從需求端審視，通貨膨脹的壓力以及AI個(gè)人電腦應(yīng)用場(chǎng)景的匱乏，共同制約了大規(guī)模升級(jí)周期的到來。在供應(yīng)端，主要制造商在第三季度全面恢復(fù)了滿負(fù)荷生產(chǎn)，而其他供應(yīng)商則通過技術(shù)革新提升了產(chǎn)能，從而推動(dòng)了整體供應(yīng)能力的提升。然而，這一供應(yīng)增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)與疲軟的市場(chǎng)需求之間形成了鮮明對(duì)比，加劇了市場(chǎng)價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)。

根據(jù)市場(chǎng)研究公司Trend Force的最新報(bào)告，NAND市場(chǎng)在第三季度雖然實(shí)現(xiàn)了5%至10%的平均售價(jià)（ASP）上漲，但第四季度卻預(yù)計(jì)將出現(xiàn)3%至8%的下滑。特別是在消費(fèi)類NAND產(chǎn)品中，價(jià)格跌幅尤為顯著，其中高端及旗艦智能手機(jī)的eMMC和UFS產(chǎn)品價(jià)格預(yù)計(jì)將在第四季度下降8%至13%。

全球經(jīng)濟(jì)低迷導(dǎo)致智能手機(jī)平均更換周期延長(zhǎng)至三年，同時(shí)缺乏能夠替代智能手機(jī)的突破性應(yīng)用，使得智能手機(jī)及筆記本電腦制造商采取了更為保守的庫(kù)存管理策略，進(jìn)而影響了NAND訂單的發(fā)放。個(gè)人電腦用SSD及通用閃存存儲(chǔ)（UFS）市場(chǎng)也因終端產(chǎn)品銷售不振而面臨挑戰(zhàn)，買家普遍采取了更為審慎的采購(gòu)策略，進(jìn)一步加劇了市場(chǎng)的不確定性。

在企業(yè)級(jí)SSD市場(chǎng)，價(jià)格預(yù)計(jì)將經(jīng)歷0%至5%的增長(zhǎng)，但增幅較初期預(yù)測(cè)有所縮減。這主要是由于第四季度服務(wù)器OEM訂單的顯著縮減，部分歸因于企業(yè)客戶對(duì)AI服務(wù)器部署的延緩。

此外，NAND晶圓價(jià)格也面臨下行壓力，繼第三季度3%至8%的降幅后，第四季度預(yù)計(jì)還將再下降10%至15%。這一趨勢(shì)主要?dú)w因于模塊制造商庫(kù)存積壓嚴(yán)重，以及部分供應(yīng)商為保持市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力而采取的降價(jià)策略。

DRAM市場(chǎng)方面，雖然第三季度通用DRAM平均價(jià)格上漲了8%至13%，但第四季度漲幅預(yù)計(jì)將大幅收窄至0%至5%。受智能手機(jī)需求下滑的影響，移動(dòng)DRAM價(jià)格預(yù)計(jì)將在第四季度下降5%至10%。在消費(fèi)級(jí)DRAM領(lǐng)域，DDR5價(jià)格預(yù)計(jì)下降0%至5%，而DDR4價(jià)格則預(yù)計(jì)保持穩(wěn)定。

面對(duì)市場(chǎng)需求的持續(xù)疲軟，存儲(chǔ)原廠在供應(yīng)策略上采取了更為謹(jǐn)慎的態(tài)度。同時(shí)，由于云服務(wù)提供商對(duì)AI硬件領(lǐng)域的持續(xù)投資，服務(wù)器領(lǐng)域內(nèi)對(duì)高速、大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品的需求呈現(xiàn)出顯著的增長(zhǎng)趨勢(shì)。然而，這一增長(zhǎng)趨勢(shì)并未能完全抵消整體市場(chǎng)的下行壓力。

展望未來，TrendForce預(yù)測(cè)HBM在DRAM總收入中的占比將持續(xù)擴(kuò)大，但摩根士丹利等投資機(jī)構(gòu)則對(duì)HBM市場(chǎng)持謹(jǐn)慎態(tài)度，認(rèn)為其將面臨供過于求、價(jià)格下跌的風(fēng)險(xiǎn)。同時(shí)，隨著AI平臺(tái)對(duì)新一代HBM產(chǎn)品的積極采用，HBM3e世代產(chǎn)品將成為未來市場(chǎng)的主流。然而，一旦AI領(lǐng)域出現(xiàn)顯著的進(jìn)展減速，其連鎖反應(yīng)將對(duì)內(nèi)存市場(chǎng)產(chǎn)生深刻且廣泛的負(fù)面影響。

在存儲(chǔ)市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)中，各大廠商為了爭(zhēng)奪市場(chǎng)份額而不得不采取降價(jià)策略。雖然這種降價(jià)策略有助于清理庫(kù)存，但也給廠商帶來了一定的壓力。在當(dāng)前市場(chǎng)環(huán)境下，降價(jià)似乎是廠商們不得不做出的選擇。然而，這也進(jìn)一步加劇了市場(chǎng)的價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)和不確定性。

綜上所述，存儲(chǔ)市場(chǎng)正面臨多重挑戰(zhàn)，包括需求端疲軟、供應(yīng)端增長(zhǎng)、市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇以及技術(shù)變革等因素。這些因素共同作用于NAND和DRAM市場(chǎng)，導(dǎo)致價(jià)格承壓并呈現(xiàn)出下滑趨勢(shì)。未來，隨著市場(chǎng)環(huán)境的不斷變化和技術(shù)的不斷進(jìn)步，存儲(chǔ)市場(chǎng)將迎來更多的挑戰(zhàn)和機(jī)遇。