概述
DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節(jié)寬度的接口對DS1747內(nèi)部的所有寄存器進行訪問。RTC信息和控制位占用RAM中最高的8個地址。RTC寄存器包含世紀(jì)、年、月、日、星期、小時、分和秒數(shù)據(jù)，采用24小時BCD格式。器件可自動對每個月份及閏年進行日期校正。RTC時鐘寄存器采用雙緩沖，可避免在時鐘更新周期內(nèi)訪問不正確的數(shù)據(jù)。雙緩沖系統(tǒng)還可以防止訪問時間寄存器時導(dǎo)致倒數(shù)計時無法減少而引起的時間丟失。DS1747還包含電源失效電路，用于當(dāng)VCC電源超出容差時，禁止選通器件。由于低VCC引起不可預(yù)測的系統(tǒng)操作，該特性可以避免這種情況下的數(shù)據(jù)丟失，從而避免錯誤的訪問和更新。

數(shù)據(jù)表：*附件：DS1747 Y2K兼容、非易失時鐘RAM技術(shù)手冊.pdf

特性

• 集成的NV SRAM、實時時鐘(RTC)、晶體、電源失效控制電路和鋰電池
• 訪問時鐘寄存器方式與靜態(tài)RAM完全相同，這些寄存器位于RAM中最高的8個地址
• 世紀(jì)字節(jié)寄存器；Y2K兼容
• 完全的非易失性，可在缺少電源的條件下工作10年以上
• BCD編碼的世紀(jì)、年、月、日、星期、小時、分和秒數(shù)據(jù)，可自動進行閏年補償至2100年
• 電池電壓指示標(biāo)志
• 電源失效寫保護，允許±10%的VCC電源容差
• 鋰電池處于開路的保鮮模式，直至首次電源加電
• 僅對于DIP模塊：
  • 標(biāo)準(zhǔn)的JEDEC字節(jié)寬度512k x 8靜態(tài)RAM引腳排列
• 僅對于PowerCap模板：
  • 可表貼的封裝直接與包含電池和晶體的PowerCap連接
  • 可替換的電池(PowerCap)
  • 上電復(fù)位輸出
  • 引腳兼容于其他密度的DS174xP時間保持RAM
• 可提供工作在工業(yè)級溫度范圍(-40°C至+85°C)的芯片
  引腳配置
  

設(shè)置時鐘
如表2所示，控制寄存器的第7位是W（寫）位。將W位設(shè)置為1會停止對設(shè)備寄存器的更新。用戶隨后可以將正確的日期和時間值加載到所有八個寄存器中，然后對控制寄存器進行00小時的寫入周期，以清除W位并將這些新設(shè)置傳輸?shù)綍r鐘中，從而允許從新的設(shè)定點恢復(fù)計時操作。
再次參考表2，控制寄存器的位6是R（讀?。┪?。將R位設(shè)置為1會停止對設(shè)備寄存器的更新。用戶隨后可以從八個寄存器中讀取日期和時間值，而這些內(nèi)容在I/0操作期間可能不會改變。隨后向控制寄存器寫入00小時以清除R位，允許計時操作從之前的設(shè)定點恢復(fù)。如果在該寫入操作中將W或R位設(shè)置為1，則控制寄存器位0:5(世紀(jì)值）的預(yù)先存在的內(nèi)容將被忽略/不被控制的寫入周期修改。
如果在寫入操作中將W位清除為0，則控制寄存器位0:5（世紀(jì)值）的預(yù)先存在的內(nèi)容將通過寫入周期修改為控制。如果在該寫入操作中將R位清除為0，則控制寄存器位0:5(世紀(jì)值）的預(yù)先存在的內(nèi)容將不會被寫入周期修改為控制。