1.引言
碳化硅(SiC)功率器件是近年來半導體行業(yè)中的重要發(fā)展方向。相比傳統(tǒng)的硅(Si)功率器件,SiC功率器件具有更高的耐高溫、高壓和高頻性能,廣泛應用于電力電子、汽車電子、工業(yè)控制和新能源等領域。本文將探討碳化硅功率器件的優(yōu)越性能、應用場景及其未來發(fā)展趨勢。
2.碳化硅功率器件的優(yōu)越性能
碳化硅是一種寬禁帶半導體材料,其禁帶寬度約為3.26eV,而硅的禁帶寬度僅為1.12eV。寬禁帶賦予SiC許多優(yōu)異的物理特性,包括:
2.1高擊穿電場強度
碳化硅的擊穿電場強度約為硅的十倍,這意味著SiC功率器件可以在更高的電壓下工作,同時保持較小的器件尺寸。這使得SiC功率器件在高壓應用中具有顯著優(yōu)勢,如高壓直流輸電和電動汽車的逆變器。
2.2高熱導率
碳化硅的熱導率約為硅的三倍,這使得SiC功率器件在高溫環(huán)境下具有更好的散熱性能和更高的可靠性。高熱導率減少了散熱器的需求,簡化了系統(tǒng)設計,降低了整體成本。
2.3高飽和電子漂移速度
碳化硅的飽和電子漂移速度是硅的兩倍以上,這意味著SiC功率器件可以在高頻率下工作,適用于開關頻率較高的應用場景,如無線充電、通信基站和開關電源。
2.4耐高溫性能
碳化硅具有極高的熱穩(wěn)定性,可在高達600°C的環(huán)境中工作,而傳統(tǒng)硅器件的最高工作溫度一般不超過150°C。這使得SiC功率器件在高溫工業(yè)環(huán)境和航空航天領域具有獨特優(yōu)勢。
3.碳化硅功率器件的應用
3.1電動汽車
在電動汽車(EV)中,SiC功率器件被廣泛應用于逆變器、車載充電器和電池管理系統(tǒng)中。SiC器件的高效率和高功率密度有助于提高電動汽車的續(xù)航里程和充電速度,同時減少系統(tǒng)體積和重量。
3.2新能源
在光伏逆變器和風力發(fā)電系統(tǒng)中,SiC功率器件能夠顯著提高能量轉換效率,降低能量損耗。其高耐壓和高可靠性使得SiC器件在大功率新能源系統(tǒng)中得到了廣泛應用。
3.3工業(yè)控制
在工業(yè)自動化和電機驅動領域,SiC功率器件的高頻開關性能和高效能量轉換特性提高了系統(tǒng)的響應速度和控制精度,降低了能量損耗和系統(tǒng)的運營成本。
3.4通信基站
隨著5G通信技術的發(fā)展,對高頻、大功率器件的需求增加。SiC功率器件在高頻通信設備中的應用,顯著提高了系統(tǒng)的功率密度和熱管理能力,支持更高速率和更大容量的信號傳輸。
4.技術發(fā)展與未來趨勢
4.1制造工藝的進步
SiC功率器件的制造工藝正在不斷改進,如外延生長技術、離子注入和退火工藝等。這些技術的進步將進一步提高SiC器件的性能和可靠性,降低生產成本,推動其在更廣泛領域的應用。
4.2模塊化設計
未來的SiC功率器件將更加模塊化,集成更多的功能,如集成驅動電路和保護電路等。這將簡化系統(tǒng)設計,提高系統(tǒng)的集成度和可靠性。
4.3市場需求的增長
隨著新能源汽車、可再生能源和5G通信等市場的快速增長,對SiC功率器件的需求也將大幅增加。各大半導體廠商將加大對SiC技術的投資和研發(fā)力度,推動其在更廣泛領域的應用。
4.4標準化和兼容性
隨著SiC功率器件的應用越來越廣泛,標準化和兼容性問題變得越來越重要。行業(yè)標準的制定和兼容性測試的開展,將促進SiC功率器件在不同系統(tǒng)和應用中的互操作性和普及度。
5.結論
碳化硅功率器件憑借其優(yōu)異的電氣和熱學性能,在高壓、高頻和高溫應用中展現(xiàn)出巨大的優(yōu)勢。其在電動汽車、新能源、工業(yè)控制和通信等領域的廣泛應用,正推動著現(xiàn)代電子技術的進步和革新。隨著制造工藝的不斷進步和市場需求的增長,碳化硅功率器件的未來發(fā)展前景將更加廣闊,成為電子技術發(fā)展的核心驅動力之一。
