人工智能對高性能、可持續(xù)計(jì)算和網(wǎng)絡(luò)硅片的需求無疑增加了研發(fā)投入，加快了半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新步伐。隨著摩爾定律在芯片層面的放緩，人們希望在ASIC 封裝內(nèi)封裝盡可能多的芯片，并在封裝層面獲得摩爾定律的好處。

承載多個芯片的 ASIC 封裝通常由有機(jī)基板組成。有機(jī)基板由樹脂（主要是玻璃增強(qiáng)環(huán)氧層壓板）或塑料制成。根據(jù)封裝技術(shù)，芯片要么直接安裝在基板上，要么在它們之間有另一層硅中介層，以實(shí)現(xiàn)芯片之間的高速連接。有時在基板內(nèi)嵌入互連橋而不是中介層來提供這種高速連接。

有機(jī)基板的問題在于它們?nèi)菀壮霈F(xiàn)翹曲問題，尤其是在芯片密度較高的較大封裝尺寸中。這限制了封裝內(nèi)可封裝的芯片數(shù)量。

在此領(lǐng)域，玻璃通孔 (TGV) 是玻璃芯基板的支柱之一。TGV 為更緊湊、更強(qiáng)大的設(shè)備鋪平了道路，有助于提高層間連接密度。這些通孔有助于提高高速電路的信號完整性。連接之間的距離減小可減少信號損失和干擾，從而提高整體性能。TGV 的集成可以通過消除對單獨(dú)互連層的需求來簡化制造流程。然而，盡管 TGV 具有諸多優(yōu)勢，但它也面臨許多挑戰(zhàn)。由于制造過程的復(fù)雜性，TGV 更容易出現(xiàn)可能導(dǎo)致產(chǎn)品故障的缺陷。

同時，根據(jù)勢銀芯鏈了解，玻璃基板以及TGV技術(shù)通常意味著比其他解決方案更高的生產(chǎn)成本。對專用設(shè)備的需求加上缺陷風(fēng)險(xiǎn)可能會導(dǎo)致生產(chǎn)費(fèi)用增加。TGV技術(shù)可以簡單的分為成孔技術(shù)、填孔技術(shù)以及高密度布線技術(shù)。

玻璃通孔(TGV)和硅通孔（TSV）工藝技術(shù)相比，玻璃通孔(TGV)的優(yōu)勢主要體現(xiàn)在以下幾個方面：

1、優(yōu)良的高頻電學(xué)特性。玻璃材料是一種絕緣體材料，介電常數(shù)只有硅材料的1/3左右，損耗因子比硅材料低2-3個數(shù)量級，使得襯底損耗和寄生效應(yīng)大大減小，保證了傳輸信號的完整性；

2、大尺寸超薄玻璃襯底易于獲取。Corning、Asahi以及SCHOTT等玻璃廠商可以提供超大尺寸（>2m × 2m）和超薄（<50μm）的面板玻璃以及超薄柔性玻璃材料。

3、低成本。受益于大尺寸超薄面板玻璃易于獲取，以及不需要沉積絕緣層，玻璃轉(zhuǎn)接板的制作成本大約只有硅基轉(zhuǎn)接板的1/8；

4、工藝流程簡單。不需要在襯底表面及玻璃通孔(TGV)內(nèi)壁沉積絕緣層，且超薄轉(zhuǎn)接板中不需要減??；

5、機(jī)械穩(wěn)定性強(qiáng)。即便當(dāng)轉(zhuǎn)接板厚度小于100μm時，翹曲依然較??；

6、應(yīng)用領(lǐng)域廣泛。是一種應(yīng)用于晶圓級封裝領(lǐng)域的新興縱向互連技術(shù)，為實(shí)現(xiàn)芯片-芯片之間距離最短、間距最小的互聯(lián)提供了一種新型技術(shù)途徑，具有優(yōu)良的電學(xué)、熱學(xué)、力學(xué)性能，在射頻芯片、高端MEMS傳感器、高密度系統(tǒng)集成等領(lǐng)域具有獨(dú)特優(yōu)勢，是下一代5G、6G高頻芯片3D封裝的首選之一。