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真空回流焊爐/真空焊接爐——宇航級元器件

成都共益緣 ? 2024-11-11 16:52 ? 次閱讀
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北京時間2024年10月30日4時27分,搭載著神舟十九號載人飛船的長征二號F遙十九運(yùn)載火箭點(diǎn)火發(fā)射,成功將3名航天員送入太空。12時51分,神舟十九號載人飛船與空間站組合體成功實(shí)現(xiàn)自主快速交會對接,與神舟十八號航天員乘組完成“太空會師”。2024年11月4日01時24分,神舟十八號載人飛船返回艙在東風(fēng)著陸場成功著陸,3名航天員在軌駐留192天,其間進(jìn)行了2次出艙活動,刷新了中國航天員單次出艙活動時間紀(jì)錄。

wKgZoWcxwqGARIr4AAvEIsRfSMo536.png圖1.神舟十九號航天員乘組和神舟十八號航天員乘組“全家?!?/span>

這一連串的成功,無疑振奮了每一個中國人的心。今天我們就從航空航天領(lǐng)域出發(fā),介紹一下航天圈中如貴族般存在的一種器件:宇航級器件。包括衛(wèi)星、航天飛機(jī)、空間站等,游弋在太空中的各種人造飛行器,其內(nèi)部都含有大量芯片、器件、板卡等電子設(shè)備。在地球的使用環(huán)境中,電子器件一般可以分為:民用級(消費(fèi)級)、工業(yè)級、汽車級、軍工級。而在太空環(huán)境中使用的電子器件則被定級為宇航級。宇航級元器件的工作溫度設(shè)計為-55℃~+150℃,采用冗余的、芯片級多備份、抗輻射抗干擾保護(hù)的電路設(shè)計,工藝處理需要耐沖擊、耐高低溫、耐霉菌、抗輻射、抗干擾,采用陶瓷的封裝形式,設(shè)計使用壽命需要>15年,允許出錯率保證為0,造價非常昂貴且維護(hù)費(fèi)用也非常高。

wKgaomcxwu6AVOy6AACLaBmtjSU221.png圖2.地球環(huán)境中電子器件分級

首先在發(fā)射階段,宇航級元器件就需要禁得住劇烈的抖動和很高的溫度,因此在制造階段就需要良好的封裝,防止器件脫落或者焊點(diǎn)熔化脫落而失效。進(jìn)入太空后,元器件面臨的第二個問題就是溫差,而且是快速變化的溫差。當(dāng)面對太陽面時,溫度迅速升高,最高達(dá)120℃~150℃左右;當(dāng)航天器飛行至地球背面,太陽光被擋住后,溫度又跌至-127℃~-150℃左右。而航天器為了維持繞地球旋轉(zhuǎn),必須保持第一宇宙速度,即7.8km/s,這意味著每90分鐘航天器便繞地球一圈。每90分鐘便經(jīng)歷一次300℃左右的溫差變化,這對于宇航級元器件的要求極高,需要對元器件進(jìn)行散熱設(shè)計和寬溫設(shè)計。


然而對于宇航級元器件來說,在太空環(huán)境中最大的難點(diǎn)并不是巨大的溫差,而是存在的大量的高能粒子和宇宙射線。因為有大氣層和地球磁層包裹著的地球表面,人們無法感受到這些射線和粒子破壞性。而在太空,當(dāng)這些粒子和射線穿透航天器,與元器件的材料相互作用,產(chǎn)生輻射效應(yīng),就會引起電子器件性能退化、異?;驌p毀,影響航天器的在軌安全。比如,由γ光子、質(zhì)子和中子照射所引發(fā)的氧化層電荷陷阱或位移破壞,包括漏電流增加、MOSFET閾值漂移,以及雙極晶體管的增益衰減。高能粒子(質(zhì)子、中子、α粒子和其他重離子)轟擊微電子電路敏感區(qū),引發(fā)在PN結(jié)兩端產(chǎn)生電荷的單粒子效應(yīng),可導(dǎo)致軟誤差、電路閉鎖或元件燒毀。高速率的γ或X射線,在極短時間內(nèi)作用于電路,并在整個電路內(nèi)產(chǎn)生光電流,可導(dǎo)致閉鎖、燒毀和電壓坍塌等破壞。這些情況都會導(dǎo)致元器件的損壞。

