設(shè)計芯片:半導(dǎo)體制造的起點
半導(dǎo)體產(chǎn)品的制造始于芯片設(shè)計。設(shè)計階段是整個制造過程的第一步,工程師們根據(jù)產(chǎn)品所需的功能來設(shè)計芯片。芯片設(shè)計完成后,下一步是將這些設(shè)計轉(zhuǎn)化為實體的晶圓。晶圓由重復(fù)排列的芯片組成,每個小格子狀的結(jié)構(gòu)就代表一個芯片。芯片的體積大小直接影響到單個晶圓上可以產(chǎn)出的芯片數(shù)量。

半導(dǎo)體制程工序概覽
半導(dǎo)體制程工序可以分為三個主要階段:晶圓制作、封裝和測試。晶圓制作屬于前端工藝,而封裝和測試則屬于后端工藝。在晶圓制作中,CMOS制程屬于前端,金屬布線則屬于后端。這種分工模式使得半導(dǎo)體制造更加專業(yè)化和高效。
芯片設(shè)計公司與晶圓代工廠
只負責(zé)半導(dǎo)體設(shè)計的公司被稱為芯片設(shè)計公司(Fabless),如高通(Qualcomm)和蘋果(Apple)。而負責(zé)晶圓制作的制造商則被稱為晶圓代工廠(Foundry),例如臺積電(TSMC)。這些代工廠根據(jù)Fabless公司的設(shè)計來制造晶圓。此外,還有集成設(shè)備制造商(IDM),如SK海力士,它們集設(shè)計、制造、封裝和測試于一身。

封裝和測試:質(zhì)量控制的關(guān)鍵
封裝和測試是半導(dǎo)體制造過程中至關(guān)重要的環(huán)節(jié),其主要目的是防止不良產(chǎn)品出廠。不良產(chǎn)品不僅會損害客戶的信任,還可能導(dǎo)致公司銷售業(yè)績下降和資金損失。因此,半導(dǎo)體產(chǎn)品在出廠前必須經(jīng)過細致全面的檢測。
測試的種類與方法
測試工藝可以根據(jù)不同的測試對象和參數(shù)進行分類。晶圓測試和封裝測試是按測試對象分類的兩種類型,而溫度、速度和運作模式測試則是按測試參數(shù)分類的三種類型。這些測試確保產(chǎn)品在各種環(huán)境下的可靠性和性能。
1.溫度測試:環(huán)境適應(yīng)性的關(guān)鍵
溫度測試是評估半導(dǎo)體產(chǎn)品在不同溫度下性能的重要環(huán)節(jié)。高溫和低溫測試分別模擬產(chǎn)品在極端溫度下的表現(xiàn),而恒溫測試則模擬標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境條件。
2.速度測試:性能的保障
速度測試包括核心測試和速率測試,核心測試關(guān)注產(chǎn)品的核心功能是否按計劃運作,而速率測試則關(guān)注產(chǎn)品的運作速率是否達到目標(biāo)。隨著對高速半導(dǎo)體產(chǎn)品需求的增加,速度測試變得越來越重要。
3.運作模式測試:功能的驗證
運作模式測試包括直流測試、交流測試和功能測試,這些測試驗證產(chǎn)品的電流、電壓參數(shù)以及邏輯功能是否正確運作。對于半導(dǎo)體存儲器來說,功能測試尤為重要,它確保存儲單元和周圍電路的邏輯功能正常。
4.晶圓測試:芯片品質(zhì)的初步檢驗
晶圓測試是檢驗晶圓上芯片特性和品質(zhì)的過程。通過連接測試機和芯片,并向芯片施加電流和信號,晶圓測試可以篩選出不良芯片,并為后續(xù)的封裝和測試提供重要信息。
5.封裝測試:最終品質(zhì)的確認
封裝測試是對封裝后芯片的最終品質(zhì)進行確認的過程。由于封裝可能引入新的問題,且晶圓測試可能無法充分測試所有參數(shù),封裝測試就顯得尤為重要。它確保了產(chǎn)品在用戶環(huán)境中能夠正常工作,并滿足客戶的要求。
-
測試
+關(guān)注
關(guān)注
8文章
5705瀏覽量
128858 -
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
335文章
28916瀏覽量
237842 -
芯片設(shè)計
+關(guān)注
關(guān)注
15文章
1087瀏覽量
55654 -
封裝測試
+關(guān)注
關(guān)注
9文章
156瀏覽量
24296
發(fā)布評論請先 登錄
半導(dǎo)體芯片需要做哪些測試

有需要半導(dǎo)體設(shè)備的嗎
半導(dǎo)體測試解決方案
是不是所有的半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商對所有的器件都需要進行老化測試?
半導(dǎo)體失效分析樣品需要做哪些準(zhǔn)備?
半導(dǎo)體與芯片器件研究測試方案匯總【泰克篇】
半導(dǎo)體電阻率測試方案解析
什么是半導(dǎo)體晶圓?
電子工程師在開發(fā)初期需要做的電子測試EE測試報告
半導(dǎo)體測試愈發(fā)重要,如何進行半導(dǎo)體測試?
半導(dǎo)體芯片測試/半導(dǎo)體可靠性測試

半導(dǎo)體測試概述

評論