小小MOSFET，大有乾坤。在電力電子系統(tǒng)中，MOSFET作為核心元件扮演著至關(guān)重要的角色，支撐從數(shù)據(jù)中心到通訊基站等各種開關(guān)電源應(yīng)用。雖然其應(yīng)用廣泛且深受歡迎，但技術(shù)挑戰(zhàn)依舊嚴(yán)峻。伴隨器件尺寸的縮減，物理限制逐漸顯現(xiàn)，MOSFET面臨著性能瓶頸；加之苛刻環(huán)境對可靠性的迫切要求，構(gòu)成了需要共同攻克的難題。

東芝推出并已大量投放到市場應(yīng)用的150 V N溝道功率MOSFETTPH9R00CQ5，采用最新一代U-MOX-H工藝，實(shí)現(xiàn)了更小的體積，同時具有業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻和優(yōu)化的反向恢復(fù)特性，有助于降低損耗，提高電源效率。在工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源、數(shù)據(jù)中心和通信基站等電源應(yīng)用中，該器件展現(xiàn)出了其卓越的性能，有效解決了上述技術(shù)難題。

一、MOSFET功能特性分析

東芝TPH9R00CQ5 MOSFET具備僅為9.0 mΩ（最大值）的行業(yè)領(lǐng)先的低漏源導(dǎo)通電阻，相較于可被替代的150 V系列TPH1500CNH1，其導(dǎo)通電阻降低了約42%。這一顯著改進(jìn)意味著，在相同的工作條件下，TPH9R00CQ5產(chǎn)生的功耗更少，進(jìn)而提升了電源的整體效率。

除了低導(dǎo)通電阻外，TPH9R00CQ5在反向恢復(fù)特性上也實(shí)現(xiàn)了重大突破。與東芝的另一款產(chǎn)品TPH9R00CQH4相比，其反向恢復(fù)電荷減少了約74%，反向恢復(fù)時間縮短了約44%。這兩個關(guān)鍵指標(biāo)的優(yōu)化，使得TPH9R00CQ5在同步整流應(yīng)用中表現(xiàn)出色，能夠顯著降低開關(guān)電源的功率損耗，進(jìn)一步提升系統(tǒng)效率。

此外，TPH9R00CQ5還降低了開關(guān)過程中產(chǎn)生的尖峰電壓，這對于減少電源的電磁干擾（EMI）至關(guān)重要。降低EMI不僅有助于提高系統(tǒng)的可靠性，還能減少對其他電子設(shè)備的干擾，從而確保整個系統(tǒng)的正常運(yùn)行。

在封裝方面，TPH9R00CQ5采用業(yè)界廣泛認(rèn)可的表面貼裝型SOP Advance（N）封裝，使該器件在設(shè)計和制造過程中更加靈活和便捷。SOP封裝具有小尺寸、低成本、易于焊接和布局緊湊的特點(diǎn)。

二、TPH9R00CQ5的主要特性

（1）業(yè)界領(lǐng)先的低漏源導(dǎo)通電阻：RDS(ON)＝9.0 mΩ（最大值）（VGS＝10 V）

（2）業(yè)界領(lǐng)先的低反向恢復(fù)電荷：Qrr＝34 nC（典型值）（-dIDR/dt＝100 A/μs）

（3）業(yè)界領(lǐng)先的快速反向恢復(fù)時間：trr＝40 ns（典型值）（-dIDR/dt＝100 A/μs）

（4）小反向恢復(fù)電荷：Qrr=34 nC（典型值）

（5）小柵極電荷：QSW=11.7 nC（典型值）

（6）低漏電流：IDSS=10 μA（最大）（VDS=150 V）

（7）高結(jié)溫額定值：Tch（最大值）＝175 ℃

（8）增強(qiáng)模式：Vth=3.1至4.5 V（VDS=10 V，ID=1.0 mA）

（9）封裝和內(nèi)部電路：SOP Advance（N）

SOP Advance（N）封裝

TB67B001FTG的主要規(guī)格

三、產(chǎn)品亮點(diǎn)及應(yīng)用方向

東芝TPH9R00CQ5 MOSFET的最大優(yōu)勢在于其內(nèi)阻更小以及反向恢復(fù)電荷的顯著降低。在這兩個特性的共同作用下，該器件在電源應(yīng)用中能夠更高效地工作，有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率。具體而言，其低內(nèi)阻特性減少了導(dǎo)通狀態(tài)下的功耗，而優(yōu)化的反向恢復(fù)特性則降低了開關(guān)過程中的功耗，共同為系統(tǒng)效率的提升做出了重要貢獻(xiàn)。

東芝TPH9R00CQ5的應(yīng)用方向是工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源，包括用于數(shù)據(jù)中心和通信基站的電源，也包括高效率DC-DC轉(zhuǎn)換器、開關(guān)穩(wěn)壓器、電機(jī)驅(qū)動器等。

為了方便用戶使用該產(chǎn)品開發(fā)各種應(yīng)用，東芝提供支持開關(guān)電源電路設(shè)計的相關(guān)工具，包括迅速驗證電路功能的G0 SPICE模型外，以及能夠準(zhǔn)確再現(xiàn)電路瞬態(tài)特性的高精度G2 SPICE模型。

東芝此前已有的“1 kW全橋DC-DC轉(zhuǎn)換器”參考設(shè)計可用于TPH9R00CQ5；新開發(fā)的參考設(shè)計包括“用于通信設(shè)備的1 kW非隔離Buck-Boost DC-DC轉(zhuǎn)換器”與“采用MOSFET的3相多電平逆變器”。

“1 kW全橋DC-DC轉(zhuǎn)換器”參考設(shè)計

“采用MOSFET的3相多電平逆變器”參考設(shè)計

總的來說，東芝推出的150 V N溝道功率MOSFET TPH9R00CQ5，憑借其卓越的技術(shù)性能和廣泛的應(yīng)用前景，在市場應(yīng)用中卓有成效。這款高性能MOSFET不僅滿足了數(shù)據(jù)中心和通信基站等高端應(yīng)用的需求，更以其出色的性能和穩(wěn)定性，顯著提升了東芝在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的競爭力。

展望未來，東芝將繼續(xù)深耕功率MOSFET領(lǐng)域，致力于擴(kuò)大產(chǎn)品線，降低功率損耗，提高電源效率，助力改善設(shè)備效率，推動行業(yè)進(jìn)步。

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