引起器件輻射效應(yīng)的主要空間輻射源包括地球輻射帶、銀河宇宙射線、太陽宇宙線和人工輻射。其中,對芯片工作影響最為嚴(yán)重的輻射效應(yīng)當(dāng)屬“單粒子效應(yīng)”。當(dāng)單粒子鎖定導(dǎo)致芯片內(nèi)部局部短路從而產(chǎn)生大電流燒毀器件時,可以通過應(yīng)用一些特定工藝或器件庫來避免,而太空中大多數(shù)錯誤是由半導(dǎo)體器件的邏輯狀態(tài)跳變而導(dǎo)致的,這種是可恢復(fù)的錯誤,如單粒子翻轉(zhuǎn)導(dǎo)致存儲器內(nèi)容錯誤。單粒子翻轉(zhuǎn)(Single-Event Upsets,SEU)指的是元器件受輻照影響引起電位狀態(tài)的跳變,“0”變成“1”,或者“1”變成“0”,但一般不會造成器件的物理性損傷。


在航天領(lǐng)域中,元器件的性能并不是第一考慮的要素,對太空環(huán)境的適應(yīng)能力、在太空環(huán)境中的質(zhì)量和可靠性才是最重要的衡量標(biāo)準(zhǔn)。在商品推廣時,商家往往會強(qiáng)調(diào)芯片的制程,如蘋果的5nmA15芯片,三星的3nm芯片等。制程是指特定的半導(dǎo)體制造工藝及其設(shè)計規(guī)則,不同的制程意味著不同的電路特性,通常來說制程節(jié)點(diǎn)越小,晶體管越小、速度越快、能耗表現(xiàn)越好。在航空領(lǐng)域并不是工藝制程越小越好,因為制程越小,抗輻射能力越差。為了確??煽啃?,一般會選擇較大線寬的制程,如0.18um、90nm、65nm等,而不是一味地追求摩爾定律的前沿制程。(摩爾定律:7876每代工藝都使芯片上的晶體管增加一倍,每個連續(xù)的工藝節(jié)點(diǎn)命名為比前一個小約 0.7 倍——線性縮放意味著密度加倍)


抗輻射加固方法中,三模冗余是最具有代表性的容錯機(jī)制。在同一時間內(nèi),三個功能完全相同的模塊會分別執(zhí)行一樣的操作,這樣即使發(fā)生單粒子翻轉(zhuǎn)時,瞬時僅能打翻一路,而“三選二”的投票器會選出剩余兩路中的正確結(jié)果,增強(qiáng)電路系統(tǒng)的可靠性。三模冗余最顯著的優(yōu)點(diǎn)就是糾錯能力強(qiáng),且設(shè)計簡單,可以大大提高電路可靠性。

wKgZomcxw0CAWsvHAAClNXVNkWc264.png圖4.三模冗余機(jī)制示意圖

為了不影響芯片的整體性能,在架構(gòu)設(shè)計中還需要確保模塊之間保持較強(qiáng)的獨(dú)立性,在設(shè)計時需要具備獨(dú)立的復(fù)位功能,使電路能在出錯后盡快通過復(fù)位信號恢復(fù)正常,且確保其他正常工作的模塊不受影響。此外還需增加異常檢測電路,發(fā)現(xiàn)異常需要立即對電路進(jìn)行復(fù)位。


總之,在航天領(lǐng)域中,元器件的性能并不是第一考慮要素,可靠性才是重中之重。鑒于使用的環(huán)境如此嚴(yán)苛,宇航級元器件的封裝同樣需要做到非常嚴(yán)格。若您對宇航級元器件的封裝感興趣,我們可以之后再出文章詳細(xì)探討。


關(guān)于宇航級元器件的介紹就到這里,若有不當(dāng)之處歡迎各位朋友予以指正和指教;若與其他原創(chuàng)內(nèi)容有雷同之處,請與我們聯(lián)系。如果您的元器件有高質(zhì)量焊接需求,也可以聯(lián)系我們,或前往我司官網(wǎng)了解,我司的氮?dú)庹婵諣t/甲酸真空爐或許可以滿足您的高質(zhì)量要求。最后,祝愿中國航天事業(yè)蒸蒸日上,我們的目標(biāo)是星辰大海,中國的載人航天,永遠(yuǎn)值得期待!

成都共益緣真空設(shè)備有限公司

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