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iPhone的DRAM封裝,有變!

半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 來源:thelec ? 作者:thelec ? 2024-12-09 10:19 ? 次閱讀
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來源: thelec

三星已經(jīng)開始研究改變iPhone所用低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率DRAM的封裝方法。

消息人士稱,這家韓國科技巨頭試圖將 LPDDR集成電路 (IC) 改為分立封裝,是為了滿足蘋果的要求。

這意味著 LPDDR 將與系統(tǒng)半導(dǎo)體分開封裝(即分立封裝)。庫比蒂諾計劃從 2026 年開始應(yīng)用這一變化。

目前,LPDDR 采用堆疊封裝在系統(tǒng)芯片之上(封裝堆疊,PoP)。

對分立封裝的改變是為了擴大設(shè)備上 AI 的內(nèi)存帶寬。

蘋果于2010年在iPhone 4上首次應(yīng)用LPDDR。PoP可使IC設(shè)計得更小,非常適合移動應(yīng)用。

然而,PoP 并不是設(shè)備上 AI 的最佳選擇。帶寬由數(shù)據(jù)傳輸速度、數(shù)據(jù)總線寬度和數(shù)據(jù)傳輸通道決定??偩€寬度和通道由 I/O 引腳數(shù)決定。要增加引腳數(shù),封裝需要變得更大。但在 PoP 中,內(nèi)存的大小由 SoC 決定,這限制了封裝上的 I/O 引腳數(shù)。

另一種解決方案是讓蘋果使用目前在服務(wù)器芯片中廣泛使用的高帶寬內(nèi)存 (HBM),但它在尺寸和功耗方面受到智能手機的限制。

過去,蘋果已經(jīng)在 Mac 和 iPad 中為其 SoC 使用了分立封裝。由于分立存儲器與 SoC 分開封裝,因此可以添加更多 I/O 引腳。

分立封裝還能提供更好的熱調(diào)節(jié)。設(shè)備上的 AI 并行處理會產(chǎn)生大量熱量。內(nèi)存表面越大,熱量就能從更寬的表面上散發(fā)出去。

但是也有缺點,那就是內(nèi)存和 SoC 之間的距離變長了。Mac 和 iPad 使用的是分立封裝,但后來在 M1 SoC 上改用了封裝內(nèi)存 (MOP)。使用 MOP 可以縮短芯片之間的距離,減少延遲,并最大限度地減少功率損耗。

為了讓蘋果應(yīng)用獨立封裝并利用其優(yōu)勢,它需要減小 SoC 和電池的尺寸,以便為內(nèi)存提供更多空間。

三星還可能嘗試將 LPDDR6-PIM(內(nèi)存中的處理器)應(yīng)用于 iPhone DRAM。LPDDR6 的數(shù)據(jù)傳輸速度和帶寬是 LPDDR5X 的兩到三倍。LPDDR6-PIM 是專為設(shè)備上設(shè)計的,三星和同胞內(nèi)存制造商 SK Hynix 自本月初以來一直在合作標準化 LPDDR6-PIM。

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審核編輯 黃宇

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