LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝中集成 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器，簡化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。

可編程導(dǎo)通壓擺率可實(shí)現(xiàn) EMI 和振鈴控制。與傳統(tǒng)的電流檢測電阻相比，電流檢測仿真可降低功耗，并允許將低側(cè)散熱焊盤連接到?jīng)鏊?PCB 電源地。

LMG3624 具有低靜態(tài)電流和快速啟動(dòng)時(shí)間，可滿足轉(zhuǎn)換器輕負(fù)載效率要求，并實(shí)現(xiàn)突發(fā)模式運(yùn)行。保護(hù)特性包括欠壓鎖定 (UVLO)、逐周期電流限制和過熱保護(hù)。過熱保護(hù)通過開漏 FLT 引腳報(bào)告。

TI LMG3624數(shù)據(jù)表：
*附件：LMG3624 具有集成式驅(qū)動(dòng)器和電流檢測仿真功能的 650V 170m? GaN FET數(shù)據(jù)表.pdf

TI LMG3624技術(shù)文章：
*附件：TI LMG3624 具有集成式驅(qū)動(dòng)器和電流檢測仿真功能的 650V 170m? GaN FET技術(shù)文檔.pdf

TI LMG3624應(yīng)用簡報(bào)：

*附件：利用 TI GaN 中的集成電流檢測功能更大限度提高系統(tǒng)效率.pdf

TI LMG3624產(chǎn)品概述：
*附件：使用 LMG362x 系列低功耗 GaN FET 進(jìn)行設(shè)計(jì).pdf