華虹半導(dǎo)體今日宣布，基于0.11微米超低漏電嵌入式閃存技術(shù)平臺(tái)（0.11μm Ultra Low Leakage eNVM Platform，以下簡(jiǎn)稱「0.11μm ULL平臺(tái)」），華虹半導(dǎo)體自主研發(fā)了超低功耗模擬IP，包括時(shí)鐘管理（Clock Management）、電源管理（Energy Management）、模數(shù)轉(zhuǎn)換(Analog Digital Converter)等，這些IP通過了矽驗(yàn)證并已經(jīng)量產(chǎn)，幫助客戶設(shè)計(jì)低功耗、高性價(jià)比、高精度等各類MCU，將助力公司拓展MCU市場(chǎng)。

在時(shí)鐘管理IP方面，華虹半導(dǎo)體開發(fā)了RCOSC、RTC和PLL三大類IP。高精度OSC內(nèi)置了補(bǔ)償電路，-40℃~125℃溫度范圍內(nèi)精度達(dá)到+/-2%，面積為0.02mm2。低功耗32KHz RCOSC的工作電流低至160nA。低成本16MHz RCOSC面積僅0.004mm2，工作電流僅為16μA。實(shí)時(shí)時(shí)鐘RTC中，提供1Hz輸出，無需外置電容，有效降低了成本。低抖動(dòng)的PLL隨機(jī)噪聲抖動(dòng)小于25ps，輸出60M到500MHz等多種頻率。

在電源管理IP方面，內(nèi)置BGR的LDO在等待模式下電流為300nA，從等待模式切換到工作模式僅需2.5μS，大大縮減正常工作模式的準(zhǔn)備時(shí)間。外部POR釋放電壓1.0V~1.52V，保障了電路的可靠性及穩(wěn)定性。此外，VDT/LDT/TDT等各種信號(hào)報(bào)警模擬IP，為穩(wěn)定MCU芯片的電壓、電流基準(zhǔn)、檢測(cè)電壓、溫度及芯片安全提供了有效保障。

在信號(hào)轉(zhuǎn)換IP方面，華虹半導(dǎo)體提供高精度的10位、12位SAR ADC。最新推出的12-Bit SAR ADC擁有高達(dá)2MSPS的采樣率，面積僅0.2mm2，支持單端和差分輸入模式。在電源電壓3.3V、采樣率2MSPS的情況下，信號(hào)噪聲失真比SNDR為70dB，完美結(jié)合了多通道、高精度、低功耗、小面積等特性，是高性能MCU的理想選擇。

物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、智慧城市、虛擬實(shí)境（VR）等新興市場(chǎng)，促使各類MCU芯片需求劇增。華虹半導(dǎo)體的多種模擬IP可靈活匹配8位及32位MCU需求，并以其高品質(zhì)和高可靠性，有效助力客戶在物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、資訊安全、可穿戴產(chǎn)品以及工業(yè)控制和汽車電子市場(chǎng)中提升競(jìng)爭(zhēng)力。

華虹半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁孔蔚然表示：「一系列面向MCU的模擬IP向業(yè)界展現(xiàn)了華虹半導(dǎo)體的自主創(chuàng)新實(shí)力，縮短了客戶的芯片開發(fā)周期，為我們的MCU客戶提供了強(qiáng)有力的支持。」