致真存儲30億MRAM項目成功封頂
近日，總投資高達(dá)30億元的致真存儲芯片制造廠房項目在青島市迎來了封頂儀式。該項目作為青島市的重點產(chǎn)業(yè)項目，自啟動以來便備受矚目。
回顧去年，2024年5月16日，致真存儲芯片制造項目在此地正式奠基開工。該項目占地面積達(dá)到50畝，致力于建設(shè)新一代磁性隨機(jī)存儲（MRAM）芯片加工工藝線。經(jīng)過一段時間的緊張施工與精心籌備，如今項目已成功封頂，預(yù)示著距離投產(chǎn)使用又邁出了堅實的一步。
據(jù)預(yù)計，項目建成并達(dá)產(chǎn)后，將具備月產(chǎn)400萬顆高端芯片的生產(chǎn)能力，年產(chǎn)值有望突破數(shù)十億元大關(guān)。這不僅將為致真存儲帶來巨大的經(jīng)濟(jì)效益，更將為青島市的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入強(qiáng)勁動力。此次封頂儀式的成功舉辦，標(biāo)志著致真存儲在MRAM芯片制造領(lǐng)域邁出了重要的一步，也為未來的發(fā)展奠定了堅實的基礎(chǔ)。
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