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意法半導(dǎo)體STGAP3S系列電隔離柵極驅(qū)動器概述

意法半導(dǎo)體中國 ? 來源:意法半導(dǎo)體中國 ? 2025-01-09 14:48 ? 次閱讀
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????????面向空調(diào)、家電和工廠自動化等工業(yè)電機(jī)驅(qū)動裝置和充電站、儲能系統(tǒng)、電源等能源應(yīng)用的功率控制。

意法半導(dǎo)體的STGAP3S系列碳化硅(SiC)和 IGBT功率開關(guān)柵極驅(qū)動器集成了意法半導(dǎo)體最新的穩(wěn)健的電隔離技術(shù)、優(yōu)化的去飽和保護(hù)功能和靈活的米勒鉗位架構(gòu)。

STGAP3S在柵極驅(qū)動通道與低壓控制和接口電路之間采用增強(qiáng)型電容隔離,瞬態(tài)隔離電壓(VIOTM)耐壓9.6kV,共模瞬態(tài)抗擾度(CMTI)達(dá)到200V/ns。通過采用這種的先進(jìn)的電隔離技術(shù),STGAP3S提高了空調(diào)、工廠自動化、家電等工業(yè)電機(jī)驅(qū)動裝置的可靠性。新驅(qū)動器還適合電源和能源應(yīng)用,包括充電站、儲能系統(tǒng)、功率因數(shù)校正(PFC)、直流-直流轉(zhuǎn)換器和太陽能逆變器。

STGAP3S產(chǎn)品系列為開發(fā)者提供不同的產(chǎn)品型號選擇,其中包括驅(qū)動電流10A和6A的產(chǎn)品,兩種產(chǎn)品都具有不同的欠壓鎖定(UVLO)和去飽和干預(yù)閾值,幫助設(shè)計人員選擇與其所選的SiC MOSFET或IGBT功率開關(guān)管性能最匹配的驅(qū)動器。

去飽和保護(hù)功能實現(xiàn)了對外部功率開關(guān)管的過載和短路保護(hù),可以使用外部電阻調(diào)整功率開關(guān)管的關(guān)斷策略,調(diào)整關(guān)斷速度來最大限度地提高保護(hù)功能,同時避免出現(xiàn)過多的過壓尖峰。欠壓鎖定保護(hù)可防止驅(qū)動電壓不足時導(dǎo)通。

驅(qū)動器集成的米勒鉗位架構(gòu)為外部N溝道MOSFET提供一個預(yù)驅(qū)動器。因此,設(shè)計人員可以靈活地選擇合適的干預(yù)速度,以防止感應(yīng)導(dǎo)通,并避免交叉導(dǎo)通。

現(xiàn)有的產(chǎn)品型號包括驅(qū)動能力10A拉/灌電流和6A拉/灌電流的驅(qū)動器,針對IGBT或SiC優(yōu)化的去飽和檢測和UVLO閾值,讓開發(fā)者所選的功率開關(guān)發(fā)揮極致性能。去飽和、UVLO和過熱保護(hù)的故障情況通過兩個專用的開漏診斷引腳通知控制器。

STGAP3SXS現(xiàn)已投產(chǎn),采用SO-16W寬體封裝。詢價和申請樣片,請聯(lián)系當(dāng)?shù)匾夥ò雽?dǎo)體銷售辦事處。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標(biāo)題:ST先進(jìn)的電隔離柵極驅(qū)動器STGAP3S為IGBT和SiC MOSFET提供靈活的保護(hù)功能

文章出處:【微信號:STMChina,微信公眾號:意法半導(dǎo)體中國】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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