1月18日，作為天字一號(hào)代工廠臺(tái)積電舉辦投資者大會(huì)。即將在今年6月退休的公司董事長(zhǎng)張忠謀稱，預(yù)計(jì)臺(tái)積電2018年收入將增長(zhǎng)10-15％，驅(qū)動(dòng)力來(lái)自HPC高性能計(jì)算、IoT物聯(lián)網(wǎng)、汽車駕駛等方面。

臺(tái)積電還披露了7nm工藝進(jìn)展，稱已經(jīng)獲得了50多家客戶的訂單，涵蓋智能手機(jī)、游戲主機(jī)、處理器、AI應(yīng)用、比特幣礦機(jī)等等，遠(yuǎn)遠(yuǎn)甩開(kāi)了死對(duì)頭三星。

張忠謀宣稱，臺(tái)積電已經(jīng)拿到了7nm 100％的市場(chǎng)份額，暗示三星7nm還沒(méi)有一份訂單。根據(jù)此前消息，無(wú)論是高通未來(lái)新旗艦(驍龍855?)，還是蘋果下一代芯片(A12?)，都將獨(dú)家交給臺(tái)積電7nm工藝代工？

臺(tái)積電預(yù)計(jì)，7nm將在今年第二季度投入量產(chǎn)，第四季度達(dá)到最大產(chǎn)能，收入貢獻(xiàn)比例也將達(dá)到10％。

高通7nm情歸臺(tái)積電？

我們知道高通驍龍810是臺(tái)積電代工，之后的每一代驍龍8系芯片都是由三星代工，包括驍龍820、驍龍835和驍龍845等。

據(jù)《日經(jīng)新聞》報(bào)道，明年上市的驍龍845處理器將采用三星第二代10nm制造工藝，即“10LPP”。該工藝較第一代10nm技術(shù)“10LPE”在性能方面將提高10%。

這可能是三星最后一次代工高通驍龍8系芯片，《日經(jīng)新聞》透露，由于三星的制造技術(shù)相對(duì)落后，高通驍龍855移動(dòng)處理器將由臺(tái)積電代工。

消息人士指出，三星在2018年還無(wú)法使用7納米制造工藝，取而代之的是“8LPP”制造工藝，該工藝雖然比第二代10nm制造工藝先進(jìn)，但是無(wú)法抗衡臺(tái)積電的7納米制造工藝，這也正是高通重新?lián)肀_(tái)積電的原因。

當(dāng)然，報(bào)道還表示，如果三星的7nm工藝成熟時(shí)，高通也有可能會(huì)重新?tīng)渴秩恰Ｄ壳皝?lái)看，高通驍龍855交由臺(tái)積電代工是妥妥的了。

雖然日前市場(chǎng)傳出高通有強(qiáng)烈的愿望要將7nm的訂單轉(zhuǎn)向臺(tái)積電， 但是目前7nm光罩仍未定案，代表7nm產(chǎn)品的藍(lán)圖可能出現(xiàn)了變量。不過(guò)還是有很大可能性的。

比特大陸考慮導(dǎo)入臺(tái)積電7nm工藝

比特大陸今年向臺(tái)積電下單量逾10萬(wàn)片，且制程從原本的16nm，推向12nm制程，近期更考慮導(dǎo)入臺(tái)積電最先進(jìn)的7nm制程，以提升挖礦芯片效能，大舉推升臺(tái)積電7nm產(chǎn)出量，以致外界開(kāi)始關(guān)注是否排擠到其他原本采用7nm客戶訂單

不過(guò)臺(tái)積電昨天保持沉默，但釋出將全力支持這批來(lái)自大陸的嬌客的態(tài)度，主因這批龐大的訂單，補(bǔ)足了高端智能手機(jī)銷售不佳所導(dǎo)致訂單下滑的缺口。

臺(tái)積電表示，包括比特大陸等虛擬客戶，臺(tái)積電早在三年前就歸列在新興客戶平臺(tái)下配合，后來(lái)隨訂單成長(zhǎng)，才列入高速運(yùn)算計(jì)算機(jī)平臺(tái)，去年下半年虛擬貨幣大漲，目前已躍居臺(tái)積電重要客戶群之列，且客戶數(shù)持續(xù)增加中。

