自舉電容，內(nèi)部高端MOS需要得到高出IC的VCC的電壓，通過(guò)自舉電路升壓得到，比VCC高的電壓，否則，高端MOS無(wú)法驅(qū)動(dòng)。自舉是指通過(guò)開(kāi)關(guān)電源MOS管和電容組成的升壓電路,通過(guò)電源對(duì)電容充電致其電壓高于VCC。最簡(jiǎn)單的自舉電路由一個(gè)電容構(gòu)成，為了防止升高后的電壓回灌到原始的輸入電壓，會(huì)加一個(gè)Diode.自舉的好處在于利用電容兩端電壓不能突變的特性來(lái)升高電壓。舉個(gè)例子來(lái)說(shuō)，如果MOS的Drink極電壓為12V，Source極電壓原為0V，Gate極驅(qū)動(dòng)電壓也為12V，那么當(dāng)MOS在導(dǎo)通瞬間，Soure極電壓會(huì)升高為Drink減壓減去一個(gè)很小的導(dǎo)通壓降，那么Vgs電壓會(huì)接近于0V，MOS在導(dǎo)通瞬間后又會(huì)關(guān)斷，再導(dǎo)通，再關(guān)斷……。如此下去，長(zhǎng)時(shí)間在MOS的Drink極與Source間通過(guò)的是一個(gè)N倍于工作頻率的高頻脈沖，這樣的脈沖尖峰在MOS上會(huì)產(chǎn)生過(guò)大的電壓應(yīng)力，很快MOS管會(huì)被損壞。如果在MOS的Gate與Source間接入一個(gè)小電容，在MOS未導(dǎo)通時(shí)給電容充電，在MOS導(dǎo)通，Source電壓升高后，自動(dòng)將Gate極電壓升高，便可使MOS保持繼續(xù)導(dǎo)通。