

  先進(jìn)碳化硅功率半導(dǎo)體封裝：技術(shù)突破與行業(yè)變革

  

  本文聚焦于先進(jìn)碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)，闡述其基本概念、關(guān)鍵技術(shù)、面臨挑戰(zhàn)及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。碳化硅功率半導(dǎo)體憑借低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性，在移動(dòng)應(yīng)用功率密度提升的背景下，對(duì)封裝技術(shù)提出全新要求。先進(jìn)的封裝技術(shù)能夠充分發(fā)揮碳化硅器件的優(yōu)勢(shì)，提升功率模塊的性能與可靠性，推動(dòng)電力電子系統(tǒng)向更高效率、更高功率密度方向發(fā)展。

  功率半導(dǎo)體 半導(dǎo)體設(shè)備

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• 發(fā)布了文章 2025-04-07 11:32

  多芯片封裝：技術(shù)革新背后的利弊權(quán)衡

  

  多芯片封裝（MCP）技術(shù)通過(guò)將邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片、射頻芯片等異構(gòu)模塊集成于單一封裝體，已成為高性能計(jì)算、人工智能、5G通信等領(lǐng)域的核心技術(shù)。其核心優(yōu)勢(shì)包括性能提升、空間優(yōu)化、模塊化設(shè)計(jì)靈活性，但面臨基板制造、熱管理、電源傳輸?shù)汝P(guān)鍵挑戰(zhàn)。本文從技術(shù)原理、應(yīng)用場(chǎng)景、行業(yè)趨勢(shì)三個(gè)維度剖析MCP的利弊，揭示其在算力密度與可靠性之間的技術(shù)平衡難題。

  MCP 芯片封裝

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• 發(fā)布了文章 2025-04-02 10:59

  碳化硅VS硅基IGBT：誰(shuí)才是功率半導(dǎo)體之王？

  

  在半導(dǎo)體技術(shù)的不斷演進(jìn)中，功率半導(dǎo)體器件作為電力電子系統(tǒng)的核心組件，其性能與成本直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率與可靠性。碳化硅（SiC）功率模塊與硅基絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）功率模塊作為當(dāng)前市場(chǎng)上的兩大主流產(chǎn)品，各自擁有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)與應(yīng)用場(chǎng)景。那么，碳化硅功率模塊與硅基IGBT功率模塊相比，究竟誰(shuí)更勝一籌？碳化硅是否會(huì)取代硅基IGBT成為未來(lái)的主流？本文將從多

  IGBT 功率半導(dǎo)體 半導(dǎo)體設(shè)備 碳化硅 芯片封裝

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• 發(fā)布了文章 2025-03-31 13:56

  靜電卡盤(pán)：半導(dǎo)體制造中的隱形冠軍

  

  在半導(dǎo)體制造的精密工藝流程中，每一個(gè)零部件都扮演著至關(guān)重要的角色，而靜電卡盤(pán)（Electrostatic Chuck，簡(jiǎn)稱(chēng)E-Chuck）無(wú)疑是其中的佼佼者。作為固定晶圓的關(guān)鍵設(shè)備，靜電卡盤(pán)以其獨(dú)特的靜電吸附原理、高精度的溫度控制能力以及廣泛的適用性，在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域發(fā)揮著不可替代的作用。

  半導(dǎo)體制造 晶圓

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• 發(fā)布了文章 2025-03-28 11:43

  深入了解氣密性芯片封裝，揭秘其背后的高科技

  

  在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天，芯片封裝作為連接設(shè)計(jì)與制造的橋梁，其重要性日益凸顯。而氣密性芯片封裝，作為封裝技術(shù)中的一種高端形式，更是因其能夠有效隔絕外界環(huán)境對(duì)芯片的干擾和損害，保障芯片性能與可靠性，而備受業(yè)界關(guān)注。本文將深入探討氣密性芯片封裝的技術(shù)原理、應(yīng)用場(chǎng)景、挑戰(zhàn)與未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。

  芯片封裝 集成電路

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• 發(fā)布了文章 2025-03-27 10:49