臺(tái)積電估計(jì)，去年高速運(yùn)算業(yè)績(jī)比重約20%，預(yù)期今年高速運(yùn)算業(yè)績(jī)比重可望達(dá)25%；業(yè)界預(yù)估，臺(tái)積電今年高速運(yùn)算業(yè)績(jī)可望較去年增加37.5%至43.75%，成長(zhǎng)力道強(qiáng)勁，其中最大關(guān)鍵，就是來(lái)自比特大陸的訂單。

臺(tái)積電去年受惠比特大陸等下單量大增，大陸客戶營(yíng)收占比由前年的9%增至11%，看好今年可持續(xù)大幅成長(zhǎng)。

原因這些客戶的下單量，年增率都在數(shù)倍以上，但今年來(lái)自大陸客戶營(yíng)收占比，有多少來(lái)自大陸的虛擬貨幣客戶，臺(tái)積電則不對(duì)外透露細(xì)節(jié)。

博通7nm 人工智能平臺(tái)選擇臺(tái)積電

日前新聞指出，博通推出已獲硅認(rèn)證（silicon-proven）的7納米IP核，將以特殊應(yīng)用芯片（ASIC）搶攻當(dāng)紅的人工智能（AI）、5G及高寬帶網(wǎng)絡(luò)等市場(chǎng)。 博通為客戶打造的7納米ASIC去年底完成設(shè)計(jì)定案，博通也說(shuō)明將把7納米ASIC晶圓代工及CoWoS封裝訂單交由臺(tái)積電負(fù)責(zé)。

臺(tái)積電7nm制程領(lǐng)先同業(yè)，繼業(yè)界傳出蘋果新一代A12應(yīng)用處理器、AMD新一代Vega繪圖芯片、高通新一代Snapdragon手機(jī)芯片等，均將采用臺(tái)積電7nm制程投片外， 博通也確定將采用臺(tái)積電7納米制程打造ASIC平臺(tái)，搶進(jìn)需求強(qiáng)勁的AI及高速網(wǎng)絡(luò)等市場(chǎng)。

博通基于臺(tái)積電7nm制程打造ASIC平臺(tái)，并宣布領(lǐng)先業(yè)界推出7nm制程硅認(rèn)證的IP核，其中包括高速序列串行解串器（SerDes）、第二代及第三代高帶寬內(nèi)存物理層（HBM Gen2/Gen3 PHY）、 芯片堆棧物理層（Die2Die PHY）、混合訊號(hào)及基礎(chǔ)型硅智財(cái)?shù)取?至于ASIC平臺(tái)處理器核心則采用ARM核心及外圍IP核。

博通的7納米ASIC除了鎖定深度學(xué)習(xí)等AI應(yīng)用，以及搶進(jìn)高效能運(yùn)算（HPC）芯片市場(chǎng)外，也將采用臺(tái)積電CoWoS先進(jìn)封裝技術(shù)將HBM Gen2/Gen3等內(nèi)存直接整合在芯片當(dāng)中。 至于高速SerDes IP核則有助于打造高速交換器或路由器應(yīng)用芯片，以及完成支持5G高速及寬帶網(wǎng)絡(luò)的系統(tǒng)單芯片。 博通表示，為主要前期客戶打造的7納米ASIC在去年底已完成設(shè)計(jì)定案。

對(duì)臺(tái)積電來(lái)說(shuō)，7nm是今年?duì)I運(yùn)重頭戲，預(yù)計(jì)相關(guān)產(chǎn)能今年中完成建置后，投片量會(huì)在第2季后快速拉升。 臺(tái)積電共同CEO魏哲家在上周法人說(shuō)明會(huì)指出，臺(tái)積電7納米已有10款芯片完成設(shè)計(jì)定案，第2季后將可進(jìn)入量產(chǎn)階段，而第1季預(yù)估還會(huì)有另外10款7納米芯片完成設(shè)計(jì)定案，今年底7納米芯片設(shè)計(jì)定案數(shù)量將超過(guò)50個(gè)， 主要應(yīng)用包括移動(dòng)設(shè)備、游戲、中央處理器、可程序邏輯門陣列（FPGA）、網(wǎng)通及AI等。

臺(tái)積電預(yù)期今年上半年以美元計(jì)算營(yíng)收將較去年同期成長(zhǎng)略高于15％，下半年?duì)I收將較去年同期成長(zhǎng)略低于10％。 業(yè)界表示，以臺(tái)積電第1季預(yù)估營(yíng)收將介于84～85億美元情況來(lái)計(jì)算，第2季營(yíng)收表現(xiàn)將略低于第1季達(dá)83～84億美元，而第3季開(kāi)始認(rèn)列7nm營(yíng)收后，營(yíng)收可望跳增至90億美元以上，不排除第4季單季營(yíng)收有上看100億美元的可能。

