米勒平臺(tái)造成的對(duì)管開啟
以下文章來源于Snail隨筆 ，作者Snail
在MOS管的上下橋驅(qū)動(dòng)中，有這種現(xiàn)象。如下圖，一個(gè)管子處在米勒平臺(tái)的時(shí)候，會(huì)給另一個(gè)管子的Vgs電壓充電。我用的這個(gè)管子的閾值電壓最小值是1.4V，這就有可能會(huì)導(dǎo)致上下兩個(gè)管直通。這是MOS管的固有現(xiàn)象，只能減小，不能消除。下面分析原因。
如下圖所示的電路示意圖，在X3米勒平臺(tái)的時(shí)候，X3已經(jīng)開始導(dǎo)通，VBAT通過通過X3給X4的寄生電容C9，C8充電。這是X3開啟的時(shí)候，X4的Vgs有電壓的原因。
解決思路：通過降低R2，加快C8的泄放速度。如果這招還不能有效降低到閾值電壓以下，還可以通過加大驅(qū)動(dòng)電阻R4，延長(zhǎng)米勒平臺(tái)時(shí)間。增加C8電壓的泄放時(shí)間。整改后的波形如下圖所示：是在1.2V左右，低于MOS管的最小閾值電壓。避免誤導(dǎo)通。
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原文標(biāo)題：米勒平臺(tái)造成的對(duì)管開啟
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