本文介紹了半導體材料碳化硅的性能、碳化硅單晶生長以及高純碳化硅粉體的合成方式。

在科技飛速發(fā)展的今天，半導體材料領(lǐng)域正經(jīng)歷著一場深刻的變革。第三代寬禁帶半導體材料碳化硅（SiC），憑借其卓越的物理特性，在眾多高科技應(yīng)用中嶄露頭角，備受全球矚目。

特性卓越，應(yīng)用廣泛

SiC之所以能在半導體舞臺上大放異彩，首先得益于其出色的寬帶隙特性。其寬帶隙范圍在2.3-3.3eV之間，這一特性使其成為制造高頻、大功率電子器件的理想之選。就像為電子信號搭建了一條寬闊的高速公路，能夠讓高頻信號順暢通行，為實現(xiàn)更高效、更快速的數(shù)據(jù)處理和傳輸提供了堅實的基礎(chǔ)。 高熱導率也是SiC的一大亮點，其熱導率可達3.6-4.8W·cm-1·K-1。這意味著它能夠迅速將熱量散發(fā)出去，如同給電子器件安裝了一個高效的散熱“引擎”，使其在抗輻射、抗腐蝕的電子器件應(yīng)用中表現(xiàn)卓越。無論是在太空探索中面臨宇宙射線輻射的考驗，還是在惡劣工業(yè)環(huán)境下抵御腐蝕的侵蝕，SiC都能堅守崗位，穩(wěn)定運行。 此外，SiC還擁有高載流子飽和遷移率，為1.9-2.6×107cm·s-1。這一特性進一步拓展了其在半導體領(lǐng)域的應(yīng)用潛力，為提升電子器件的性能提供了有力支持，讓電子在其中能夠快速且高效地移動，從而實現(xiàn)更強大的功能。

歷史的發(fā)展與演進

回顧SiC晶體材料的發(fā)展歷程，猶如翻開一部科技進步的史書。早在1892年，Acheson就發(fā)明了用二氧化硅和碳合成SiC粉體的方法，為SiC材料的研究開啟了大門。然而，當時制得的SiC材料純度有限，尺寸也較小，如同一個尚在襁褓中的嬰兒，雖有無限潛力，但還需不斷成長與完善。 時間來到1955年，Lely通過升華技術(shù)成功生長出相對純凈的SiC晶體，這無疑是SiC發(fā)展史上的一個重要里程碑。但可惜的是，該方法得到的SiC片狀材料尺寸小，性能差異大，就像一群參差不齊的士兵，難以在高端應(yīng)用領(lǐng)域形成強大的戰(zhàn)斗力。 直到1978-1981年，Tairov和Tsvetkov在Lely法基礎(chǔ)上引入籽晶，精心設(shè)計溫度梯度以控制物質(zhì)運輸，也就是我們現(xiàn)在所說的改進的Lely法或籽晶升華法（PVT法）。這一創(chuàng)新舉措，為SiC晶體的生長帶來了新的曙光，使得SiC晶體的質(zhì)量和尺寸控制有了顯著的提升，為后續(xù)SiC在更多領(lǐng)域的應(yīng)用奠定了堅實的基礎(chǔ)。

單晶生長的核心要素

在SiC單晶的生長過程中，SiC粉體的質(zhì)量起著決定性的作用。當使用β-SiC粉體生長SiC單晶時，會發(fā)生向α-SiC的相轉(zhuǎn)變，這一過程會影響氣相組分中的Si/C摩爾比，就像一場微妙的化學平衡舞蹈，一旦失衡，就會對晶體生長產(chǎn)生不利影響，如同在建造高樓大廈時，基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)的不穩(wěn)定會導致整座建筑的搖搖欲墜。 而且，單晶中大部分雜質(zhì)都來源于SiC粉體，它們之間存在著緊密的線性關(guān)系。也就是說，粉體的純度越高，單晶的質(zhì)量就越好。因此，制備高純度的SiC粉體成為了合成高質(zhì)量SiC單晶的關(guān)鍵所在，這就要求我們在粉體合成過程中，必須嚴格控制雜質(zhì)含量，確保每一個“原料分子”都符合高標準。

高純SiC粉體合成方法

目前，合成高純SiC粉體主要有氣相法、液相法和固相法三種途徑。 氣相法通過巧妙控制氣源中的雜質(zhì)含量來獲取高純SiC粉體，其中包括CVD法和等離子體法。CVD法利用高溫反應(yīng)的魔法，能夠得到超細、高純的SiC粉體。例如，Huang等以(CH3)2SiCl2作為原料，在1100-1400℃的高溫“熔爐”中，成功制備出純度高、含氧量低的納米碳化硅粉體，如同在微觀世界里精心雕琢出一件件精美的藝術(shù)品。等離子體法則借助高能電子碰撞的力量，實現(xiàn)高純SiC粉體的合成。像Lin等采用微波等離子體法，將四甲基硅烷(TMS)作為反應(yīng)氣體，在高能電子的“沖擊”下，合成出高純的SiC粉體。不過，氣相法雖然純度高，但成本高昂且合成速率低，就像一位技藝精湛但收費昂貴且工作效率不高的工匠，難以滿足大批量生產(chǎn)的需求。 液相法中，溶膠-凝膠法獨樹一幟，可以合成高純的SiC粉體。宋永才等以工業(yè)硅溶膠和水溶性酚醛樹脂為原料，在高溫下進行碳熱還原反應(yīng)，最終得到SiC粉體。但液相法同樣面臨成本高、合成過程復雜的問題，如同一條布滿荊棘的道路，雖然能通向目標，但前行的代價和難度都較大，不太適合工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)。 固相法中的改進的自蔓延高溫合成法，是當前使用范圍最廣、合成工藝最為成熟的SiC粉體制備方法。例如Jung等使用非晶炭黑和C粉作為原料，在高純Ar氣氛下高溫合成高純β-SiC粉體。它的優(yōu)勢在于過程簡單、合成效率高，就像一位勤勞樸實的農(nóng)夫，雖然干活麻利，但也存在一些不足，比如活化劑可能會引入雜質(zhì)，并且需要提高反應(yīng)溫度和持續(xù)加熱，這就像是在豐收的道路上，還需要克服一些小障礙才能收獲更優(yōu)質(zhì)的成果。