華為海思7nm首選臺(tái)積電

過(guò)去幾年，臺(tái)積電為是華為海思16nm和10nm解決方案的唯一代工合作伙伴。據(jù)了解，HiSilicon在未來(lái)將與臺(tái)積電保持與制造7nm芯片的關(guān)系，但同時(shí)，他們正在尋找一個(gè)第二來(lái)源供應(yīng)商，以確保其7nm解決方案的足夠的生產(chǎn)能力。

來(lái)源指出，三星打算通過(guò)將其代工服務(wù)與OLED面板，DRAM和NAND閃存芯片等組件資源捆綁在一起，從HiSilicon吸引7nm芯片訂單。不過(guò)，由于HiSilicon認(rèn)為三星作為智能手機(jī)SoC市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，這種策略可能會(huì)失敗。

消息人士指出，如果以美國(guó)為基地的代工廠可以利用來(lái)自IBM的一些知識(shí)產(chǎn)權(quán)專利技術(shù)實(shí)現(xiàn)的技術(shù)支持，那么Globalfoundries將有更好的機(jī)會(huì)獲得HiSilicon的7nm芯片訂單。

據(jù)了解，英特爾憑借其10nm工藝技術(shù)積極爭(zhēng)取來(lái)自HiSilicon的芯片訂單。英特爾宣稱其10nm技術(shù)的密度約為每平方毫米1億個(gè)晶體管，業(yè)界人士認(rèn)為這相當(dāng)于臺(tái)積電和三星的7nm工藝節(jié)點(diǎn)。

賽靈思7nm芯片依賴臺(tái)積電

在去年9月，臺(tái)積電宣布將與Xilinx、ARM、Cadence Design Systems聯(lián)手打造全球第一款7nm工藝的新品，他們要做的是一款CCIX(Cache Coherent Interconnect for Accelerators)加速器轉(zhuǎn)速緩存互聯(lián)一致性測(cè)試芯片，采用臺(tái)積電7nm FinFET工藝打造，預(yù)計(jì)在今年第一季度流片。

這個(gè)測(cè)試芯片是用來(lái)展現(xiàn)CCIX的各項(xiàng)功能，正面多核心高效能ARM CPU能通過(guò)互聯(lián)架構(gòu)與芯片外的FPGA加速器同步工作，同時(shí)臺(tái)積電也用它來(lái)測(cè)試自己的7nm工藝。這顆芯片將采用ARM v8.2 with DynamIQ核心，使用CMN-600總線與芯片內(nèi)部其他設(shè)備互聯(lián)，Cadence公司將提供CCIX、DDR4內(nèi)存控制器、PCI-E 3.0/4.0控制器以及包括I2C、SPI、QSPI在內(nèi)的周邊IP以及相關(guān)的IP控制器。測(cè)試芯片通過(guò)CCIX芯片對(duì)芯片互聯(lián)一致協(xié)定，可連接X(jué)ilinx的16nm Virtex UltraScale+ FPGA。

臺(tái)積電的10nm工藝現(xiàn)在只針對(duì)手機(jī)的低功耗領(lǐng)域，而7nm FinFET工藝可以囊括高性能或低功耗等各種不同的需求，對(duì)臺(tái)積電來(lái)說(shuō)是相當(dāng)重要的一個(gè)節(jié)點(diǎn)，第一個(gè)版本的CLN 7FF保證可以把功耗降低60%，核心面積縮小70%，到了2019年會(huì)推出融入EUV極紫外光刻的CLN 7FF+版本，進(jìn)一步提升晶體管的集成度、效能與良品率。

話說(shuō)這個(gè)7nm的CCIX雖說(shuō)會(huì)在今年Q1流片，但是正式量產(chǎn)要等到2018下半年才行，所以臺(tái)積電的7nm至少還得等好一會(huì)。

而根據(jù)張忠謀在日前的法說(shuō)會(huì)上提到，臺(tái)積電的7nm客戶已經(jīng)達(dá)到了50多家，對(duì)于三星來(lái)說(shuō)，需要想個(gè)法子應(yīng)對(duì)臺(tái)積電的這種進(jìn)擊了。