鎧俠斥資16.75億元研發(fā)下一代內(nèi)存，目標(biāo)2030年前實現(xiàn)商業(yè)化
近日，日本NAND Flash大廠鎧俠宣布了一項重大投資計劃。據(jù)日媒報道，該公司將在未來三年內(nèi)投資360億日元（約合人民幣16.75億元），用于研發(fā)面向AI的下一代更省電的內(nèi)存。這一舉措旨在滿足未來市場對高效能、低功耗內(nèi)存的需求，并計劃在2030年代前半段實現(xiàn)商業(yè)化。
鎧俠表示，將研發(fā)基于CXL（Compute Express Link）技術(shù)的內(nèi)存。相較于目前的DRAM，這種新型內(nèi)存具有更低的功耗；而與現(xiàn)有的NAND Flash相比，其讀取速度更快。更重要的是，與DRAM在電力中斷時數(shù)據(jù)會消失不同，CXL內(nèi)存能夠在斷電時保留大量數(shù)據(jù)，這對于AI驅(qū)動的應(yīng)用場景尤為重要，能夠顯著降低耗電量。
為了支持這一研發(fā)項目，日本政府將提供最高50%的補貼，以鼓勵企業(yè)在高科技領(lǐng)域進行更多的創(chuàng)新和投資。這一舉措不僅有助于鎧俠在研發(fā)過程中減輕財務(wù)壓力，同時也為日本在全球半導(dǎo)體市場的競爭中增添了新的動力。
隨著AI技術(shù)的快速發(fā)展和普及，市場對高效能、低功耗內(nèi)存的需求日益迫切。鎧俠此次的投資計劃無疑將推動全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的進一步發(fā)展和創(chuàng)新，為未來的科技應(yīng)用提供更加堅實的基礎(chǔ)。
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