電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）安森美在12月10日宣布，已經(jīng)與Qorvo達(dá)成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購(gòu)其碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide（UnitedSiC）。安森美預(yù)計(jì)交易將在2025年第一季度完成，同時(shí)這也意味著Qorvo即將退出SiC市場(chǎng)。

近幾年Qorvo在碳化硅領(lǐng)域推出不少具有亮點(diǎn)的新品，并且應(yīng)用涵蓋數(shù)據(jù)中心到電動(dòng)汽車。今年一季度Qorvo的財(cái)報(bào)中還顯示，SiC功率器件產(chǎn)品已經(jīng)獲得來自AI服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的數(shù)百萬美元訂單。

所以Qorvo為什么要放棄SiC業(yè)務(wù)，安森美收購(gòu)后能夠獲得什么？

Qorvo進(jìn)入SiC市場(chǎng)僅三年，此前曾透露或放棄SiC業(yè)務(wù)

2021年11月，Qorvo宣布收購(gòu)碳化硅功率器件廠商UnitedSiC，當(dāng)時(shí)的Qorvo基礎(chǔ)設(shè)施和國(guó)防產(chǎn)品業(yè)務(wù)總裁James Klein表示，Qorvo將利用自有渠道和客戶關(guān)系，擴(kuò)大UnitedSiC的銷售范圍，同時(shí)將碳化硅器件從傳統(tǒng)的服務(wù)器和工業(yè)電源市場(chǎng)，擴(kuò)展到新能源汽車、充電站，以及可再生資源等基礎(chǔ)設(shè)施中。

UnitedSiC創(chuàng)立于1999年，起源于美國(guó)新澤西州Rutgers大學(xué)的一個(gè)研究團(tuán)隊(duì)，在成立十年后的2009年，被投資公司DOLCE Technologies收購(gòu)。后續(xù)UnitedSiC走Fabless模式，推出了涵蓋SiC FET、SiC JFET和SiC SBD等類別的80多個(gè)料號(hào)的器件。

而作為此前專注于無線和射頻領(lǐng)域的Qorvo，在更早前的2019年，還收購(gòu)了一家可編程電源管理和電機(jī)控制芯片公司Active-Semi，當(dāng)時(shí)Qorvo的愿景是未來可以將RF和電源管理或功率控制，整合進(jìn)一顆SoC中，大幅提高集成度。

當(dāng)然，收購(gòu)Active-Semi，也是為了推動(dòng)公司業(yè)績(jī)的增長(zhǎng)。在2019年以前，Qorvo的營(yíng)收較為穩(wěn)定，保持在30億美元左右，而實(shí)際上收購(gòu)了Active-Semi之后，2019年開始Qorvo的營(yíng)收數(shù)據(jù)暴增。通過對(duì)Active-Semi的收購(gòu)，在2021到2022財(cái)年，Qorvo的營(yíng)收達(dá)到了46.46美元的歷史新高。

不過，在近兩年半導(dǎo)體市場(chǎng)，尤其是消費(fèi)電子市場(chǎng)下行的階段，智能手機(jī)作為Qorvo的重要市場(chǎng)之一表現(xiàn)不佳，也嚴(yán)重影響到Qrovo的業(yè)績(jī)表現(xiàn)。今年10月Qorvo公布的2025財(cái)年第三財(cái)季業(yè)績(jī)指引不及預(yù)期，在財(cái)報(bào)電話會(huì)議上，Qorvo總裁Robert Bruggeworth就透露，公司正在考慮退出碳化硅市場(chǎng)。

公司認(rèn)為，退出碳化硅市場(chǎng)能夠減少公司運(yùn)營(yíng)支出，盡管公司在推動(dòng)JFET技術(shù)上有所進(jìn)展，但如果采用新的戰(zhàn)略替代方案，公司可以利用目前的銷售和管理資產(chǎn)創(chuàng)造更大價(jià)值。

安森美碳化硅市場(chǎng)勢(shì)頭正盛，發(fā)力數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)

官宣收購(gòu)UnitedSiC后，安森美表示，這次收購(gòu)將補(bǔ)足安森美廣泛的EliteSiC電源產(chǎn)品組合，使其能應(yīng)對(duì)人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心電源AC-DC段對(duì)高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動(dòng)汽車斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB)等新興市場(chǎng)的部署。

安森美電源方案事業(yè)群總裁兼總經(jīng)理Simon Keeton表示，“隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。隨著Qorvo業(yè)界領(lǐng)先的SiC JFET技術(shù)的加入，我們的智能電源產(chǎn)品組合將為客戶提供多一種優(yōu)化能耗，并提高功率密度的選擇。”

值得一提的是，安森美在碳化硅領(lǐng)域目前勢(shì)頭正盛，在最新公布的2024年三季度財(cái)報(bào)中，得益于碳化硅和傳感器在電動(dòng)汽車市場(chǎng)的表現(xiàn)，整體營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)2%，略高于市場(chǎng)預(yù)期。尤其在中國(guó)市場(chǎng)上，安森美CEO在財(cái)報(bào)會(huì)議上表示，三季度在汽車業(yè)務(wù)方面實(shí)現(xiàn)5%的環(huán)比增長(zhǎng)，同時(shí)預(yù)計(jì)在中國(guó)碳化硅市場(chǎng)上，2024年全年，安森美的市場(chǎng)份額有望接近50%。

