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觸摸屏Touch IC ESD/EOS防護(hù)方案及TVS選型

h1654155954.3333 ? 來(lái)源:h1654155954.3333 ? 作者:h1654155954.3333 ? 2024-11-15 15:14 ? 次閱讀

觸摸屏Touch IC ESD/EOS防護(hù)方案及TVS選型

觸控技術(shù)是一種通過(guò)觸摸屏幕或其它觸摸表面來(lái)實(shí)現(xiàn)人機(jī)交互的技術(shù),隨著科技的不斷發(fā)展,觸控屏已經(jīng)成為手機(jī)、車機(jī)、IOT交互等現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的一部分。

最早的觸摸屏是電阻式,它由兩層導(dǎo)電材料構(gòu)成,當(dāng)用戶觸摸屏幕時(shí),兩層導(dǎo)電材料會(huì)接觸,從而改變電阻值,從而實(shí)現(xiàn)位置的檢測(cè)。電阻式屏幕具有成本、技術(shù)低等優(yōu)勢(shì),缺點(diǎn)是只能單點(diǎn)觸摸,連續(xù)滑動(dòng)很容易出現(xiàn)斷點(diǎn);電容式觸摸屏有自容式、互容式等等方式,目前觸目所及大部分就是互容式觸摸屏,電容式觸摸屏外形可塑性強(qiáng),比如窄邊框、無(wú)邊框、折疊屏等,目前消費(fèi)產(chǎn)品大都是采用電容屏。

觸摸屏的優(yōu)勢(shì)在于直觀的操作方式,由于它們可以通過(guò)直接與圖標(biāo)和按鈕接觸來(lái)進(jìn)行輸入,所以對(duì)不熟悉的用戶來(lái)說(shuō)很容易理解并且易于使用。觸摸面板還允許將顯示器和輸入組合到一塊硬件中(圖1),從而實(shí)現(xiàn)設(shè)備的小型化和簡(jiǎn)單化。這些觸摸屏內(nèi)部結(jié)構(gòu)的主要核心是一個(gè)用于處理計(jì)算的IC芯片,電路基板上另有一層特定圖案的透明電極模組,面板的最表面則覆蓋著絕緣玻璃或塑料蓋。當(dāng)手指接近表面時(shí),多個(gè)電極之間的電容量會(huì)同時(shí)發(fā)生變化,可以通過(guò)測(cè)量這些電流之間的比率來(lái)精確識(shí)別接觸的位置(圖2)。

wKgZoWc29NiAeRECAABZVUcSwZQ212.png觸摸屏Touch IC ESD/EOS防護(hù)方案及TVS選型

圖1.電容屏結(jié)構(gòu)

wKgaoWc29NmAEfh9AAD9Hu1AgGw112.png觸摸屏Touch IC ESD/EOS防護(hù)方案及TVS選型

圖2.觸摸電路基板檢測(cè)電路

現(xiàn)今,觸摸屏已被廣泛應(yīng)用于各種移動(dòng)型產(chǎn)品中,但如與有線/無(wú)線充電器或其他負(fù)載連接時(shí)因插拔所導(dǎo)致的ESD/EOS噪聲,這期間將可能通過(guò)設(shè)備物理層耦合傳感器,而對(duì)觸摸的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性造成影響。以手機(jī)產(chǎn)品為例,不完善的邊緣布局或天線設(shè)計(jì),甚至是未完整考慮防護(hù)的接口設(shè)備,這些都已被證明是ESD/EOS的重大來(lái)源。觸摸處理器采用深納米技術(shù)CMOS工藝,同樣的芯片面積可以放更多的晶體管,好處是提升產(chǎn)品運(yùn)算性能,但在器件級(jí)ESD耐受度的趨勢(shì)卻是越來(lái)越弱(器件級(jí)HBM通常要求通過(guò)2kV)。處理器中每個(gè)IO都有內(nèi)嵌ESD電路,且這些IO ESD cell的最大允許電流及電導(dǎo)(Admittance)與它們的尺寸成正比,但受IO電容和芯片尺寸的限制IO cell無(wú)法任意完成設(shè)計(jì),受限的設(shè)計(jì)導(dǎo)致進(jìn)入深納米技術(shù)的觸摸處理器對(duì)ESD越來(lái)越敏感。當(dāng)產(chǎn)品受到外界ESD轟擊時(shí),IO ESD cell鉗位電壓會(huì)隨ESD電流的增大而上升,當(dāng)ESD能量過(guò)大時(shí),鉗位電壓可能升高到IC內(nèi)部最大允許電壓以上從而造成誤動(dòng)作或當(dāng)機(jī);嚴(yán)重者(工廠ESD測(cè)試標(biāo)準(zhǔn):接觸放電±8kV/空氣放電±15kV),將直接擊穿IC內(nèi)部ESD保護(hù)電路后,能量繼續(xù)傳導(dǎo)到內(nèi)部電路,造成多次損壞。

