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新能源汽車與SiC技術(shù)的崛起:中國市場的機遇與挑戰(zhàn)

要長高 ? 2024-10-31 14:56 ? 次閱讀
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新能源汽車行業(yè)近年來發(fā)展迅速,已成為全球最耀眼的產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)預(yù)測,2023年中國新能源汽車銷量將達到950萬輛,市場占比高達31.6%。到2024年,年銷量有望進一步攀升至1200-1300萬輛,市場占比可能超過45%,并占據(jù)全球年產(chǎn)銷量的60%。這一趨勢讓人聯(lián)想到光伏行業(yè)的崛起,新能源汽車行業(yè)的發(fā)展似乎正沿著相似的軌跡前進。

在SiC(碳化硅)技術(shù)的應(yīng)用方面,自特斯拉在2017年推出首款基于SiC主驅(qū)的汽車后,中國企業(yè)如比亞迪等也于2020年前后開始跟進。隨后,各大汽車制造商和主驅(qū)制造商紛紛投身SiC平臺的研發(fā)。到2023年,已公開的國產(chǎn)SiC車型已達142款,標(biāo)志著新能源汽車采用SiC的市場已全面打開。

在E維智庫第12屆中國硬科技產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新趨勢峰會暨百家媒體論壇上,清純半導(dǎo)體(寧波)有限公司市場經(jīng)理詹旭標(biāo)對車載SiC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展以及國內(nèi)車載SiC技術(shù)的進展進行了深入分析和解讀。

詹旭標(biāo)指出,SiC技術(shù)為新能源汽車帶來了諸多優(yōu)勢。目前,車機主驅(qū)應(yīng)用的主流器件為1200V SiC MOSFET,而400V平臺則逐步采用750V SiC進行替代。SiC器件的性能、質(zhì)量、價格及產(chǎn)能是主驅(qū)大規(guī)模應(yīng)用的關(guān)鍵考量因素。

在提升續(xù)航里程方面,SiC MOSFET憑借低導(dǎo)通電阻和低開關(guān)損耗,相比傳統(tǒng)硅IGBT方案,電機控制器系統(tǒng)損耗可降低70%,從而增加5%的行駛里程。此外,SiC的應(yīng)用還有助于緩解補能焦慮,通過提高充電功率,預(yù)計到2025年,用戶將能在15分鐘內(nèi)補充80%的電能。

充電樁行業(yè)作為新能源汽車市場的另一大活躍領(lǐng)域,已進入充分競爭階段。目前,國內(nèi)充電樁保有量約900-1000萬臺,2024年市場規(guī)模預(yù)計達25億人民幣。根據(jù)規(guī)劃,到2030年,汽車保有量將達到6000萬輛,車樁比達到1:1,意味著未來4-5年內(nèi)還需新增約5000萬個充電樁。目前,充電模塊已開始采用SiC,并在DC-DC轉(zhuǎn)換及PFC應(yīng)用中廣泛使用,每個充電樁至少使用8個以上SiC器件,市場規(guī)模潛力巨大。

然而,盡管國內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速,但全球SiC市場仍由國外企業(yè)引領(lǐng)。根據(jù)預(yù)測,到2025年,全球SiC市場規(guī)模預(yù)計將接近60億美元,年復(fù)合增長率有望達到36.7%左右。市場前五強企業(yè)的合計市場份額高達91.9%,國內(nèi)企業(yè)的市場份額相對較小。

在產(chǎn)能方面,盡管國內(nèi)產(chǎn)能規(guī)劃已達千億級別,但分布過于分散,頭部企業(yè)尚未形成明顯優(yōu)勢。預(yù)計到2026年,國內(nèi)SiC襯底規(guī)劃產(chǎn)能將達到460萬片,若這些產(chǎn)能能順利轉(zhuǎn)化為量產(chǎn),將能滿足大約3000萬輛新能源汽車的需求。這可能導(dǎo)致SiC行業(yè)面臨內(nèi)卷和產(chǎn)能過剩的風(fēng)險。

技術(shù)方面,主流SiC MOSFET技術(shù)呈現(xiàn)出穩(wěn)健發(fā)展的態(tài)勢,其設(shè)計方案主要分為平面柵結(jié)構(gòu)和溝槽柵結(jié)構(gòu)兩大類。國內(nèi)SiC器件技術(shù)進展迅速,產(chǎn)業(yè)鏈日趨完善,從材料到設(shè)計、代工等各個環(huán)節(jié)均已形成較為成熟的體系。清純半導(dǎo)體等國內(nèi)企業(yè)已在主驅(qū)領(lǐng)域推出了多款產(chǎn)品,其性能與國際一流水平相當(dāng),并在某些方面表現(xiàn)更佳。

展望未來,國內(nèi)SiC半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正蓬勃發(fā)展,競爭日益激烈,已進入快速洗牌階段。盡管在乘用車主驅(qū)應(yīng)用上還暫時需要依賴進口,但預(yù)計未來2-3年內(nèi)將顯著改善。隨著國產(chǎn)SiC MOSFET技術(shù)的快速發(fā)展和國際先進水平的差距不斷縮小,部分領(lǐng)域已實現(xiàn)并跑甚至領(lǐng)跑。國內(nèi)SiC半導(dǎo)體產(chǎn)品因競爭而價格迅速下降,質(zhì)量不斷提升,產(chǎn)能逐步擴大,有望最終主導(dǎo)全球供應(yīng)鏈。

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