開關(guān)電源芯片U8608集成高壓E-Mode GaN FET,為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率,芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路,驅(qū)動電壓為VDRV (典型值 6.25V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計難點,為此U8608通過DEM管腳集成了驅(qū)動電流分檔配置功能。如下圖所示,通過配置DEM管腳分壓電阻值,可以選擇不同檔位的驅(qū)動電流,進(jìn)而調(diào)節(jié)GaN FET的開通速度,系統(tǒng)設(shè)計者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。具體分壓電阻值可參照參數(shù)表。
在滿載和重載工況下,系統(tǒng)工作在QR工作模式,可以大幅降低系統(tǒng)的開關(guān)損耗。芯片根據(jù)FB電壓值調(diào)節(jié)谷底個數(shù),同時為了避免系統(tǒng)在臨界負(fù)載處的FB電壓波動導(dǎo)致谷底數(shù)跳變,產(chǎn)生噪音,開關(guān)電源芯片U8608采用了谷底鎖定工作模式,在負(fù)載一定的情況下,導(dǎo)通谷底數(shù)穩(wěn)定,系統(tǒng)無噪音。
U8608一旦檢測到故障,包含VDD過壓保護(hù)、過溫保護(hù)、輸入過欠壓保護(hù)、輸出過壓保護(hù)、異常過流保護(hù)等,開關(guān)電源芯片U8608立即停止開關(guān)動作并進(jìn)入計時狀態(tài),同時VDD電壓被高壓供電電路鉗位到VVDD_REG_ST (典型值 12V),經(jīng)過TRECOVERY (典型值 1.3s) 時間后如果故障仍然存在,那么系統(tǒng)將繼續(xù)重復(fù)一個計時動作,如果故障狀態(tài)消失,系統(tǒng)將重新啟動。
開關(guān)電源芯片U8608系列還集成輕載SR應(yīng)力優(yōu)化功能,在驅(qū)動電流配置為第一、第二、第四檔位時,當(dāng)芯片工作于輕載模式時,將原邊開通速度減半,減小空載時SR的Vds應(yīng)力過沖。U8608采用峰值電流控制模式,可以自適應(yīng)的工作在QR和降頻工作模式,從而實現(xiàn)全負(fù)載功率范圍內(nèi)的效率優(yōu)化。
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原文標(biāo)題:集成E-GaN的QR模式PSR反激功率開關(guān)電源芯片U8608
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