近日，第三代半導體“2024行家極光獎”在深圳揭曉，數百家SiC&GaN企業(yè)代表聯(lián)袂赴宴，經過數月時間的緊密籌劃，專家組委會和眾多行業(yè)人士投票評選，派恩杰榮耀登榜“中國SiC器件Fabless十強企業(yè)”。

“行家極光獎”年度企業(yè)獎項主要授予在碳化硅和氮化鎵領域擁有一定聲望，取得重要成績，技術水平達到行業(yè)以至國內外先進水平，在推動行業(yè)發(fā)展、技術創(chuàng)新和市場推廣等方面做出優(yōu)異成績或起到引領作用的企業(yè)。

2024年，第三代半導體繼續(xù)乘勢而上、高歌猛進，與此同時，全球經濟增長疲軟導致碳化硅和氮化鎵的市場需求出現(xiàn)波動，行業(yè)的競爭和挑戰(zhàn)也在加劇。盡管如此，派恩杰仍不斷保持企業(yè)戰(zhàn)略定力，積極應對挑戰(zhàn)，憑借過硬的技術和產品實力不斷突破，并獲得客戶與市場的一致高度好評，在今年的競爭中脫穎而出獲得了“中國SiC器件Fabless十強企業(yè)的”稱號。獲得本年度[十強榜單]獎項的企業(yè)在品牌影響力、市場占有率、創(chuàng)新能力和未來的發(fā)展?jié)摿Φ染C合實力較為突出。

“行家極光獎”是由行家說開創(chuàng)，每年舉辦一屆，致力于成為碳化硅和氮化鎵半導體領域權威的行業(yè)評選活動，多年來一直秉持著公正、公開、科學、權威的原則，以產業(yè)縱深角度、專業(yè)嚴謹地評選出獲獎單位及產品，被譽為產業(yè)的“風向標”。

派恩杰半導體

成立于2018年9月的第三代半導體功率器件設計和方案商，國際標準委員會JC-70會議的主要成員之一，參與制定寬禁帶半導體功率器件國際標準。發(fā)布了100余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT功率器件，其中SiC MOSFET芯片已大規(guī)模導入國產新能源整車廠和Tier 1，其余產品廣泛用于大數據中心、超級計算與區(qū)塊鏈、5G通信基站、儲能/充電樁、微型光伏、城際高速鐵路和城際軌道交通、家用電器以及特高壓、航空航天、工業(yè)特種電源、UPS、電機驅動等領域。