電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/吳子鵬)根據(jù)韓媒sedaily 的最新報道,三星華城17號產(chǎn)線已開始量產(chǎn)并向英偉達供應HBM3內(nèi)存。同時,美光已經(jīng)為英
發(fā)表于 07-23 00:04
?4549次閱讀
三星電子在 HBM3 時期遭遇了重大挫折,將 70% 的 HBM 內(nèi)存市場份額拱手送給主要競爭對手 SK 海力士,更是近年來首度讓出了第一
發(fā)表于 04-18 10:52
近日,全球領先的HBM內(nèi)存制造商之一——美光宣布,其位于新加坡的HBM內(nèi)存先進封裝工廠項目已于當?shù)貢r間今日正式破土動工。這座
發(fā)表于 01-09 16:02
?731次閱讀
,內(nèi)部封裝工藝的重要性正在上升。為此,三星正集中力量提升封裝能力,以保持技術領先并縮小與 SK Hynix 的差距。 業(yè)內(nèi)人士消息稱三星電子
發(fā)表于 11-25 15:28
?640次閱讀
近日,英偉達公司正在積極推進對三星AI內(nèi)存芯片的認證工作。據(jù)英偉達CEO透露,他們正在不遺余力地加速這一進程,旨在盡快將三星的內(nèi)存解決方案融入其產(chǎn)品中。 此次認證工作的焦點在于
發(fā)表于 11-25 14:34
?596次閱讀
三星電子公司近日宣布了一項重大投資決策,計劃擴建其位于韓國忠清南道的半導體封裝設施,以提高高帶寬存儲器(HBM)的產(chǎn)量。這一舉措標志著
發(fā)表于 11-13 14:14
?713次閱讀
近日,三星電子計劃在韓國忠清南道天安市的現(xiàn)有封裝設施基礎上,再建一座半導體封裝工廠,專注于HBM
發(fā)表于 11-13 11:36
?1169次閱讀
據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,三星電子已對其2025年底的高帶寬內(nèi)存(HBM)最大產(chǎn)能目標進行了調(diào)整,下調(diào)幅度超過10%,從原先計劃的每月20萬顆減至17
發(fā)表于 10-14 16:00
?837次閱讀
近日,三星電子因向英偉達供應HBM3E內(nèi)存的延遲,對其HBM內(nèi)存的產(chǎn)能規(guī)劃進行了調(diào)整。據(jù)韓媒報道
發(fā)表于 10-11 17:37
?1074次閱讀
近日,知名市場研究機構(gòu)TrendForce在最新發(fā)布的報告中宣布了一項重要進展:三星電子的HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品已成功通過英偉達驗證,并正式開啟出貨流程。具體而言,
發(fā)表于 09-05 17:15
?1043次閱讀
近期,科技界傳來重要消息,三星、SK海力士及美光三大半導體巨頭正全力推進高帶寬內(nèi)存(HBM)的產(chǎn)能擴張計劃。據(jù)預測,至2025年,這一領域的
發(fā)表于 08-29 16:43
?1297次閱讀
進入八月,市場傳言四起,韓國存儲芯片巨頭三星電子(簡稱“三星”)的8層HBM3E內(nèi)存(新一代高帶寬內(nèi)存
發(fā)表于 08-23 15:02
?1089次閱讀
三星電子在半導體技術的創(chuàng)新之路上再邁堅實一步,據(jù)業(yè)界消息透露,該公司計劃于今年年底正式啟動第6代高帶寬存儲器(HBM4)的流片工作。這一舉措標志著三
發(fā)表于 08-22 17:19
?1065次閱讀
據(jù)韓國媒體最新報道,三星電子已正式確認在平澤P4工廠投資建設先進的1c nm DRAM內(nèi)存產(chǎn)線,并預計該
發(fā)表于 08-13 14:29
?880次閱讀
在8月1日公布的最新財報中,三星電子再次展示了其在高帶寬內(nèi)存(HBM)領域的強勁表現(xiàn)。數(shù)據(jù)顯示,三星第二季度
發(fā)表于 08-01 14:42
?788次閱讀
評論