LMG5200 LMG5200 80V GaN 半橋功率級

數(shù)據(jù)： LMG5200 80V、10A GaN 半橋功率級數(shù)據(jù)表 (Rev. D)

描述

LMG5200器件集成了80V，10A驅(qū)動器和GaN半橋功率級，采用增強模式氮化鎵（GaN）FET提供了一套集成功率級解決方案。該器件包含兩個80V GaNFET，它們由采用半橋配置的同一高頻GaN FET驅(qū)動器提供驅(qū)動。

GaN FET在功率轉(zhuǎn)換方面的優(yōu)勢顯著，因為其反向恢復(fù)電荷幾乎為零，輸入電容C _ISS也非常小。所有器件均安裝在一個完全無鍵合線的封裝平臺上，盡可能減少了封裝寄生元件數(shù).LMG5200器件采用6mm×8mm ×2mm無鉛封裝，可輕松安裝在PCB上。

該器件的輸入與TTL邏輯兼容，無論VCC電壓如何，都能夠承受高達(dá)12V的輸入電壓。專有的自舉電壓鉗位置技術(shù)確保了增強模式GaN FET的柵極電壓處于安全的工作范圍內(nèi)。

該器件配有用戶友好型接口并更為出色，進一步提升了分立式GaN FET的優(yōu)勢。對于具有高頻，高效操作及尺寸要求的應(yīng)用而言，該器件堪稱理想的解決方案。與TPS53632G控制器搭配使用時，LMG5200能夠直接將48V電壓轉(zhuǎn)換為負(fù)載點電壓（0.5-1.5V）。

特性

集成15mΩGaiFET和驅(qū)動器
80V連續(xù)電壓，100V脈沖電壓額定值
封裝經(jīng)過優(yōu)化，可實現(xiàn)簡單的PCB布局，無需考慮底層填料，爬電和余隙要求
超低共源電感可確保實現(xiàn)高壓擺率開關(guān)，同時在硬開關(guān)拓?fù)渲胁粫斐蛇^度振鈴
非常適合隔離式和非隔離式應(yīng)用
柵極驅(qū)動器支持高達(dá)10MHz的開關(guān)頻率
內(nèi)部自舉電源電壓鉗位可防止GaN FET過驅(qū)
電源軌欠壓鎖定保護
優(yōu)異的傳播延遲（典型值為29.5ns）和匹配（典型值為2ns）

所有商標(biāo)均為其各自所有者的財產(chǎn)。

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?GaN FET 模塊

?
Configuration
VDS (Max) (V)
ID (Max) (A)
RDS (on) (Milliohm)
Coss (pF)
VCC (V)
Logic Level
Prop Delay (ns)
Control Method
?

LMG5200	LMG3410
Half Bridge Power Stage ? ?	Single-Channel Power Stage ? ?
80 ? ?	600 ? ?
10 ? ?	12 ? ?
15 ? ?	70 ? ?
266 ? ?	71 ? ?
5 ? ?	12 ? ?
3V to 5V CMOS and TTL ? ?	3V to 5V CMOS and TTL ? ?
29.5 ? ?	20 ? ?
External ? ?	External ? ?