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芯片互連技術(shù)深度解析:焊球、銅柱與微凸點的奧秘

芯長征科技 ? 來源:芯長征科技 ? 2025-02-20 10:06 ? 次閱讀

隨著電子設(shè)備向小型化、高性能化發(fā)展,芯片封裝技術(shù)也在不斷演進(jìn)。高密度芯片封裝是滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品需求的關(guān)鍵技術(shù)之一,而芯片互連技術(shù)作為封裝的核心環(huán)節(jié),經(jīng)歷了從焊球到銅柱再到微凸點的技術(shù)革新。本文將從高密度芯片封裝的發(fā)展歷程出發(fā),解析焊球、銅柱及微凸點三種互連技術(shù)的定義、材料、制作工藝、適用范圍、用途及典型案例,并將這些技術(shù)融入芯片封裝發(fā)展的歷史背景中,展現(xiàn)其在不同階段的作用與意義。

芯片封裝發(fā)展歷程與互連技術(shù)的演進(jìn)

1. 早期階段:20世紀(jì)90年代——焊球技術(shù)的興起

背景:隨著集成電路(IC)復(fù)雜度的提升,傳統(tǒng)的引線鍵合技術(shù)已無法滿足高密度封裝的需求。焊球技術(shù)(Ball Grid Array, BGA)應(yīng)運而生,成為主流互連技術(shù)。BGA通過將焊球陣列排列在芯片底部,實現(xiàn)了更高的引腳密度和更短的信號傳輸路徑。

焊球技術(shù)

·定義:通過將焊球排列成陣列形式,實現(xiàn)芯片與基板互連的技術(shù)。

·材料:通常采用錫鉛(Sn-Pb)合金或無鉛合金(如Sn-Ag-Cu)。

·制作工藝:在芯片底部制作焊盤,通過絲網(wǎng)印刷或電鍍技術(shù)形成焊球,再通過回流焊實現(xiàn)連接。

·適用范圍:中等密度封裝,適用于消費電子、通信設(shè)備等領(lǐng)域。

·典型案例:Intel的早期處理器封裝、手機基帶芯片封裝。

意義:焊球技術(shù)解決了傳統(tǒng)引線鍵合技術(shù)的引腳密度和信號傳輸瓶頸,推動了高密度封裝的發(fā)展。

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2. 中期階段:20世紀(jì)90年代——銅柱技術(shù)的引入

背景:隨著芯片尺寸的縮小和I/O數(shù)量的增加,焊球的尺寸和間距逐漸接近物理極限。銅柱技術(shù)(Copper Pillar)因其更高的機械強度和更小的間距優(yōu)勢,逐漸在高性能芯片封裝中得到應(yīng)用。

銅柱技術(shù)

·定義:通過銅柱實現(xiàn)芯片與基板互連的技術(shù),具有更高的機械強度和更小的間距。

·材料:純銅或銅合金,頂部涂覆錫銀(Sn-Ag)合金。

·制作工藝:在芯片底部制作銅柱,通過熱壓焊將銅柱與基板連接。

·適用范圍:高密度封裝,適用于高性能計算、服務(wù)器等領(lǐng)域。

·典型案例:NVIDIA的高性能GPU封裝、高端服務(wù)器處理器封裝。

意義:銅柱技術(shù)進(jìn)一步提升了封裝密度和性能,滿足了高性能計算和服務(wù)器領(lǐng)域的需求。

3. 現(xiàn)階段:2010年代至今——微凸點技術(shù)的突破

背景:隨著摩爾定律的延續(xù),芯片特征尺寸進(jìn)一步縮小,傳統(tǒng)的焊球和銅柱技術(shù)已難以滿足超高性能和超小尺寸封裝的需求。微凸點技術(shù)(Micro Bump)通過更小的尺寸和更高的密度,成為3D封裝和異構(gòu)集成的主流選擇。

微凸點技術(shù)

·定義:通過微米級凸點實現(xiàn)芯片與基板或芯片與芯片互連的技術(shù)。

·材料:錫銀(Sn-Ag)合金或銅鎳(Cu-Ni)合金。

·制作工藝:在芯片表面制作微凸點,通過熱壓焊或回流焊實現(xiàn)互連。

·適用范圍:超高密度封裝,適用于3D封裝、異構(gòu)集成等領(lǐng)域。

·典型案例:AMD的3D V-Cache技術(shù)、蘋果M系列處理器的異構(gòu)集成。

意義:微凸點技術(shù)推動了3D封裝和異構(gòu)集成的發(fā)展,為芯片性能的進(jìn)一步提升提供了技術(shù)支持。

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焊球、銅柱及微凸點技術(shù)對比

技術(shù)特性 焊球技術(shù) 銅柱技術(shù) 微凸點技術(shù)
定義 焊球陣列互連 銅柱互連 微米級凸點互連
材料 Sn-Pb或Sn-Ag-Cu 純銅或銅合金 Sn-Ag或Cu-Ni合金
制作工藝 絲網(wǎng)印刷、回流焊 電鍍、熱壓焊 光刻、熱壓焊
適用范圍 中等密度封裝 高密度封裝 超高密度封裝
用途 芯片與基板互連 高性能芯片互連 3D封裝、異構(gòu)集成
典型案例 Intel早期處理器 NVIDIA GPU AMD 3D V-Cache
歷史發(fā)展 1990年代興起 2000年代引入 2010年代突破
Pad節(jié)距 0.5 mm - 1.0 mm 0.2 mm - 0.5 mm 0.05 mm - 0.2 mm

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總結(jié)

焊球、銅柱及微凸點技術(shù)分別代表了芯片互連技術(shù)在不同發(fā)展階段的核心突破。從20世紀(jì)90年代的焊球技術(shù)到21世紀(jì)初的銅柱技術(shù),再到2010年代至今的微凸點技術(shù),每一種技術(shù)都在特定的歷史階段解決了封裝密度和性能的瓶頸問題,推動了芯片封裝技術(shù)的不斷演進(jìn)。焊球技術(shù)適用于中等密度封裝,Pad節(jié)距為0.5 mm - 1.0 mm;銅柱技術(shù)適用于高密度封裝,Pad節(jié)距為0.2 mm - 0.5 mm;微凸點技術(shù)則適用于超高密度封裝,Pad節(jié)距為0.05 mm - 0.2 mm。未來,隨著3D封裝和異構(gòu)集成的進(jìn)一步發(fā)展,微凸點技術(shù)將繼續(xù)引領(lǐng)芯片互連技術(shù)的創(chuàng)新潮流,為電子設(shè)備的小型化和高性能化提供更強大的支持

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原文標(biāo)題:芯片互連技術(shù)解析:焊球、銅柱及微凸點

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