安森美宣布與Qorvo達(dá)成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管（SiC JFET）技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。這一舉措將補(bǔ)足安森美廣泛的EliteSiC電源產(chǎn)品組合，使其能夠更好地應(yīng)對(duì)人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心電源AC-DC段對(duì)高能效和高功率密度的需求。同時(shí)，這也將加速安森美在電動(dòng)汽車斷路器和固態(tài)斷路器（SSCB）等新興市場的部署。

碳化硅（SiC）作為一種新型半導(dǎo)體材料，憑借其卓越的性能在高溫、高壓和高頻等應(yīng)用場景中展現(xiàn)出巨大的潛力。安森美此次收購正是看中了碳化硅技術(shù)的重大價(jià)值。

SiC JFET具有超低的單位面積導(dǎo)通電阻，低于任何其他技術(shù)的一半。此外，它們還支持使用硅基晶體管幾十年來常用的現(xiàn)成驅(qū)動(dòng)器。這些優(yōu)勢使得SiCJFET的采用能夠加快開發(fā)速度、減少能耗并降低系統(tǒng)成本，為電源設(shè)計(jì)人員和數(shù)據(jù)中心運(yùn)營商提供顯著的價(jià)值。

“隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要?！卑采离娫捶桨甘聵I(yè)群總裁兼總經(jīng)理Simon Keeton表示，“隨著Qorvo業(yè)界領(lǐng)先的SiC JFET技術(shù)的加入，我們的智能電源產(chǎn)品組合將為客戶提供多一種優(yōu)化能耗、提高功率密度的選擇?！?/p>

這一次交易預(yù)計(jì)會(huì)在2025年第一季度完成，標(biāo)志著安森美在提升自身產(chǎn)品組合和技術(shù)實(shí)力上的又一次飛躍。