內(nèi)存(DRAM-Random Access Memory)作為現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)的核心組件之一,在計算機、汽車與消費電子產(chǎn)品上可謂無所不在。
其中 DDR SDRAM(雙數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存取存儲器,Double Data Rate SDRAM)是最常用的存儲器設計技術之一,DDR技術自推出以來,經(jīng)歷了多次迭代,包括DDR2、DDR3、DDR4以及最新的DDR5,每一代都在速度、容量和能效方面有所提升。隨著移動互聯(lián)網(wǎng)時代的到來,海量數(shù)據(jù)的爆發(fā)、AI和深度學習的興起,以及5G技術的推動,DDR4標準在個人信息終端上已顯得力不從心。
如今,DDR5正與PCIE5.0 32Gbps等第5代高速I/O數(shù)據(jù)傳輸技術共同邁向市場。傳輸速度加快使得此類存儲器的驗證難度呈指數(shù)上升。隨著DDR技術的不斷發(fā)展,信號完整性問題變得越來越重要。
DDR的工作機制與其信號的組成介紹
DDR的基本工作原理
DDR內(nèi)存的工作原理可以概括為以下幾個關鍵點:
1.雙倍數(shù)據(jù)速率
在傳統(tǒng)的SDR內(nèi)存中,數(shù)據(jù)只在時鐘的上升沿傳輸。而在DDR內(nèi)存中,數(shù)據(jù)在時鐘的上升沿和下降沿都傳輸,因此每個時鐘周期可以傳輸兩次數(shù)據(jù),從而實現(xiàn)雙倍的數(shù)據(jù)速率。
2.預取機制(Prefetch)
DDR內(nèi)存采用預取技術來提高數(shù)據(jù)傳輸效率。預取是指內(nèi)存控制器一次從內(nèi)存陣列中讀取多個數(shù)據(jù)位,然后分批次傳輸。例如:DDR1采用2n預?。看晤A取2位數(shù)據(jù)),DDR2采用4n預取,DDR3和DDR4采用8n預取,DDR5采用16n預取。
3.差分時鐘信號
DDR使用差分時鐘信號(CLK和CLK#)來提高抗噪聲能力和信號完整性。差分時鐘信號通過比較CLK和CLK#的電壓差來確定時鐘邊沿。
4.數(shù)據(jù)選通信號(DQS)
DQS信號用于同步數(shù)據(jù)信號的采樣。在寫入操作時,DQS由內(nèi)存控制器發(fā)出;在讀取操作時,DQS由內(nèi)存芯片發(fā)出。DQS也是差分信號(DQS和DQS#),確保數(shù)據(jù)在正確的時刻被采樣。
DDR的信號組成
1. 時鐘信號(CLK)
作用:時鐘信號是DDR數(shù)據(jù)傳輸?shù)暮诵模糜谕剿胁僮鳌?/p>
特點:DDR使用差分時鐘信號(CLK和CLK#),以提高抗噪聲能力。數(shù)據(jù)在時鐘的上升沿和下降沿都被采樣,從而實現(xiàn)雙倍數(shù)據(jù)速率。
2. 數(shù)據(jù)信號(DQ)
作用:用于傳輸實際的數(shù)據(jù)。
特點:數(shù)據(jù)信號是雙向的,既可以寫入內(nèi)存,也可以從內(nèi)存讀取。數(shù)據(jù)信號的寬度通常為64位(8字節(jié)),但也支持更寬的配置(如72位,帶ECC校驗)。
3. 數(shù)據(jù)選通信號(DQS)
作用:用于同步數(shù)據(jù)信號的采樣。
特點:DQS也是差分信號(DQS和DQS#),與數(shù)據(jù)信號(DQ)一一對應。在寫入操作時,DQS由控制器發(fā)出;在讀取操作時,DQS由內(nèi)存芯片發(fā)出。
重要性:DQS信號確保數(shù)據(jù)在正確的時刻被采樣,避免時序錯誤。
4. 地址信號(ADDR)
作用:用于指定內(nèi)存中數(shù)據(jù)的存儲位置。
特點:地址信號是單向的,由內(nèi)存控制器發(fā)出。地址信號的寬度決定了內(nèi)存的容量(例如,DDR4支持最多16Gb的單個內(nèi)存芯片)。
5. 控制信號(CMD)
作用:用于控制內(nèi)存的操作,如讀取、寫入、刷新等。常見控制信號:RAS#(行地址選通):選擇行地址。CAS#(列地址選通):選擇列地址。WE#(寫使能):控制寫入操作。CS#(片選):選擇特定的內(nèi)存芯片。
特點:控制信號通常是低電平有效(以“#”表示)。
6. 電源和地信號(VDD/VSS)
作用:為內(nèi)存芯片提供電源和地。
特點:DDR4和DDR5采用更低的電壓(如DDR4為1.2V,DDR5為1.1V),以提高能效。電源信號的穩(wěn)定性對信號完整性至關重要。
7. 其他信號
ODT(On-Die Termination,片上終端):用于匹配阻抗,減少信號反射。
