無線通信領(lǐng)域，設(shè)備往往需要在有限的空間內(nèi)實現(xiàn)強大的信號傳輸功能，氮化鎵芯片就能憑借這一特性，滿足其功率需求的同時，還不會占據(jù)過多空間，有助于設(shè)備的小型化設(shè)計。在充電器制造方面更是如此，如今消費者對充電器的便攜性要求越來越高，氮化鎵芯片可以讓充電器在體積縮小的情況下，依然能夠提供較高的充電功率，像市面上很多氮化鎵快充充電器，相比傳統(tǒng)充電器，體積大幅減小，但充電速度卻更快，為人們的生活帶來了極大便利。

深圳銀聯(lián)寶科技在2024年相繼推出了多款氮化鎵芯片以及配套方案，U8722BH+U7612B、U8722DE+U7116、U8723AH+U7611等氮化鎵電源方案已成炙手可熱的明星產(chǎn)品。像U8722X就是一款集集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成高壓啟動路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現(xiàn)小于30mW的超低待機功耗。U8722X的工作頻率最高可達220kHz，可全范圍工作在準諧振模式。芯片集成峰值電流抖動功能和驅(qū)動電流可配置功能，可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能。芯片內(nèi)置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場景。

深圳銀聯(lián)寶科技氮化鎵芯片集成有完備的保護功能，包括：VDD欠壓保護(UVLO)、VDD過壓保護(VDD OVP)、輸入欠壓保護(BOP)、輸出過壓保護(OVP)、逐周期電流限制(OCP)、異常過流保護(AOCP)、過載保護(OLP)、輸出過流保護(SOCP)、內(nèi)置過熱保護(OTP)、前沿消隱(LEB)、CS管腳開路保護等。芯片采用峰值電流抖動的方式實現(xiàn)進一步的EMI性能優(yōu)化，峰值電流抖動幅值最大為±8%。芯片根據(jù)輸入電壓的變化調(diào)節(jié)抖動幅值，實現(xiàn)EMI優(yōu)化的基礎(chǔ)上進一步優(yōu)化輸出紋波。

2025年，深圳銀聯(lián)寶科技將持續(xù)在氮化鎵芯片領(lǐng)域深耕細作，通過改進工藝參數(shù)，精準控制材料的生長環(huán)境，減少缺陷產(chǎn)生，從而提升整體的生產(chǎn)良品率，同時也降低因材料問題帶來的成本提升，從源頭上為高質(zhì)量、低成本的氮化鎵芯片制造奠定基礎(chǔ)，為各位小伙伴的項目發(fā)展提供有力支持！