LMG5200器件是一個 80V、10A 驅動器和 GaN 半橋功率級，使用增強型氮化鎵 （GaN） FET 提供集成功率級解決方案。該器件由兩個 80V GaN FET 組成，由一個采用半橋配置的高頻 GaN FET 驅動器驅動。

GaN FET 具有接近零的反向恢復和非常小的輸入電容 C ，因此為功率轉換提供了顯著的優(yōu)勢 國際空間站 .所有器件都安裝在完全無鍵合絲的封裝平臺上，最大限度地減少了封裝寄生元件。LMG5200 器件采用 6 mm × 8 mm × 2 mm 無鉛封裝，可輕松安裝在 PCB 上。

*附件：LMG5200 80V、10A GaN 半橋功率級數(shù)據表.pdf

TTL 邏輯兼容輸入可以承受高達 12 V 的輸入電壓，而與 VCC 電壓無關。專有的自舉電壓箝位技術確保增強型 GaN FET 的柵極電壓在安全工作范圍內。

該器件通過提供更用戶友好的界面，擴展了分立式 GaN FET 的優(yōu)勢。對于需要高頻、高效率運行、小尺寸的應用，它是理想的解決方案。與 TPS53632G 控制器一起使用時，LMG5200 可實現(xiàn)從 48 V 到負載點電壓 （0.5-1.5 V） 的直接轉換。

特性

• 集成 15mΩ GaN FET 和驅動器
• 80V 連續(xù)、100V 脈沖額定電壓
• 封裝經過優(yōu)化，便于 PCB 布局，無需底部填充、爬電距離和間隙要求
• 極低的共源極電感，可確保高轉換速率開關，而不會在硬開關拓撲中引起過多的振鈴
• 非常適合隔離和非隔離應用
• 柵極驅動器能夠實現(xiàn)高達 10 MHz 的開關頻率
• 內部自舉電源電壓箝位，以防止 GaN FET 過驅
• 電源軌欠壓鎖定保護
• 出色的傳播延遲（典型值為 29.5 ns）和匹配（典型值為 2 ns）
• 低功耗

參數(shù)

方框圖

1. 產品概述

• ?型號?：LMG5200
• ?類型?：80V、10A GaN半橋功率級
• ?特點?：集成15mΩ GaN FETs和驅動器，適用于高頻開關應用

2. 主要特性

• ?電壓范圍?：連續(xù)80V，脈沖100V
• ?電流能力?：10A
• ?開關頻率?：高達10MHz
• ?封裝優(yōu)化?：易于PCB布局，無需底部填充，滿足爬電距離和電氣間隙要求
• ?低共源電感?：確保高斜率切換，減少硬開關拓撲中的過沖
• ?內部自舉電壓鉗位?：防止GaN FET過驅動
• ?欠壓鎖定保護?：提供VCC和自舉電壓欠壓保護

3. 應用領域

• ?多MHz同步降壓轉換器?
• ?D類音頻放大器?
• ?48V電信、工業(yè)和企業(yè)計算點負載（POL）轉換器?
• ?高功率密度單相和三相電機驅動?

4. 功能描述

• ?控制輸入?：TTL邏輯兼容輸入，可承受高達12V的輸入電壓
• ?啟動與欠壓鎖定?：具有VCC和自舉電壓欠壓鎖定功能，防止GaN FET部分導通
• ?自舉電壓鉗位?：內部自舉電壓鉗位技術，確保柵極電壓在安全范圍內
• ?死區(qū)時間控制?：高、低側驅動器傳播延遲匹配，允許緊密控制死區(qū)時間

5. 電氣特性

• ?供電電流?：VCC靜態(tài)電流0.08至0.125mA，操作電流3.0至5.0mA
• ?輸入閾值?：高電平輸入閾值1.87至2.22V，低電平輸入閾值1.48至1.76V
• ?GaN FET導通電阻?：高側15至20mΩ，低側15至20mΩ
• ?傳播延遲?：高、低側驅動器典型傳播延遲29.5ns，匹配延遲2ns

6. 熱特性

• ?熱阻?：結到環(huán)境熱阻35°C/W，結到外殼熱阻18°C/W

7. 封裝信息

• ?封裝類型?：QFM 9引腳MOF封裝
• ?尺寸?：6mm x 8mm x 2mm

8. 應用與實現(xiàn)

• ?典型應用?：同步降壓轉換器，設計需考慮輸入電壓、被動元件、操作頻率和控制器選擇
• ?布局指南?：優(yōu)化功率循環(huán)路徑，最小化環(huán)路電感，將VCC和自舉電容器盡可能靠近設備放置