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LMG2652 650V、140mΩ GaN半橋,集成驅(qū)動器、保護和電流感應概述

科技綠洲 ? 2025-02-21 10:46 ? 次閱讀
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LMG2652 是一個 650V 140mΩ GaN 功率 FET 半橋。該LMG2652通過在 6mm x 8mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅(qū)動器、自舉二極管和高側(cè)柵極驅(qū)動電平轉(zhuǎn)換器,簡化了設(shè)計,減少了元件數(shù)量,并減少了電路板空間。

與傳統(tǒng)的電流檢測電阻器相比,低側(cè)電流檢測仿真降低了功率耗散,并允許將低側(cè)導熱墊連接到冷卻 PCB 電源接地。
*附件:LMG2652 650V、140mΩ GaN半橋,集成驅(qū)動器、保護和電流感應.pdf

高側(cè) GaN 功率 FET 可通過低側(cè)參考柵極驅(qū)動引腳 (INH) 或高側(cè)參考柵極驅(qū)動引腳 (GDH) 進行控制。在具有挑戰(zhàn)性的電源開關(guān)環(huán)境中,高側(cè)柵極驅(qū)動信號電平轉(zhuǎn)換器將 INH 引腳信號可靠地傳輸?shù)礁邆?cè)柵極驅(qū)動器。智能開關(guān) GaN 自舉 FET 沒有二極管正向壓降,避免了對高側(cè)電源的過度充電,并且反向恢復電荷為零。

該 LMG2652 支持轉(zhuǎn)換器輕載效率要求和突發(fā)模式作,具有低靜態(tài)電流和快速啟動時間。保護功能包括 FET 導通互鎖、欠壓鎖定 (UVLO)、逐周期電流限制和過溫關(guān)斷。

特性:

  • 650V GaN 功率 FET 半橋
  • 140mΩ 低側(cè)和高側(cè) GaN FET
  • 集成柵極驅(qū)動器,具有 <100ns 的低傳播延遲
  • 具有高帶寬和高精度的電流感應仿真
  • 低側(cè)參考 (INH) 和高側(cè)參考 (GDH) 高側(cè)柵極驅(qū)動引腳
  • 低側(cè) (INL) / 高側(cè) (INH) 柵極驅(qū)動聯(lián)鎖
  • 高側(cè) (INH) 柵極驅(qū)動信號電平轉(zhuǎn)換器
  • 智能開關(guān)自舉二極管功能
  • 高側(cè)啟動 (Highside Startup):<8μs
  • 低側(cè)/高側(cè)逐周期過流保護
  • 過熱保護
  • AUX 空閑靜態(tài)電流:250μA
  • AUX 待機靜態(tài)電流:50μA
  • BST 空閑靜態(tài)電流:70μA
  • 8mm × 6mm QFN 封裝,帶雙導熱墊

參數(shù):

image.png

方框圖:
image.png

應用
?AC/DC適配器和充電器
?AC/DC USB壁式插座電源
?AC/DC輔助電源
?移動壁式充電器設(shè)計
?USB壁式電源插座
*附件:LMG2652半橋子卡評估模塊.pdf

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