電子發(fā)燒友網綜合報道 據多方消息來源推測，三星電子可能取消原計劃于 2027 年量產的 1.4nm（FS1.4）晶圓代工工藝。三星在 “Samsung Foundry Forum 2022” 上首次公開了 SF1.4（1.4nm 級別）工藝，原預計 2027 年實現(xiàn)量產。按照三星當時的說法，SF1.4 將納米片的數(shù)量從 3 個增加到 4 個，有望顯著改善芯片在性能和功耗方面的表現(xiàn)。?

三星在先進制程領域目前面臨重重困難。三星 3nm（SF3）GAA 工藝自 2023 年量產以來，由于良率未達預期，至今尚未獲得大客戶訂單。這一情況導致原計劃搭載第二代 3nm 的 Exynos 2500 芯片推遲推出，Galaxy S25 系列也全線改用高通驍龍 8 至尊版芯片?。此番情況讓三星前期巨額投入近乎打水漂，根據推算，三星在整個3nm項目中，投資高達共投資了1160億美元(約合人民幣8420億)。

同樣，2nm（SF2）工藝的良率表現(xiàn)也不理想，早期量產良率僅為 30%，遠低于臺積電同期 60% 的水平。此外，英特爾 18A 制程在良率方面表現(xiàn)更優(yōu)，進一步加劇了三星在尖端工藝上的競爭劣勢。?

目前，2nm 工藝依然是三星重點攻克的方向。三星的 2nm 技術采用全環(huán)繞柵極（GAA）晶體管技術，旨在優(yōu)化電力傳輸效率，減少信號干擾，從而提升芯片性能與能效。其量產計劃如下：?
·2025 年：啟動 2nm 工藝量產，初期重點面向移動終端（如用于 Galaxy S26 系列的 Exynos 2600 芯片）。?
·2026 年：將應用領域擴展至高性能計算（HPC）領域，爭取 AI 芯片訂單。?
·2027 年：進軍汽車芯片市場，推出專用工藝 SF2Z。?

GAA 技術曾被三星視為超越臺積電的關鍵技術。其溝道形態(tài)從 FinFET 的垂直 “鰭片” 轉變?yōu)樗蕉询B的納米片（Nanosheet）或納米線（Nanowire），柵極材料（如高介電常數(shù)金屬柵）從四周完全包裹溝道，顯著增強了對電流的控制能力。同時，漏電極與源電極之間的溝道被柵極完全 “鎖住”，大幅降低了漏電流（較 FinFET 減少 50% 以上）。?

三星是首個將 GAA 技術商用的廠商，其 MBCFET 技術最初應用于 3nm 工藝，通過調整納米片寬度（15 - 50nm）來滿足不同性能需求。然而，遺憾的是，三星 3nm 工藝的良率實在太低。?

因此，三星的 2nm 工藝不僅要與臺積電爭奪客戶，還需消除 3nm 工藝帶來的負面影響。據悉，三星 2nm 工藝已獲得日本 AI 公司 Preferred Networks（PFN）的訂單，首次從臺積電手中 “奪食”，并計劃為高通、蘋果等客戶提供試產服務。2025 年 3 月，三星斥資 5000 億韓元（約 3.8 億美元）在華城半導體園區(qū)部署了 ASML 的 High - NA EUV 光刻機（型號 EXE:5000），這是全球首臺量產的高數(shù)值孔徑極紫外光刻機，將顯著提升 2nm 及以下制程的精度。?

三星的 2nm 戰(zhàn)略以 GAA 技術為核心，通過激進的量產時間表和價格策略來爭奪市場，但提升良率和獲取客戶信任仍是關鍵所在。如果三星能夠在 2025 年量產 2nm 之前將工藝良率提升至 50% 以上，那么在亞 2nm 制程領域或許仍有三星的一席之地。否則，繼續(xù)投入巨額資金研發(fā) 1.4nm 工藝的意義已不大。?