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瑞能半導體斬獲亞洲金選獎功率半導體產(chǎn)品大獎

瑞能半導體 ? 來源:瑞能半導體 ? 2024-12-10 11:46 ? 次閱讀
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日前,經(jīng)過提名和票選,瑞能半導體的“頂部散熱產(chǎn)品系列”成功獲評EE Awards Asia亞洲金選獎“功率半導體產(chǎn)品大獎”。

關于EE Awards Asia

EE Awards Asia 亞洲金選獎深受工程師的信賴,獲獎者由ASPENCORE全球資深編輯組成的評審委員會以及來自亞洲的網(wǎng)站用戶群共同評選產(chǎn)生。在專業(yè)技術媒體及科技人士的共同見證下,其評選的年度推薦榜單已經(jīng)成為最佳設計解決方案的指南。

瑞能半導體頂部散熱產(chǎn)品系列

瑞能半導體推出一系列頂部散熱型表面貼裝碳化硅器件,封裝包括TSPAK和TOLT,產(chǎn)品覆蓋SiC肖特基二極管MOSFET,構(gòu)成完整的產(chǎn)品陣容。

主要優(yōu)勢:

相較于傳統(tǒng)底部散熱型表貼功率器件,頂部散熱封裝為客戶提供了更為靈活的熱管理方案,可以更大程度的挖掘SiC器件的性能潛力?;陧敳可岬姆庋b設計,可以使功率器件熱量直接向散熱器傳遞,不必經(jīng)過PCB的熱過孔,顯著降低結(jié)到散熱器熱阻約17%~19%,幫助提升電路性能或減小功率器件選型降低成本。

同時,PCB設計可以采用更靈活的電流路徑規(guī)劃,取消熱過孔或PCB散熱覆銅面積后,可以獲得最小的電流環(huán)路面積和極低的線路寄生感抗,使開關損耗和EMI輻射水平也降到最低,縮短產(chǎn)品EMC調(diào)試時間和成本。

采用頂部散熱封裝,不僅熱性能可媲美廣泛使用的、熱性能穩(wěn)定的TO-247等傳統(tǒng)直插型封裝,還具有基于SMD的PCB組裝方式,同時避免依次安裝絕緣襯套緊固螺絲,實現(xiàn)高效制造流程的額外優(yōu)勢。

瑞能提供豐富的頂部散熱產(chǎn)品選擇和組合模式,工規(guī)與車規(guī)產(chǎn)品均有規(guī)劃??梢詰糜贠BC,充電樁模塊,服務器電源,光伏逆變器等各種功率變換設備,幫助產(chǎn)品設計提高功率密度,并減少系統(tǒng)尺寸、重量和成本。

產(chǎn)品規(guī)格:

TOLT封裝提供650V 20~70mΩ SiC MOSFET 以及10~20A SiC SBD。

TSPAK產(chǎn)品提供650V~1200V,12~150mΩ SiCMOSFET 以及10~40A SiC SBD。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:斬獲亞洲金選獎的「流量密碼」,快戳這里

文章出處:【微信號:weensemi,微信公眾號:瑞能半導體】歡迎添加關注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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