無錫國晶微半導體技術有限公司是寬禁帶第三代半導體碳化硅SiC功率器件、氮化鎵GaN光電器件以及常規(guī)集成電路研發(fā)及產業(yè)化的高科技創(chuàng)新型企業(yè),從事碳化硅場效應管,碳化硅肖特基二極管、GaN光電光耦繼電器、單片機集成電路等產品芯片設計、生產與銷售并提供相關產品整體方案設計配套服務,總部位于江蘇省無錫市高新技術開發(fā)區(qū)內,并在杭州、深圳和香港設有研發(fā)中心和銷售服務支持中心及辦事處。
公司具有國內領先的研發(fā)實力,專注于為客戶提供高效能、低功耗、低阻值、品質穩(wěn)定的碳化硅高低功率器件及光電集成電路產品,同時提供一站式的應用解決方案和現(xiàn)場技術支持服務,使客戶的系統(tǒng)性能優(yōu)異、靈活可靠,并具有成本競爭力。
公司的碳化硅功率器件涵蓋650V/2A-100A,1200V/2A-90A,1700V/5A-80A等系列,產品已經投入批量生產,產品完全可以對標國際品牌同行的先進品質及水平。先后推出全電流電壓等級碳化硅肖特基二極管、通過工業(yè)級、車規(guī)級可靠性測試的碳化硅MOSFET系列產品,性能達到國際先進水平,應用于太陽能逆變電源、新能源電動汽車及充電樁、智能電網(wǎng)、高頻電焊、軌道交通、工業(yè)控制特種電源、國防軍工等領域。由于其具有高速開關和低導通電阻的特性,即使在高溫條件下也能體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性,大幅降低開關損耗,使元器件更小型化及輕量化,效能更高效,提高系統(tǒng)整體可靠性,可使電動汽車在續(xù)航里程提升10%,整車重量降低5%左右,并實現(xiàn)設計用充電樁的高溫環(huán)境下安全、穩(wěn)定運行。
特別在高低壓光耦半導體技術方面更是擁有業(yè)內領先的研發(fā)團隊。在國內創(chuàng)先設計開發(fā)了28nm光敏光柵開關PVG芯片技術,并成功量產應用于60V、400V、600V高低壓、低內阻、低電容的光電耦合繼電器芯片、涵蓋1500kVrmsSOP超小封裝及3750kVrms隔離增強型常規(guī)SMD、DIP等不同封裝,單路、雙路、混合雙路、常開常閉等電路產品,另包括200VSOIMOS/LIGBT集成芯片、100VCMOS/LDMOS集成芯片、8bit及32bit單片機等集成電路產品,均獲得市場及各重點科研單位、檢測機構的新產品認定。
公司核心研發(fā)團隊中大部分工程師擁有碩士及以上學位,并有多名博士主持項目的開發(fā)。公司建立了科技創(chuàng)新和知識產權管理的規(guī)范體系,在電路設計、半導體器件及工藝設計、可靠性設計、器件模型提取等方面積累了眾多核心技術,擁有多項國際、國內自主發(fā)明專利。
“國之重器,從晶出發(fā),自強自主,成就百年”是國晶微半導體的企業(yè)目標,我們?yōu)閱T工提供精彩的發(fā)展空間,為客戶提供精良的產品服務,我們真誠期待與您攜手共贏未來。
-
半導體
+關注
關注
335文章
28342瀏覽量
230147 -
功率器件
+關注
關注
42文章
1875瀏覽量
91802 -
碳化硅
+關注
關注
25文章
2967瀏覽量
49898
原文標題:碳化硅功率器件:現(xiàn)代電子技術的核心
文章出處:【微信號:國晶微第三代半導體碳化硅SiC,微信公眾號:國晶微第三代半導體碳化硅SiC】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
評論