另一方面,通常TVS保護(hù)器件制程在幾百納米,TVS瞬間可以泄放ESD的能力直接與芯片面積成正比,且其耐受度遠(yuǎn)優(yōu)于IC內(nèi)嵌ESD防護(hù)設(shè)計(jì)。所以,進(jìn)行系統(tǒng)級(jí)靜電放電抗擾度設(shè)計(jì)時(shí)建議在IC外部增加TVS,此時(shí)ESD電流會(huì)先通過(guò)外部TVS泄放,IC內(nèi)部損壞的可能性則大大降低(圖3和圖4)。

wKgZoWc29NmAPZ-OAADfRS_B2K0323.png觸摸屏Touch IC ESD/EOS防護(hù)方案及TVS選型

圖3.ESD最佳泄放路徑

wKgaoWc29NqAPnczAAERMAU2n1U961.png觸摸屏Touch IC ESD/EOS防護(hù)方案及TVS選型

圖4.Touch FPC TVS防護(hù)設(shè)計(jì)

隨著手機(jī)、平板、智慧穿戴待機(jī)時(shí)長(zhǎng)要求,電池容量希望可以做的更大,產(chǎn)品內(nèi)部沒(méi)有足夠的空間擺放更多器件,小封裝TVS優(yōu)勢(shì)便能體現(xiàn)出來(lái),晶焱科技推薦0201(0.6mm×0.3mm)封裝以滿足PCB空間需求和廠內(nèi)ESD測(cè)試要求。如表1,針對(duì)通信接口SPI/IIC推薦AZ5A23-01F和AZ5B85-01B,均滿足ESD Level 4測(cè)試要求。另外,晶焱科技與Touch IC廠商配合,在觸摸處理器量產(chǎn)前便完成參考設(shè)計(jì)電路的驗(yàn)證,以提供最好的技術(shù)支持來(lái)滿足客戶對(duì)ESD/EOS設(shè)計(jì)要求。

Location
Part No.
VRWM (V)
Package
C (pF)
Vc_ESD
@8kV(V)
Vc_Surge
@5A(V)
ESD Air
(kV)
ESD Contact
(kV)
Lightning
8/20μs (A)
IIC/SPI
AZ5A23-01F
3.3
DFN0603P2Y
11
8
7
20
20
5
IIC
AZ5B85-01B
5 CSP0603P2Y
0.5 11 N/A 16
16 4
Power ≤ 5V
AZ5A85-01B
5 CSP0603P2Y
31 6 6
25 25 16
Power ≤ 3.3V
AZ5A83-01B
3.3 CSP0603P2Y
52.5 5 4.5
25 25 16

表1. Touch FPC接口ESD/EOS防護(hù)方案

未來(lái)幾年,智慧手機(jī)采用的電容式觸摸屏仍將是該領(lǐng)域的主導(dǎo)技術(shù),紅外、光、聲波等觸覺(jué)傳感器技術(shù)將緊隨其后。無(wú)論采用哪種技術(shù)實(shí)現(xiàn)人機(jī)交互應(yīng)用,接口芯片都需要在設(shè)計(jì)初期考慮ESD/EOS問(wèn)題,以降低生產(chǎn)過(guò)程或終端客戶使用過(guò)程中的不良比率,避免返修成本及商譽(yù)損失。

提供原廠技術(shù)支持和方案應(yīng)用075582542001,82574660謝謝惠顧~

審核編輯 黃宇

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