CMOS 工藝技術(shù)平臺(tái)的方塊電阻的測(cè)試結(jié)構(gòu)是NW方塊電阻、PW方塊電阻、Poly 方塊電阻、AA 方塊電阻和金屬方塊電阻，它們的版圖尺寸是依據(jù)工藝技術(shù)平臺(tái)的設(shè)計(jì)規(guī)則設(shè)計(jì)的。

目前半導(dǎo)體業(yè)界通用的方塊電阻的測(cè)試方法有三種：一種是電阻條圖形；一種是范德堡圖形；一種是開爾文圖形。本書僅僅以電阻條圖形測(cè)量方法為例去介紹方塊電阻的測(cè)試原理和方法。

方塊電阻是電路設(shè)計(jì)的重要組成部分，方塊電阻的準(zhǔn)確性嚴(yán)重影響電路的性能，所以方塊電阻在整個(gè)工藝流程里也是非常關(guān)鍵，芯片代工廠通過(guò) WAT參數(shù)方塊電阻 Rs監(jiān)測(cè)它們。

圖5-30所示為NW方塊電阻的版圖，圖5-31所示為它的剖面圖，圖5-32所示為它的電路連接圖。NW方塊電阻是三端器件，它的三個(gè)端口分別是電阻的兩端和襯底（P-sub），它們分別連到 PAD_N1、PAD_N2 和 PAD_B,WAT測(cè)試機(jī)器通過(guò)這三個(gè)端口把電壓激勵(lì)信號(hào)加載在電阻的兩端和襯底，從而測(cè)得所需的電性特性參數(shù)數(shù)據(jù)。

NW方塊電阻的 WAT參數(shù)是Rs_NW。

圖5-33所示為測(cè)量Rs_NW的示意圖。測(cè)量NW方塊電阻Rs_NW的基本原理是在電阻的一端加載DC電壓1V，另一端和襯底接地，從而測(cè)得電流In ，Rs_NW=（1/In）/（L/W），W和L分別是 NW方塊電阻的寬度和長(zhǎng)度。

影響方塊電阻 Rs_NW的因素包括以下兩方面：

1） NW離子注入異常；

2）離子注入損傷在退火過(guò)程中沒(méi)有激活。