全球領先的硅智財供貨商円星科技（M31 Technology Corporation，簡稱M31）于今日宣布，其ONFI5.1 I/O IP于臺積電5奈米（N5）制程平臺上完成硅驗證，同時3奈米ONFI6.0 IP也已進行至開發(fā)階段。此次產(chǎn)品發(fā)表適逢M31參加臺積電2024年北美開放創(chuàng)新平臺（Open Innovation Platform, OIP）生態(tài)系統(tǒng)論壇之際，展現(xiàn)了M31與臺積電多年來緊密合作，共同推動半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)進步的重要成果。值得一提的是，M31更于會中獲頒「臺積電OIP硅智財伙伴獎」，這是M31連續(xù)七年榮獲此殊榮，反映M31在技術(shù)創(chuàng)新與質(zhì)量上的卓越表現(xiàn)。

M31的ONFI5.1 I/O IP在數(shù)據(jù)傳輸速度上的效能尤為突出，藉由臺積電5奈米制程技術(shù)，該IP成功達到了3600MT/s的傳輸速率，已達ONFI5.1規(guī)范的峰值性能。此高效能傳輸速率不僅能大幅提升數(shù)據(jù)訪問速度，對于大數(shù)據(jù)處理和密集運算環(huán)境中的系統(tǒng)效能更有顯著貢獻。

此外，M31的ONFI5.1 I/O IP不僅在速度上具備優(yōu)勢，還整合了多項先進設計技術(shù)，以確保信號傳輸?shù)姆€(wěn)定性和電源管理的完整性。透過創(chuàng)新的設計架構(gòu)，該IP能夠有效降低延遲并提升數(shù)據(jù)傳輸?shù)目煽啃?，進一步提升整體存儲系統(tǒng)的效能與穩(wěn)定性。同時，更具備先進的電源管理技術(shù)，能實現(xiàn)最佳的能源使用效率，并延長存儲設備的使用壽命。此設計不僅確保了高效能的運行，更能大幅降低功耗，滿足市場對低功耗高效能解決方案的需求。

M31總經(jīng)理張原熏表示：「我們很榮幸能在臺積電OIP生態(tài)系統(tǒng)論壇上推出最新的5奈米ONFI5.1 I/O IP，展現(xiàn)M31持續(xù)致力于引領先進半導體技術(shù)應用，并滿足全球存儲市場日益增長的需求。5奈米制程硅驗證的成功，進一步印證了我們推動技術(shù)創(chuàng)新和實現(xiàn)商業(yè)價值的能力，未來，我們將持續(xù)推動包括ONFI6.0在內(nèi)的下一代技術(shù)發(fā)展，致力于提供全球市場頂尖的數(shù)據(jù)存儲解決方案?！?/p>

臺積電設計建構(gòu)管理處負責人Dan Kochpatcharin表示：「臺積電持續(xù)與M31等OIP生態(tài)系統(tǒng)伙伴密切合作，透過我們最先進的制程技術(shù)，協(xié)助客戶加速創(chuàng)新并提升系統(tǒng)效能。透過這樣的深度合作，我們能夠提供更具競爭力的設計方案，幫助客戶實現(xiàn)下一代SoC的高效能設計?！?/p>