CKE(Clock Enable,時鐘使能):控制時鐘信號的啟用和禁用。
ZQ(校準信號):用于調整驅動強度和終端電阻。
DDR工作機制與信號組成的關系
DDR的工作機制依賴于其信號組成,各類信號協(xié)同工作以實現(xiàn)高效的數(shù)據(jù)傳輸:
1. 寫入操作:內(nèi)存控制器發(fā)出寫入命令,并發(fā)送地址信號(ADDR)和數(shù)據(jù)信號(DQ)。控制器同時發(fā)出數(shù)據(jù)選通信號(DQS),用于同步數(shù)據(jù)信號的采樣。數(shù)據(jù)在DQS的上升沿和下降沿被寫入內(nèi)存陣列。數(shù)據(jù)信號(DQ)和DQS信號由控制器驅動。寫入操作需要滿足建立時間和保持時間的要求。
2. 讀取操作:內(nèi)存控制器發(fā)出讀取命令,并發(fā)送地址信號(ADDR)。內(nèi)存芯片根據(jù)地址從內(nèi)存陣列中讀取數(shù)據(jù)。內(nèi)存芯片發(fā)出數(shù)據(jù)信號(DQ)和數(shù)據(jù)選通信號(DQS),用于同步數(shù)據(jù)傳輸??刂破髟贒QS的上升沿和下降沿采樣數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)信號(DQ)和DQS信號由內(nèi)存芯片驅動。讀取操作需要滿足時序要求,確保數(shù)據(jù)在正確的時刻被采樣。
DDR的時序控制是其工作機制的核心,主要包括以下幾個關鍵時序參數(shù):
1. 時鐘周期(tCK)決定了DDR的數(shù)據(jù)傳輸速率。
2. CAS延遲(CL,Column Address Strobe Latency)從發(fā)出讀取命令到數(shù)據(jù)輸出的延遲時間,影響讀取操作的響應速度。
3. RAS到CAS延遲(tRCD,RAS to CAS Delay)從行地址選通(RAS)到列地址選通(CAS)的延遲時間,影響內(nèi)存訪問的效率。
4. 預充電時間(tRP,Row Precharge Time)指的是關閉當前行并準備打開新行所需的時間,其影響內(nèi)存的切換效率。
5. 刷新周期(tREF,Refresh Interval)定期刷新以保持數(shù)據(jù)的時間間隔,確保數(shù)據(jù)不會因電容放電而丟失。
SIDesigner與DDR
SIDesigner致力于全方位解決DDR面臨的信號完整性挑戰(zhàn)
在高速數(shù)據(jù)傳輸中,信號可能會受到多種因素的影響,導致信號失真、時序錯誤或數(shù)據(jù)丟失。DDR信號完整性的主要挑戰(zhàn)包括:信號在傳輸線末端或阻抗不匹配處反射,導致信號疊加和失真。相鄰信號線之間的電磁干擾產(chǎn)生的串擾,導致信號質量下降。時鐘信號的微小變化引起的時鐘抖動可能導致數(shù)據(jù)采樣錯誤。電源噪聲會影響信號的穩(wěn)定性和可靠性。
通過巨霖的SIDesigner進行高精度的DDR的仿真,可以預測信號在傳輸過程中各個端口之間的串擾和反射的行為。在仿真后得到眼圖(Eye Diagram),通過觀測眼圖可以直觀地顯示信號的抖動、噪聲和失真情況。
并且通過軟件內(nèi)置的測量工具來測量眼圖來評估信號的質量,通過測量眼圖的眼高來確定信號的幅度穩(wěn)定性,測量眼寬來確定信號的時間裕量。同時可以導入對應的DDR眼圖模板來進行多信號觀測,看是否滿足設計規(guī)范。
通過SIDesigner也可以計算得到眼圖的誤碼率曲線來衡量信號質量,同時在仿真中可以通過使用ibis模型中自帶的不同的ODT模型來進行阻抗匹配的分析來獲取最優(yōu)的信號質量,同時通過仿真clk信號,觀測交叉點是否居中,驗證時鐘信號和數(shù)據(jù)信號之間的時序關系,確保數(shù)據(jù)在正確的時刻被采樣。
SIDesigner也支持導入實際的電源噪聲進行仿真來考慮電源對信號的影響。通過SiDesigner的高精度仿真工程師可以直觀的觀測到信號的質量問題,分析這些問題后,通過修改原理圖繼續(xù)仿真來獲得符合預期設計規(guī)范的信號。
歡迎從官網(wǎng)申請試用我們的軟件,過程中的任何疑問可聯(lián)系support技術人員,期待與您的交流!
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原文標題:SIDesigner致力于全方位解決DDR面臨的信號完整性挑戰(zhàn)
文章出處:【微信號:巨霖,微信公眾號:巨霖】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
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