電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道據(jù)多方消息來源推測(cè)，三星電子可能取消原計(jì)劃于2027年量產(chǎn)的1.4nm（FS1.4）晶圓代工工藝。三星在“SamsungFoundryForum2022”上首次公開了SF1.4（1.4nm級(jí)別）工藝，原預(yù)計(jì)2027年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。按照三星當(dāng)時(shí)的說法，SF1.4將納米片的數(shù)量從3個(gè)增加到4個(gè)，有望顯著改善芯片在性能和功耗方面的表現(xiàn)。?

三星在先進(jìn)制程領(lǐng)域目前面臨重重困難。三星3nm（SF3）GAA工藝自2023年量產(chǎn)以來，由于良率未達(dá)預(yù)期，至今尚未獲得大客戶訂單。這一情況導(dǎo)致原計(jì)劃搭載第二代3nm的Exynos2500芯片推遲推出，GalaxyS25系列也全線改用高通驍龍8至尊版芯片?。此番情況讓三星前期巨額投入近乎打水漂，根據(jù)推算，三星在整個(gè)3nm項(xiàng)目中，投資高達(dá)共投資了1160億美元(約合人民幣8420億)。

同樣，2nm（SF2）工藝的良率表現(xiàn)也不理想，早期量產(chǎn)良率僅為30%，遠(yuǎn)低于臺(tái)積電同期60%的水平。此外，英特爾18A制程在良率方面表現(xiàn)更優(yōu)，進(jìn)一步加劇了三星在尖端工藝上的競(jìng)爭(zhēng)劣勢(shì)。?

目前，2nm工藝依然是三星重點(diǎn)攻克的方向。三星的2nm技術(shù)采用全環(huán)繞柵極（GAA）晶體管技術(shù)，旨在優(yōu)化電力傳輸效率，減少信號(hào)干擾，從而提升芯片性能與能效。其量產(chǎn)計(jì)劃如下：?

·2025年：?jiǎn)?dòng)2nm工藝量產(chǎn)，初期重點(diǎn)面向移動(dòng)終端（如用于GalaxyS26系列的Exynos2600芯片）。?

·2026年：將應(yīng)用領(lǐng)域擴(kuò)展至高性能計(jì)算（HPC）領(lǐng)域，爭(zhēng)取AI芯片訂單。?

·2027年：進(jìn)軍汽車芯片市場(chǎng)，推出專用工藝SF2Z。?

GAA技術(shù)曾被三星視為超越臺(tái)積電的關(guān)鍵技術(shù)。其溝道形態(tài)從FinFET的垂直“鰭片”轉(zhuǎn)變?yōu)樗蕉询B的納米片（Nanosheet）或納米線（Nanowire），柵極材料（如高介電常數(shù)金屬柵）從四周完全包裹溝道，顯著增強(qiáng)了對(duì)電流的控制能力。同時(shí)，漏電極與源電極之間的溝道被柵極完全“鎖住”，大幅降低了漏電流（較FinFET減少50%以上）。?

三星是首個(gè)將GAA技術(shù)商用的廠商，其MBCFET技術(shù)最初應(yīng)用于3nm工藝，通過調(diào)整納米片寬度（15-50nm）來滿足不同性能需求。然而，遺憾的是，三星3nm工藝的良率實(shí)在太低。?

因此，三星的2nm工藝不僅要與臺(tái)積電爭(zhēng)奪客戶，還需消除3nm工藝帶來的負(fù)面影響。據(jù)悉，三星2nm工藝已獲得日本AI公司PreferredNetworks（PFN）的訂單，首次從臺(tái)積電手中“奪食”，并計(jì)劃為高通、蘋果等客戶提供試產(chǎn)服務(wù)。2025年3月，三星斥資5000億韓元（約3.8億美元）在華城半導(dǎo)體園區(qū)部署了ASML的High-NAEUV光刻機(jī)（型號(hào)EXE:5000），這是全球首臺(tái)量產(chǎn)的高數(shù)值孔徑極紫外光刻機(jī)，將顯著提升2nm及以下制程的精度。?

三星的2nm戰(zhàn)略以GAA技術(shù)為核心，通過激進(jìn)的量產(chǎn)時(shí)間表和價(jià)格策略來爭(zhēng)奪市場(chǎng)，但提升良率和獲取客戶信任仍是關(guān)鍵所在。如果三星能夠在2025年量產(chǎn)2nm之前將工藝良率提升至50%以上，那么在亞2nm制程領(lǐng)域或許仍有三星的一席之地。否則，繼續(xù)投入巨額資金研發(fā)1.4nm工藝的意義已不大。