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英飛凌推出采用新型硅封裝的CoolGaN G3晶體管,推動(dòng)全行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)程

電子行業(yè)新聞 ? 來源:電子行業(yè)新聞 ? 作者:電子行業(yè)新聞 ? 2025-03-03 11:17 ? 次閱讀
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【2025年2月27日, 德國慕尼黑訊】氮化鎵(GaN)技術(shù)在提升功率電子器件性能水平方面起到至關(guān)重要的作用。但目前為止,GaN供應(yīng)商采用的封裝類型和尺寸各異,產(chǎn)品十分零散,客戶缺乏兼容多種封裝的貨源。為了解決這個(gè)問題,全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出采用RQFN 5x6 封裝的CoolGaN G3 100V(IGD015S10S1)和采用RQFN 3.3x3.3封裝的CoolGaN G380V(IGE033S08S1)高性能GaN晶體管

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(CoolGaN G3 100V晶體管與WRTFN-9-2組合)

英飛凌科技中壓氮化鎵產(chǎn)品線負(fù)責(zé)人Antoine Jalabert博士表示:“這兩款新器件兼容行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)硅MOSFET封裝,滿足客戶對(duì)標(biāo)準(zhǔn)化封裝、更易處理和加快產(chǎn)品上市速度的需求。

CoolGaN G3 100 V晶體管器件將采用5x6 RQFN封裝,典型導(dǎo)通電阻為 1.1 mΩ;CoolGaN G3 80 V將采用 3.3x3.3 RQFN 封裝,典型電阻為2.3 mΩ。這兩款晶體管的封裝首次讓客戶可以采取簡(jiǎn)便的多源采購策略,以及與硅基設(shè)計(jì)形成互補(bǔ)的布局,而新封裝與GaN組合帶來的低電阻連接和低寄生效應(yīng)能夠在常見封裝中實(shí)現(xiàn)高性能晶體管輸出。

此外,這種芯片與封裝組合擁有更大的暴露表面積和更高的銅密度,使熱量得到更好的分布和散發(fā),因此不僅能提高熱傳導(dǎo)性,還具有很高的熱循環(huán)穩(wěn)定性。

供貨情況采用 RQFN 封裝的IGE033S08S1 和 IGD015S10S1 GaN晶體管樣品將從2025年4月開始提供。了解更多信息,請(qǐng)點(diǎn)擊這里。

關(guān)于英飛凌

英飛凌科技股份公司是全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者。英飛凌以其產(chǎn)品和解決方案推動(dòng)低碳化和數(shù)字化進(jìn)程。該公司在全球擁有約58,060名員工(截至2024年9月底),在2024財(cái)年(截至9月30日)的營收約為150億歐元。英飛凌在法蘭克福證券交易所上市(股票代碼:IFX),在美國的OTCQX國際場(chǎng)外交易市場(chǎng)上市(股票代碼:IFNNY)。

英飛凌中國

英飛凌科技股份公司于1995年正式進(jìn)入中國大陸市場(chǎng)。自1995年10月在無錫建立第一家企業(yè)以來,英飛凌的業(yè)務(wù)取得非常迅速的增長,在中國擁有約3,000多名員工,已經(jīng)成為英飛凌全球業(yè)務(wù)發(fā)展的重要推動(dòng)力。英飛凌在中國建立了涵蓋生產(chǎn)、銷售、市場(chǎng)、技術(shù)支持等在內(nèi)的完整的產(chǎn)業(yè)鏈,并在銷售、技術(shù)應(yīng)用支持、人才培養(yǎng)等方面與國內(nèi)領(lǐng)先的企業(yè)、高等院校開展了深入的合作。

審核編輯 黃宇

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