而數(shù)據(jù)中心應(yīng)用上，安森美在今年的多個(gè)展會(huì)上，都重點(diǎn)展出了數(shù)據(jù)中心電源方案，其中SiC MOSFET在提高電源功率密度方面起到了重要作用。安森美表示，在數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的多相控制器和智能電源模塊等產(chǎn)品，已經(jīng)在英偉達(dá)和ARM的服務(wù)器設(shè)計(jì)中使用，預(yù)計(jì)2025年開始為公司貢獻(xiàn)收入。

獨(dú)家SiC JFET技術(shù)，數(shù)據(jù)中心應(yīng)用優(yōu)勢(shì)明顯

目前Qorvo的碳化硅產(chǎn)品主要包括SiC SBD、SiC FET、SiC JFET、功率模塊等，同時(shí)也是業(yè)內(nèi)唯一基于JFET來打造SiC FET產(chǎn)品的公司。

前面安森美也提到“隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要”，所以SiC JFET實(shí)際上與目前安森美發(fā)力的數(shù)據(jù)中心電源市場(chǎng)是有較高的契合度。

那么SiC JFET有什么優(yōu)勢(shì)？FET場(chǎng)效應(yīng)管一般分為兩類，一種是我們熟悉的MOSFET，也就是金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管，而另一種就是JFET，也就是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管。

MOSFET是常閉型器件，當(dāng)柵極沒有電壓時(shí)，漏極和源極是不導(dǎo)通的，需要施加一定的正向電壓才會(huì)導(dǎo)通；而JFET是常開型器件，當(dāng)柵極沒有電壓時(shí)漏極和源極是導(dǎo)通的，當(dāng)柵極與源極之間施加反向電壓，源極和漏極之間就會(huì)斷開。

SiC JFET相比SiC MOSFET，有不少優(yōu)勢(shì)，首先是可靠性問題。多年以來，SiC MOSFET中的柵極氧化物可靠性一直是各大廠商研究的重點(diǎn)，比如溝槽柵SiC MOSFEET增加氧化層厚度就是解決柵極氧化物可靠性的方向之一。

而JFET一般不用柵極氧化物來控制電路，也不存在溝道遷移率降低的問題。所以在可靠性方面，JFET相比MOSFET有很大的優(yōu)勢(shì)。不需要負(fù)柵極驅(qū)動(dòng)電壓，也能夠最大限度地減少?gòu)墓柽^渡到碳化硅的難度，降低設(shè)計(jì)難度。

另外，Qorvo獨(dú)特的共源共柵配置也使SiC JFET能夠與低壓硅基MOSFET串聯(lián)工作。在共源共柵配置中，柵極驅(qū)動(dòng)器控制硅基MOSFET的漏-源電壓，從而間接驅(qū)動(dòng)高壓SiC JFET。這種配置提供了與硅基IGBT、超結(jié)MOSFET和SiC功率FET兼容的柵極控制電壓范圍。因此，傳統(tǒng)上用于控制硅基MOSFET和IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)器也可以用于驅(qū)動(dòng)SiC功率FET。

與此同時(shí)，相比SiC MOSFET，SiC JFET具有更低的導(dǎo)通電阻、更低的導(dǎo)通損耗，提供更高的開關(guān)速度，更低的開關(guān)損耗。與同類型的SiC MOSFET，SiC JFET的尺寸更小，這也能夠降低制造成本和縮小器件尺寸。

去年三月，Qrovo發(fā)布了一款采用TOLL封裝的高功率750V SiC FET，擁有全球最低的導(dǎo)通阻抗，低至5.4mΩ，比市場(chǎng)上同類產(chǎn)品中最好的硅基MOSFET、SiC MOSFET和GaN晶體管的導(dǎo)通阻抗還要低上4-10倍。

不過，根據(jù)安森美的介紹，SiC JFET不適合用于大功率應(yīng)用，但在數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用中，為了提高電源效率，頻率更高、損耗更低的SiC JFET就與這些中小功率電源應(yīng)用較為契合。在收購(gòu)Qrovo的SiC業(yè)務(wù)后，也能夠與安森美目前的數(shù)據(jù)中心電源業(yè)務(wù)更好地配合。

小結(jié)：

SiC市場(chǎng)在過去一年時(shí)間中陷入了嚴(yán)重的低價(jià)內(nèi)卷局面，市場(chǎng)出清的過程開始加速。安森美收購(gòu)Qorvo的碳化硅業(yè)務(wù)，代表了頭部企業(yè)在行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇的環(huán)境中繼續(xù)補(bǔ)強(qiáng)的決心，未來中小規(guī)模的碳化硅廠商是否也會(huì)出現(xiàn)更多的被收購(gòu)案例，值得關(guān)注。