  新型SIC功率芯片：性能飛躍，引領(lǐng)未來(lái)電力電子！

  

  隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展，對(duì)功率半導(dǎo)體器件的性能要求日益提高。碳化硅（Silicon Carbide，簡(jiǎn)稱(chēng)SiC）作為一種第三代半導(dǎo)體材料，因其寬禁帶、高臨界擊穿電場(chǎng)、高電子飽和遷移速率和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性，在功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。近年來(lái)，新型SIC功率芯片的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制造技術(shù)取得了顯著進(jìn)展，為電力電子系統(tǒng)的高效、可靠運(yùn)行提供了有力支持。

  功率芯片 半導(dǎo)體設(shè)備 芯片封裝

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• 發(fā)布了文章 2025-03-26 12:59

  IC封裝產(chǎn)線(xiàn)分類(lèi)詳解：金屬封裝、陶瓷封裝與先進(jìn)封裝

  

  在集成電路（IC）產(chǎn)業(yè)中，封裝是不可或缺的一環(huán)。它不僅保護(hù)著脆弱的芯片，還提供了與外部電路的連接接口。隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，IC封裝技術(shù)也在不斷創(chuàng)新和進(jìn)步。本文將詳細(xì)探討IC封裝產(chǎn)線(xiàn)的分類(lèi)，重點(diǎn)介紹金屬封裝、陶瓷封裝以及先進(jìn)封裝等幾種主要類(lèi)型。

  IC封裝 先進(jìn)封裝 半導(dǎo)體設(shè)備

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• 發(fā)布了文章 2025-03-25 13:19

  深度解讀：真空共晶爐加熱板的材質(zhì)與性能關(guān)系

  

  在半導(dǎo)體封裝、微電子器件制造等領(lǐng)域，真空共晶爐是一種至關(guān)重要的設(shè)備，它利用真空環(huán)境和精確的溫度控制，實(shí)現(xiàn)器件之間的高質(zhì)量焊接。而加熱板作為真空共晶爐的核心部件之一，其材質(zhì)和性能直接影響到焊接的質(zhì)量和效率。本文將深入探討真空共晶爐加熱板的選擇及其區(qū)別，以期為相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員和決策者提供參考。

  半導(dǎo)體設(shè)備 導(dǎo)熱 電加熱板

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• 發(fā)布了文章 2025-03-24 11:27

  不只依賴(lài)光刻機(jī)！芯片制造的五大工藝大起底！

  

  在科技日新月異的今天，芯片作為數(shù)字時(shí)代的“心臟”，其制造過(guò)程復(fù)雜而精密，涉及眾多關(guān)鍵環(huán)節(jié)。提到芯片制造，人們往往首先想到的是光刻機(jī)這一高端設(shè)備，但實(shí)際上，芯片的成功制造遠(yuǎn)不止依賴(lài)光刻機(jī)這一單一工具。本文將深入探討芯片制造的五大關(guān)鍵工藝，揭示這些工藝如何協(xié)同工作，共同鑄就了現(xiàn)代芯片的輝煌。

  半導(dǎo)體封裝 晶圓

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• 發(fā)布了文章 2025-03-22 10:14

  HBM新技術(shù)，橫空出世：引領(lǐng)內(nèi)存芯片創(chuàng)新的新篇章

  

  隨著人工智能、高性能計(jì)算（HPC）以及數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的快速發(fā)展，對(duì)內(nèi)存帶寬和容量的需求日益增長(zhǎng)。傳統(tǒng)的內(nèi)存技術(shù)，如DDR和GDDR，已逐漸難以滿(mǎn)足這些新興應(yīng)用對(duì)高性能、低延遲和高能效的嚴(yán)苛要求。正是在這樣的背景下，高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，以其獨(dú)特的3D堆疊架構(gòu)和TSV（硅通孔）技術(shù)，為內(nèi)存芯片行業(yè)帶來(lái)了前所未有的創(chuàng)新。

  HBM 內(nèi)存芯片 半導(dǎo)體設(shè)備

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